厚膜光阻製程技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文厚膜光阻製程技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫, 技術規格是正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30, 潛力預估是應用潛力中.

序號653
產出年度93
技術名稱-中文厚膜光阻製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30
技術成熟度試量產
可應用範圍Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.
潛力預估應用潛力中
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5820412
電子信箱KCWEN@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備參考資料：（如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等）熱墊板,曝光機
需具備之專業人才熟悉黃光單站製程。
同步更新日期2023-07-22

序號

653

產出年度

93

技術名稱-中文

厚膜光阻製程技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30

技術成熟度

試量產

可應用範圍

Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.

潛力預估

應用潛力中

聯絡人員

溫國城

電話

03-5915654

傳真

03-5820412

電子信箱

KCWEN@itri.org.tw

參考網址

http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備

參考資料：（如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等）熱墊板,曝光機

需具備之專業人才

熟悉黃光單站製程。

同步更新日期

2023-07-22

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# 厚膜光阻製程技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號3483
產出年度98
技術名稱-中文厚膜光阻製程技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30
技術成熟度試量產
可應用範圍Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.
潛力預估應用潛力中
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5917193
電子信箱kcwen@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才電子、了解製程相關人員。
序號: 3483
產出年度: 98
技術名稱-中文: 厚膜光阻製程技術
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.
潛力預估: 應用潛力中
聯絡人員: 溫國城
電話: 03-5915654
傳真: 03-5917193
電子信箱: kcwen@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: (空)
需具備之專業人才: 電子、了解製程相關人員。

# 厚膜光阻製程技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號988
產出年度94
技術名稱-中文厚膜光阻製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30
技術成熟度雛型
可應用範圍Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.
潛力預估成本低、製程簡單之高深寬比結構。
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備熱墊板,曝光機
需具備之專業人才熟悉黃光單站製程
序號: 988
產出年度: 94
技術名稱-中文: 厚膜光阻製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.
潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 熱墊板,曝光機
需具備之專業人才: 熟悉黃光單站製程

# 厚膜光阻製程技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號660
產出年度93
技術名稱-中文類LIGA電鑄模技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術突破傳統電鑄技術以工具鋼為基材，利用類LIGA厚膜光阻製程技術及微電鑄技術定義微結構，並配合後續的厚光阻去除、電鑄金屬與工具鋼基材焊接燒結等整合製程，發展以微噴孔片結構為承載模具的電鑄金屬模仁技術，進而配合微熱壓或射出成型技術製作高分子微噴孔片。本技術產品具有高解析度的功能優勢以及適合大量製造低成本的製程優勢。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚度2 ± 0.5 μm 側向角：18°± 1° 正向角：18°± 1° 背向角：23°± 1° 針尖高度：6 ± 0.5 μm 針尖半徑：< 15 nm 探針距前緣距離：3 ± 0.5 μm 共振頻率：23 ± 4 彈 性 常 數0.2
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍Ink Jet Head, Nozzle Plate
潛力預估可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才電化學,化工或,機械背景人才。
序號: 660
產出年度: 93
技術名稱-中文: 類LIGA電鑄模技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術突破傳統電鑄技術以工具鋼為基材，利用類LIGA厚膜光阻製程技術及微電鑄技術定義微結構，並配合後續的厚光阻去除、電鑄金屬與工具鋼基材焊接燒結等整合製程，發展以微噴孔片結構為承載模具的電鑄金屬模仁技術，進而配合微熱壓或射出成型技術製作高分子微噴孔片。本技術產品具有高解析度的功能優勢以及適合大量製造低成本的製程優勢。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚度2 ± 0.5 μm 側向角：18°± 1° 正向角：18°± 1° 背向角：23°± 1° 針尖高度：6 ± 0.5 μm 針尖半徑：< 15 nm 探針距前緣距離：3 ± 0.5 μm 共振頻率：23 ± 4 彈 性 常 數0.2
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: Ink Jet Head, Nozzle Plate
潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。
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# 03-5915654 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號18293
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文面光源以及可撓性面光源
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院電光系統所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人許詔開 ,陳裕華 ,駱韋仲
核准國家中國大陸
獲證日期105/03/15
證書號碼ZL201210282372.9
專利期間起105/02/09
專利期間訖122/09/22
專利性質發明
技術摘要-中文一種面光源，其包括一線路基板、一反射層、多組側向發光源、一導光擴散層以及一光學膜片。反射層配置於線路基板上，側向發光源陣列排列於線路基板上，並與線路基板電性連接。導光擴散層覆蓋反射層以及側向發光源，其中導光擴散層包括多個陣列排列且彼此連接之導光擴散單元，各個導光擴散單元分別對應於其中一組側向發光源之照明範圍，各組側向發光源至少包括二側向發光源，而此二側向發光源分別沿著二不同方向提供光線至其中一個導光擴散單元中，且各側向發光源係分別朝向單一個導光擴散單元發光。此外，光學膜片配置於導光擴散層上。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5917193
電子信箱kcwen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P51000167CN
特殊情形(空)
序號: 18293
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 面光源以及可撓性面光源
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院電光系統所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 許詔開 ,陳裕華 ,駱韋仲
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 105/03/15
證書號碼: ZL201210282372.9
專利期間起: 105/02/09
專利期間訖: 122/09/22
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種面光源，其包括一線路基板、一反射層、多組側向發光源、一導光擴散層以及一光學膜片。反射層配置於線路基板上，側向發光源陣列排列於線路基板上，並與線路基板電性連接。導光擴散層覆蓋反射層以及側向發光源，其中導光擴散層包括多個陣列排列且彼此連接之導光擴散單元，各個導光擴散單元分別對應於其中一組側向發光源之照明範圍，各組側向發光源至少包括二側向發光源，而此二側向發光源分別沿著二不同方向提供光線至其中一個導光擴散單元中，且各側向發光源係分別朝向單一個導光擴散單元發光。此外，光學膜片配置於導光擴散層上。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 溫國城
電話: 03-5915654
傳真: 03-5917193
電子信箱: kcwen@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P51000167CN
特殊情形: (空)

# 03-5915654 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號18305
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文晶片接合結構及其接合方法
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院電光系統所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人陳尚駿 ,林哲歆 ,顧子琨
核准國家中華民國
獲證日期105/10/19
證書號碼I534973
專利期間起105/09/07
專利期間訖122/03/19
專利性質發明
技術摘要-中文一種晶片接合方法的步驟包含提供二晶片。每一晶片的製造方法包含形成一第一介電層於一基板上。嵌合多個金屬墊於第一介電層上。形成多個凹陷於至少一晶片之第一介電層上。這些凹陷分別介於這些金屬墊之間。形成一第二介電層於具有凹陷之晶片之第一介電層上，並覆蓋於此晶片之這些凹陷及這些金屬墊。接合二晶片及令其中一晶片之這些凹陷與另一晶片之表面構成多個空腔，且第二介電層位於這些空腔內。以機械驅動方式令位於空腔內之第二介電層填滿空腔。接著，壓合二晶片，並固化第二介電層，令二晶片相互固定。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5917193
電子信箱kcwen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P51020062TW
特殊情形(空)
序號: 18305
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 晶片接合結構及其接合方法
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院電光系統所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 陳尚駿 ,林哲歆 ,顧子琨
核准國家: 中華民國
獲證日期: 105/10/19
證書號碼: I534973
專利期間起: 105/09/07
專利期間訖: 122/03/19
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種晶片接合方法的步驟包含提供二晶片。每一晶片的製造方法包含形成一第一介電層於一基板上。嵌合多個金屬墊於第一介電層上。形成多個凹陷於至少一晶片之第一介電層上。這些凹陷分別介於這些金屬墊之間。形成一第二介電層於具有凹陷之晶片之第一介電層上，並覆蓋於此晶片之這些凹陷及這些金屬墊。接合二晶片及令其中一晶片之這些凹陷與另一晶片之表面構成多個空腔，且第二介電層位於這些空腔內。以機械驅動方式令位於空腔內之第二介電層填滿空腔。接著，壓合二晶片，並固化第二介電層，令二晶片相互固定。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 溫國城
電話: 03-5915654
傳真: 03-5917193
電子信箱: kcwen@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P51020062TW
特殊情形: (空)

# 03-5915654 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號673
產出年度93
技術名稱-中文低應力薄膜製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格SIN Film Stress
技術成熟度量產
可應用範圍氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。
潛力預估面型微加工重要技術,應用潛力高
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5820412
電子信箱KCWEN@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備參考資料：（如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等） 1.低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發 2.面型微機電系統製程技術開發與服務
需具備之專業人才具備爐管設備維修及製程人才。
序號: 673
產出年度: 93
技術名稱-中文: 低應力薄膜製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: SIN Film Stress
技術成熟度: 量產
可應用範圍: 氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。
潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高
聯絡人員: 溫國城
電話: 03-5915654
傳真: 03-5820412
電子信箱: KCWEN@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 參考資料：（如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等） 1.低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發 2.面型微機電系統製程技術開發與服務
需具備之專業人才: 具備爐管設備維修及製程人才。

# 03-5915654 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號674
產出年度93
技術名稱-中文矽晶深蝕刻製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文如何得到高蝕刻速率、高選擇比、高非均向性、高蝕刻深度及高深寬比是矽深蝕刻製程技術中主要的課題。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/mi
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍矽深蝕刻製程技術是微機電系統 (MEMS)中非常重要的一環,可利用所製作之高深寬比結構設計製作加速度計STM,微感測器,熱泡式噴墨頭等。
潛力預估微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5820412
電子信箱KCWEN@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備參考資料：（如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等） ICP or DRIE
需具備之專業人才半導體之乾蝕刻製程為基礎。
序號: 674
產出年度: 93
技術名稱-中文: 矽晶深蝕刻製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 如何得到高蝕刻速率、高選擇比、高非均向性、高蝕刻深度及高深寬比是矽深蝕刻製程技術中主要的課題。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/mi
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 矽深蝕刻製程技術是微機電系統 (MEMS)中非常重要的一環,可利用所製作之高深寬比結構設計製作加速度計STM,微感測器,熱泡式噴墨頭等。
潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等
聯絡人員: 溫國城
電話: 03-5915654
傳真: 03-5820412
電子信箱: KCWEN@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 參考資料：（如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等） ICP or DRIE
需具備之專業人才: 半導體之乾蝕刻製程為基礎。

# 03-5915654 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號999
產出年度94
技術名稱-中文3D基板式堆疊構裝技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文以Solder Ball為Interconnection的3D堆疊構裝，可有效益的整合不同功能的晶片於同一構裝模組中，不僅能大幅減少電子構裝的尺寸，更能達到System in Package (SiP)的效能。此外，藉由Thermal Via、Thermal Ball及外露銅箔層的整合散熱設計，可使3D堆疊構裝的散熱效能，大幅提升。創新的可靠度測試設計，能同時評估Component Level 及Board Level的可靠度。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_；一步成型式導通孔技術
技術成熟度試量產
可應用範圍隨著System in Package的技術發展趨勢日漸重要，3D堆疊構裝的技術，日益受電子產品市場的矚目。
潛力預估藉著3D堆疊構裝的發展，除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小， 提升電子產品縮小化的效率外，更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中，而以最有效益的方式，達到System in Package的效益。
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5820412
電子信箱kcwen@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備Flip chip bonder，Reflow ove
需具備之專業人才覆晶組裝製程技術
序號: 999
產出年度: 94
技術名稱-中文: 3D基板式堆疊構裝技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 以Solder Ball為Interconnection的3D堆疊構裝，可有效益的整合不同功能的晶片於同一構裝模組中，不僅能大幅減少電子構裝的尺寸，更能達到System in Package (SiP)的效能。此外，藉由Thermal Via、Thermal Ball及外露銅箔層的整合散熱設計，可使3D堆疊構裝的散熱效能，大幅提升。創新的可靠度測試設計，能同時評估Component Level 及Board Level的可靠度。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_；一步成型式導通孔技術
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 隨著System in Package的技術發展趨勢日漸重要，3D堆疊構裝的技術，日益受電子產品市場的矚目。
潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展，除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小， 提升電子產品縮小化的效率外，更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中，而以最有效益的方式，達到System in Package的效益。
聯絡人員: 溫國城
電話: 03-5915654
傳真: 03-5820412
電子信箱: kcwen@itri.org.tw
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所須軟硬體設備: Flip chip bonder，Reflow ove
需具備之專業人才: 覆晶組裝製程技術

# 03-5915654 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號1002
產出年度94
技術名稱-中文增益型晶圓級晶方尺度構裝技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文覆晶封裝技術(Flip Chip technology, FC)需在印刷電路板與電子元件間加入轉接板(substrate)，以降低電子元件與基材間因元件操作時發熱或環境變異之熱循環現象所產生之熱應力，因此需在晶粒與基板組裝時增添填膠製程來抒解應力以提高元件可靠性，除此之外，FC另因較細間距及重工性等問題更增加了覆晶技術之成本及應用推廣的阻力。晶圓級構裝技術(WLCSP)可完全解決上述之問題。電子所開發之增益型晶圓級晶方尺度構裝技術(Enhanced Wafer Level Chip Size Package；e-WLCSP)，特色是在晶圓上以製作彈性體(elastomer)的方式作為應力緩衝層(stress buffer layer)來抒解應力，增益了晶圓級晶方尺度構裝(WLCSP)之可靠性，同時，電子所並完成製程改善及效能之提昇，達成真正具備薄型化、堆疊可行性、簡化製程步驟及熱增益型效果之新型態構裝。本技術因採用彈性體製程架構，在晶圓製程即可完成封裝製程，可大幅節省傳統覆晶封裝所需的繁複點膠步驟，並減少封裝後產品面積及體積。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Die size:10*10mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or 8" Si wafer_x000D_；Design: Fan-i
技術成熟度量產
可應用範圍晶方尺度構裝技術目前可區分為多種不同之型態，其主要應用領域包含RAM模組(EPROM, SRAM, DRAM)、Flash Memory、DSP、Logic IC、PLD、Analog等多項領域，其市場應用量年複合成長率可達31%以上，並將集中以記憶體為主要應用範圍。電子所開發之e-WLCSP可適用於下一世代之DDR-II記憶體，針對其高速特性(800MHz、1GHz)亦能提供可靠及簡便的封裝型態，且由於晶片製作方式是以整片晶圓來進行，可提供最小的封裝後尺寸及最具潛力的低成本優勢，也因此晶圓級封裝技術未來之年複合成長率預測將達50%以上，遠高於目前其他不同型態之構裝技術。
潛力預估電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應力緩衝層(2nd compliant layer)則主要用作應力緩衝，其厚度亦較1st compliant layer為厚。此架構可有效釋放因FR4基板與晶片間，因熱膨係數之差異(CTE mismatch)造成之應力，從而提升模組組裝後之可靠性。
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5820412
電子信箱kcwen@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備封裝相關設備
需具備之專業人才具電機電子相關知識
序號: 1002
產出年度: 94
技術名稱-中文: 增益型晶圓級晶方尺度構裝技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 覆晶封裝技術(Flip Chip technology, FC)需在印刷電路板與電子元件間加入轉接板(substrate)，以降低電子元件與基材間因元件操作時發熱或環境變異之熱循環現象所產生之熱應力，因此需在晶粒與基板組裝時增添填膠製程來抒解應力以提高元件可靠性，除此之外，FC另因較細間距及重工性等問題更增加了覆晶技術之成本及應用推廣的阻力。晶圓級構裝技術(WLCSP)可完全解決上述之問題。電子所開發之增益型晶圓級晶方尺度構裝技術(Enhanced Wafer Level Chip Size Package；e-WLCSP)，特色是在晶圓上以製作彈性體(elastomer)的方式作為應力緩衝層(stress buffer layer)來抒解應力，增益了晶圓級晶方尺度構裝(WLCSP)之可靠性，同時，電子所並完成製程改善及效能之提昇，達成真正具備薄型化、堆疊可行性、簡化製程步驟及熱增益型效果之新型態構裝。本技術因採用彈性體製程架構，在晶圓製程即可完成封裝製程，可大幅節省傳統覆晶封裝所需的繁複點膠步驟，並減少封裝後產品面積及體積。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Die size:10*10mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or 8" Si wafer_x000D_；Design: Fan-i
技術成熟度: 量產
可應用範圍: 晶方尺度構裝技術目前可區分為多種不同之型態，其主要應用領域包含RAM模組(EPROM, SRAM, DRAM)、Flash Memory、DSP、Logic IC、PLD、Analog等多項領域，其市場應用量年複合成長率可達31%以上，並將集中以記憶體為主要應用範圍。電子所開發之e-WLCSP可適用於下一世代之DDR-II記憶體，針對其高速特性(800MHz、1GHz)亦能提供可靠及簡便的封裝型態，且由於晶片製作方式是以整片晶圓來進行，可提供最小的封裝後尺寸及最具潛力的低成本優勢，也因此晶圓級封裝技術未來之年複合成長率預測將達50%以上，遠高於目前其他不同型態之構裝技術。
潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應力緩衝層(2nd compliant layer)則主要用作應力緩衝，其厚度亦較1st compliant layer為厚。此架構可有效釋放因FR4基板與晶片間，因熱膨係數之差異(CTE mismatch)造成之應力，從而提升模組組裝後之可靠性。
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所須軟硬體設備: 封裝相關設備
需具備之專業人才: 具電機電子相關知識

# 03-5915654 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號1003
產出年度94
技術名稱-中文銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文於銅晶片上利用濺鍍/電鍍及無電鍍的方式分別製作Ti/Cu及Ni/Au UBM並分別配合錫鉛電鍍及印刷技術來完成覆晶凸塊植球技術。此二種植球技術(電鍍及印刷)已通過高溫儲存及溫度循環等可靠度測試。而後者(無電鍍Ni/Au UBM +錫鉛印刷)又稱為低成本覆晶植球技術，已將其應用於I/O數為81且為周邊排列方式的測試載具上，加以組裝於基板並已通過可靠度測試。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_；Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_；UBM: Ti/Cu, Electroless Ni/Au
技術成熟度試量產
可應用範圍以銅導線製程的高階晶片，可應用Chipset、ASIC、CPU等。
潛力預估比起過去使用的鋁導線，銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗，尤其當線寬愈來愈窄的時候，其對高頻的影響愈來愈大，被視為下一代高速積體電路的明星製程，然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術，而國內下游相關業者 ，目前尚未有明顯因應之道。 值此以銅代鋁的關鍵時刻，電光所構裝技術組發展以銅代鋁的銅晶片構裝技術，以銅為導體，可減少訊號延遲、降低electro-migration產生、增加構裝密度，並提高積體電路整體的速度，是未來構裝產業需投注高度研究的技術。
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5820412
電子信箱kcwen@itri.org.tw
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所須軟硬體設備構裝廠、IC廠封裝部門。
需具備之專業人才機械、材料、化學(化工)
序號: 1003
產出年度: 94
技術名稱-中文: 銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 於銅晶片上利用濺鍍/電鍍及無電鍍的方式分別製作Ti/Cu及Ni/Au UBM並分別配合錫鉛電鍍及印刷技術來完成覆晶凸塊植球技術。此二種植球技術(電鍍及印刷)已通過高溫儲存及溫度循環等可靠度測試。而後者(無電鍍Ni/Au UBM +錫鉛印刷)又稱為低成本覆晶植球技術，已將其應用於I/O數為81且為周邊排列方式的測試載具上，加以組裝於基板並已通過可靠度測試。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_；Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_；UBM: Ti/Cu, Electroless Ni/Au
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 以銅導線製程的高階晶片，可應用Chipset、ASIC、CPU等。
潛力預估: 比起過去使用的鋁導線，銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗，尤其當線寬愈來愈窄的時候，其對高頻的影響愈來愈大，被視為下一代高速積體電路的明星製程，然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術，而國內下游相關業者 ，目前尚未有明顯因應之道。 值此以銅代鋁的關鍵時刻，電光所構裝技術組發展以銅代鋁的銅晶片構裝技術，以銅為導體，可減少訊號延遲、降低electro-migration產生、增加構裝密度，並提高積體電路整體的速度，是未來構裝產業需投注高度研究的技術。
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所須軟硬體設備: 構裝廠、IC廠封裝部門。
需具備之專業人才: 機械、材料、化學(化工)

# 03-5915654 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號1004
產出年度94
技術名稱-中文銅晶片打線接合構裝技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文由於銅導線能符合IC線路設計高速化與體積縮小化的需求，而有銅晶片的開發。從最早商品化的IBM Power PC750開始，就有廠商陸續宣佈加入銅晶片的戰場。由於打線接合為目前台灣普遍使用之封裝方式，因此建立銅晶片打線接合構裝技術相當重要。為了解銅晶片構裝之可靠度受pad cap 材質、barrier layer 選擇、介金屬形成狀況、以及打線參數之影響，因此電子所積極投入銅晶片打線接合的技術之研究及製程之開發，目前已有顯著成果，可以技術移轉業界，項目包括：Cu Chip 之 Pad Metallization for Wire Bonding製程開發、Effects of caps on copper pads 、Application of aluminum caps 、Effects of copper pad barrier types_x000D_、Application of electroless nickel/gold caps_x000D_、Cu Chip 之Wire Bonding 製程參數開發、田口品質工程實驗參數調整、Reliability驗證及failure mode analysis_x000D_
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Test Vehicle：Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定，並由電子所與合作廠商共同
技術成熟度量產
可應用範圍應用於所有銅晶片需打線接合之產品。
潛力預估Filing two patents for copper chip package_x000D_，Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_，Wire bond quality 經HTS Reliability驗證_x000D_
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5820412
電子信箱kcwen@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備構裝廠、IC廠封裝部門。
需具備之專業人才Wire Bonding Technology
序號: 1004
產出年度: 94
技術名稱-中文: 銅晶片打線接合構裝技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 由於銅導線能符合IC線路設計高速化與體積縮小化的需求，而有銅晶片的開發。從最早商品化的IBM Power PC750開始，就有廠商陸續宣佈加入銅晶片的戰場。由於打線接合為目前台灣普遍使用之封裝方式，因此建立銅晶片打線接合構裝技術相當重要。為了解銅晶片構裝之可靠度受pad cap 材質、barrier layer 選擇、介金屬形成狀況、以及打線參數之影響，因此電子所積極投入銅晶片打線接合的技術之研究及製程之開發，目前已有顯著成果，可以技術移轉業界，項目包括：Cu Chip 之 Pad Metallization for Wire Bonding製程開發、Effects of caps on copper pads 、Application of aluminum caps 、Effects of copper pad barrier types_x000D_、Application of electroless nickel/gold caps_x000D_、Cu Chip 之Wire Bonding 製程參數開發、田口品質工程實驗參數調整、Reliability驗證及failure mode analysis_x000D_
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Test Vehicle：Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定，並由電子所與合作廠商共同
技術成熟度: 量產
可應用範圍: 應用於所有銅晶片需打線接合之產品。
潛力預估: Filing two patents for copper chip package_x000D_，Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_，Wire bond quality 經HTS Reliability驗證_x000D_
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所須軟硬體設備: 構裝廠、IC廠封裝部門。
需具備之專業人才: Wire Bonding Technology
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與厚膜光阻製程技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

硬脆薄膜奈米製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4吋鑽石晶圓，鑽石膜厚度≦20μm，平均表面粗糙度(Ra) ≦20nm | 潛力預估: 攻佔TFT LCD切刀市場（兩億/年），提供鑽石厚膜協助廠商及早進入市場

微結構光學膜片製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)柱間隔5μm~100μm，棱柱高度5μm ~100μm，棱柱角度30o~150o (2)透鏡直徑2 μm～500μm，透鏡高度2 μm～100μm，最小透鏡間隙 0 μm | 潛力預估: 目前平面顯示器相關產品需求非常大而且未來照明產業的相關應用也將非常廣泛

SOI晶圓製程技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)全域厚度變異≦3μm / ψ150mm，表面粗糙度Ra≦5 A (2)絕緣層厚度 0.5μm~2μm，絕緣層膜厚均勻性≦5% (3)元件層厚度≧8μm (4)元件層厚度均勻性 ±5% | 潛力預估: SOI應用領域相當廣泛，如：微機電元件、High Power IC、光通訊元件等。以SOI晶圓取代目前微機電相關製程技術，可大幅提升產品競爭力，因此，預估在未來3年內SOI晶圓市場將會有爆炸性之成長

奈米微粒製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)研磨分散設備：研磨槽容積：1.6L，切線速度：15m/s，研磨介質粒徑：0.1mm（最小） (2)高壓均質設備：最大壓力：280MPa，流量：25L/hr | 潛力預估: 奈米微粒製造技術開發完成奈米微粒研磨分散設備及高壓均質設備，針對奈米等級微粒粉碎、分散、乳化等濕式製程均可適用，是奈米產業發展的重要設備技術。本技術完成後，可提供國內具備價格、彈性、和性能等優勢的製造...

模組化高剛性平台

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 不放大振動之頻寬為0-200Hz，剛性大於8×108 N/m（地板為完全剛性之狀況） | 潛力預估: 模組化精密高剛性平台技術之開發及應用，可以取代目前重量較重之花崗岩平台或鋼筋混凝土平台，經由平台之減重並維持更高之剛性，可以減輕廠房結構之負擔，增加廠房之使用率。適用於12吋半導體製程及平面顯示器產業...

奈米機械隔振模組技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1-400Hz以內均有減振之效果，其中垂直方向在6Hz以上之減振能力為-14dB（80%），水平方向在6Hz以上之減振能力為-12dB（75%） | 潛力預估: 隨著奈米科技及相關技術之不斷提昇，使得相關之奈米級檢測設備之應用更為普及。對於小型之奈米檢測設備如SPM及AFM，本模組可有效地與檢測設備結合，以取代大型之光學桌及氣墊隔振系統，並且能在低頻提供更好的...

線型馬達高速切削加工機技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: X/Y/Z行程：800×600×500mm X/Y/Z‧??? 最大進給速度：120m/min X/Y/Z‧??? 最大進給加速度：2G‧???主軸最高轉速：24,000rpm | 潛力預估: 近年來高速切削之相關技術蓬勃發展，其應用範圍已從早期侷限於航太業鋁合金切削擴充至汽車業、模具業、電子業，切削材料除傳統的鋁合金切削外，亦包括鑄鐵、合金鋼、複合材料與高硬度材料。高速切削具有高切削量、低...

串列網路伺服運動控制應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ??? 串列網路伺服軸：8軸(Mitsubishi SSCNET)，可擴充至16軸/泛用開迴路：4軸/泛用閉迴路：1軸，可擴充至5軸/數位轉類比：2組(16 bits)，可擴充至6組/類比轉數位：2組... | 潛力預估: 可實現高速、高精度的定位控制，及多軸即時同步運動控制，在不用增加控制母板下，硬體軸數與IO點數擴充彈性大，為國內光電半導體設備與CNC工具機業，提供了一個降低系統配線複雜度與維護簡單化的有效解決方案。

光通訊TO-Can雷射銲接機

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 雷射束數目：3/雷射型式：Nd:YAG/功率：20 W/視覺與雷射頭分離/X1 軸行程: 50mm, 定位精度: 5μm, 解析度: 0.2μm/Y1軸 (手動) | 潛力預估: 高

光隔絕器自動對光與自動錫銲固著技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧??? 自動對光技術：單光束自動對光 < 3 分鐘/自動錫銲技術：錫銲固著後，插入損失小於0.2dB | 潛力預估: 自動對光技術為光電元件構裝相關產業之關鍵技術，未來具有廣大的市場發展潛力。自動錫銲技術可以較高的品質及穩定性來取代人工，除已被廣為使用的電子產業外，於新興的光電產業亦具有高度發產空間

平面光波導自動構裝系統

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光通訊多通道元件對光技術對光型式：Fiber Array to Fiber Array/‧ 通道數：8 | 潛力預估: 以光通訊元件的發展趨勢來看，均朝向模組化、高頻寬、多通道數、低成本、小體積發展，所以平面光波導將會是未來光通訊網路中相當重要的元件。目前日本及歐美等國正極力促成光通訊網路的建立，因此未來平面光波導元件...

晶片/晶圓鍵合技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 晶片/晶圓鍵合精度：±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )/大面積加熱板溫度控制技術：250± 1℃/瞬間加熱板溫度控制技術：500± 5℃/視覺對位技... | 潛力預估: 熱超音波覆晶技術具高效率及綠色製程特性，將成為覆晶技術主流製程之一/高速取放技術有效提昇設備競爭力/精密定位系統大幅提昇設備製程良率/製程設備整合開發，提供使用者統和解決方案/掌握關鍵模組開發能力，縮...

晶圓液相沉積金屬薄膜技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 6吋晶圓，凸塊厚度18μm，電鍍均勻性< 4％，TIR平均值< 1μm/8吋晶圓，凸塊厚度18μm，電鍍均勻性< 5％，TIR平均值< 1μm | 潛力預估: Multi-cup電鍍模組可整合成不同型式量產機台，並具備即時電壓/電流監測功能，確保晶圓電鍍之品質

高速大面積電漿光阻剝離技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 基板尺寸：620×750 mm，第3.5代LCD面板尺寸/製程溫度：≦250℃/‧ 去光阻速度：2μm/mi | 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (第5代LCD面板尺寸)/高速大面積電漿蝕刻、灰化等相關技術應用

切割模組

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 劃線寬度：3~5 μm/劃線深度：3~5 μm/晶圓厚度量測精度：± 1 μm/劃線力量：5~100g，解析度0.3g | 潛力預估: 可因應未來生醫晶片、微機電晶片及覆晶片等薄型晶片，在切割預留寬度(street)由50μm期望下降到20μm的產品需求及無碎屑切割裂片技術

硬脆薄膜奈米製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4吋鑽石晶圓，鑽石膜厚度≦20μm，平均表面粗糙度(Ra) ≦20nm | 潛力預估: 攻佔TFT LCD切刀市場（兩億/年），提供鑽石厚膜協助廠商及早進入市場

微結構光學膜片製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)柱間隔5μm~100μm，棱柱高度5μm ~100μm，棱柱角度30o~150o (2)透鏡直徑2 μm～500μm，透鏡高度2 μm～100μm，最小透鏡間隙 0 μm | 潛力預估: 目前平面顯示器相關產品需求非常大而且未來照明產業的相關應用也將非常廣泛

SOI晶圓製程技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)全域厚度變異≦3μm / ψ150mm，表面粗糙度Ra≦5 A (2)絕緣層厚度 0.5μm~2μm，絕緣層膜厚均勻性≦5% (3)元件層厚度≧8μm (4)元件層厚度均勻性 ±5% | 潛力預估: SOI應用領域相當廣泛，如：微機電元件、High Power IC、光通訊元件等。以SOI晶圓取代目前微機電相關製程技術，可大幅提升產品競爭力，因此，預估在未來3年內SOI晶圓市場將會有爆炸性之成長

奈米微粒製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)研磨分散設備：研磨槽容積：1.6L，切線速度：15m/s，研磨介質粒徑：0.1mm（最小） (2)高壓均質設備：最大壓力：280MPa，流量：25L/hr | 潛力預估: 奈米微粒製造技術開發完成奈米微粒研磨分散設備及高壓均質設備，針對奈米等級微粒粉碎、分散、乳化等濕式製程均可適用，是奈米產業發展的重要設備技術。本技術完成後，可提供國內具備價格、彈性、和性能等優勢的製造...

模組化高剛性平台

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 不放大振動之頻寬為0-200Hz，剛性大於8×108 N/m（地板為完全剛性之狀況） | 潛力預估: 模組化精密高剛性平台技術之開發及應用，可以取代目前重量較重之花崗岩平台或鋼筋混凝土平台，經由平台之減重並維持更高之剛性，可以減輕廠房結構之負擔，增加廠房之使用率。適用於12吋半導體製程及平面顯示器產業...

奈米機械隔振模組技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1-400Hz以內均有減振之效果，其中垂直方向在6Hz以上之減振能力為-14dB（80%），水平方向在6Hz以上之減振能力為-12dB（75%） | 潛力預估: 隨著奈米科技及相關技術之不斷提昇，使得相關之奈米級檢測設備之應用更為普及。對於小型之奈米檢測設備如SPM及AFM，本模組可有效地與檢測設備結合，以取代大型之光學桌及氣墊隔振系統，並且能在低頻提供更好的...

線型馬達高速切削加工機技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: X/Y/Z行程：800×600×500mm X/Y/Z‧??? 最大進給速度：120m/min X/Y/Z‧??? 最大進給加速度：2G‧???主軸最高轉速：24,000rpm | 潛力預估: 近年來高速切削之相關技術蓬勃發展，其應用範圍已從早期侷限於航太業鋁合金切削擴充至汽車業、模具業、電子業，切削材料除傳統的鋁合金切削外，亦包括鑄鐵、合金鋼、複合材料與高硬度材料。高速切削具有高切削量、低...

串列網路伺服運動控制應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ??? 串列網路伺服軸：8軸(Mitsubishi SSCNET)，可擴充至16軸/泛用開迴路：4軸/泛用閉迴路：1軸，可擴充至5軸/數位轉類比：2組(16 bits)，可擴充至6組/類比轉數位：2組... | 潛力預估: 可實現高速、高精度的定位控制，及多軸即時同步運動控制，在不用增加控制母板下，硬體軸數與IO點數擴充彈性大，為國內光電半導體設備與CNC工具機業，提供了一個降低系統配線複雜度與維護簡單化的有效解決方案。

光通訊TO-Can雷射銲接機

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 雷射束數目：3/雷射型式：Nd:YAG/功率：20 W/視覺與雷射頭分離/X1 軸行程: 50mm, 定位精度: 5μm, 解析度: 0.2μm/Y1軸 (手動) | 潛力預估: 高

光隔絕器自動對光與自動錫銲固著技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧??? 自動對光技術：單光束自動對光 < 3 分鐘/自動錫銲技術：錫銲固著後，插入損失小於0.2dB | 潛力預估: 自動對光技術為光電元件構裝相關產業之關鍵技術，未來具有廣大的市場發展潛力。自動錫銲技術可以較高的品質及穩定性來取代人工，除已被廣為使用的電子產業外，於新興的光電產業亦具有高度發產空間

平面光波導自動構裝系統

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光通訊多通道元件對光技術對光型式：Fiber Array to Fiber Array/‧ 通道數：8 | 潛力預估: 以光通訊元件的發展趨勢來看，均朝向模組化、高頻寬、多通道數、低成本、小體積發展，所以平面光波導將會是未來光通訊網路中相當重要的元件。目前日本及歐美等國正極力促成光通訊網路的建立，因此未來平面光波導元件...

晶片/晶圓鍵合技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 晶片/晶圓鍵合精度：±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )/大面積加熱板溫度控制技術：250± 1℃/瞬間加熱板溫度控制技術：500± 5℃/視覺對位技... | 潛力預估: 熱超音波覆晶技術具高效率及綠色製程特性，將成為覆晶技術主流製程之一/高速取放技術有效提昇設備競爭力/精密定位系統大幅提昇設備製程良率/製程設備整合開發，提供使用者統和解決方案/掌握關鍵模組開發能力，縮...

晶圓液相沉積金屬薄膜技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 6吋晶圓，凸塊厚度18μm，電鍍均勻性< 4％，TIR平均值< 1μm/8吋晶圓，凸塊厚度18μm，電鍍均勻性< 5％，TIR平均值< 1μm | 潛力預估: Multi-cup電鍍模組可整合成不同型式量產機台，並具備即時電壓/電流監測功能，確保晶圓電鍍之品質

高速大面積電漿光阻剝離技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 基板尺寸：620×750 mm，第3.5代LCD面板尺寸/製程溫度：≦250℃/‧ 去光阻速度：2μm/mi | 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (第5代LCD面板尺寸)/高速大面積電漿蝕刻、灰化等相關技術應用

切割模組

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 劃線寬度：3~5 μm/劃線深度：3~5 μm/晶圓厚度量測精度：± 1 μm/劃線力量：5~100g，解析度0.3g | 潛力預估: 可因應未來生醫晶片、微機電晶片及覆晶片等薄型晶片，在切割預留寬度(street)由50μm期望下降到20μm的產品需求及無碎屑切割裂片技術

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