| 執行單位: 工研院系統中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 利用分析機電耦合特性及等效電路模型，設計參數化模擬分析資料庫，可經由元件薄膜以下特性的最佳化表現找出包含材料機械性質、直流偏壓、交流訊號、結構尺寸與製程預應力等最佳設計參數：（1）最大位移（2）等效機... | 潛力預估: 此項結構分析最佳化設計可降低產品研發成本與提升構型性能，極具競爭潛力。 |
| 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Clock 40MHz, Data Rate 6, 9, 12, 18, 24, 36, 48, or 54 Mbps
2. Customize MAC layer Interface
3. C... | 潛力預估: 可與 SOC 整合，有更多獲利空間 |
| 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Laser driver：10-100mA bias moudlation
TIA：-15dBm sensitivity, 8GHz BW
LA：230mV limiting
BER | 潛力預估: 國內自製之晶片在10Gbps處於高獲利期即佔有市場 |
| 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Group delay variation | 潛力預估: 國內尚未有廠商開發成功，且藍光光碟機尚未普及，現在投入可及早佔有市場，提昇競爭力 |
| 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Frequency Range：50~860MHz
Input Resistance：75Ohm
Min. Input power：-80dBm
Max. Input power：-20dBm
Tot... | 潛力預估: 國內尚未有廠商使用CMOS技術來製作DTV RF Tuner，藉由掌握此關鍵技術，可實現使用行動裝置(手機、PDA、Notebook)收看數位電視的可能，並由顧採用的是CMOS技術，因此可降低IC設... |
| 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Process (Hard IP demo design) : 130 nm – Generic logic process
Architecture : Scalar + 4-way VLIW
Da... | 潛力預估: 提昇國內關鍵元組件的技術能力與自製率 |
| 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Asymmetric dual core architecture
2.Three-layer AHB bus structure (Basic)
3.Flexible and scalable... | 潛力預估: 1. Low-power SoC Platform for portable applications
2. Bi-product: DVFS low-power design solution pa... |
| 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Design Methodology：Multi-Vth,Multi-VDD,DVFS Design, Implementation,and Verification Methodology
2.... | 潛力預估: 廣泛應用於可攜式電子產品SoC，將大幅提升國內IC廠商產品在國際市場之競爭力 |
| 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: PLL:12MHz in, 456MHz out, 24Mhz Stepping, RMS Jitter 35ps, P-P Jitter 150ps.
MAC: Two 16 bit 2's com... | 潛力預估: 可應用於各種時脈產生，及數位濾波器，及資料暫存設計 |
| 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)物方視野: 線型 > 6 mm(2) 物方空間解析度: < 250 mm (3) 光譜解析度: < 3 nm (4) 單次量測光譜範圍(free spectral range): 400 nm | 潛力預估: 台灣的LED設備產能相當充足，但製程良率偏低，且檢測速度遠不及產出率，需求快速光譜檢測新一代技術，本技術可直接針對此需求提供服務。 |
| 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)掃描範圍:300nm~900nm/1250nm~1650nm | 潛力預估: 可取代目前國外高價產品，可創造產值5億 |
| 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 縱向解析度及量程1nm / 100um、橫向解析度及量程 1um / (500um)2 | 潛力預估: 結合單頻相移暨垂直掃描白光干涉功能的顯微檢測儀器，在亞洲市場的產值每年可達數億元，其產值更將隨影像顯示器產業產值的成長而大幅提昇。 |
| 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 3 mil 線寬/線距HDI-PCB銅箔線路缺陷檢測探頭，尺寸/形狀空間解析度：8~15μm。(2)機台y-方向移動速度：40 mm/sec.。(3)缺陷檢測演算法可自動檢測出open/sh... | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等，產業頗具規模，因此，製程品質之檢測儀器之需求大。 |
| 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)空間解析度：7.7 μm。(2)深度範圍：< 200μm。 | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等，產業頗具規模，因此，製程品質之檢測儀器之需求大。 |
| 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Accuracy | 潛力預估: 可搶攻半導體檢測 |