支撐架之結合構造及其連接件(國立屏東科技大學車輛工程系)
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文支撐架之結合構造及其連接件(國立屏東科技大學車輛工程系)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是一種支撐架之結合構造及其連接件，係包含一桿體、一連接件及數個固定元件，該桿體具有一中空管部，該中空管部之一側面設有一組裝部，該組裝部具有互相平行之二組裝板，且該二組裝板係由該中空管部之側面一體延伸而成，該二組裝板均具有一組裝面，該二組裝面之間具有一間距且互相面對，該連接件設有二結合部，該二結合部均為..., 潛力預估是車輛製造.

序號3959
產出年度99
技術名稱-中文支撐架之結合構造及其連接件(國立屏東科技大學車輛工程系)
執行單位學界科專辦公室
產出單位(空)
計畫名稱學界科專計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術於99年6月17日向經濟部智慧財產局申請專利實審中（申請案號：099119737）
技術現況敘述-英文(空)
技術規格一種支撐架之結合構造及其連接件，係包含一桿體、一連接件及數個固定元件，該桿體具有一中空管部，該中空管部之一側面設有一組裝部，該組裝部具有互相平行之二組裝板，且該二組裝板係由該中空管部之側面一體延伸而成，該二組裝板均具有一組裝面，該二組裝面之間具有一間距且互相面對，該連接件設有二結合部，該二結合部均為二側板及一底板所組成之ㄇ形斷面桿件，各該結合部對位設置於該二組裝板之間，且該二側板係抵靠該二組裝面，再以各該固定元件將各該組裝板及側板固定。藉此，各構件之間組裝快速方便，且不會破壞該桿體本身結構強度。
技術成熟度量產
可應用範圍車輛製造
潛力預估車輛製造
聯絡人員鍾諠芃小姐
電話(08)-7740174
傳真(08)-7740158
電子信箱yung5825@mail.npust.edu.tw
參考網址http://twpat.tipo.gov.tw/
所須軟硬體設備汽機車、卡車零件製造設備
需具備之專業人才熟悉車體結構

序號

3959

產出年度

99

技術名稱-中文

支撐架之結合構造及其連接件(國立屏東科技大學車輛工程系)

執行單位

學界科專辦公室

產出單位

(空)

計畫名稱

學界科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本技術於99年6月17日向經濟部智慧財產局申請專利實審中（申請案號：099119737）

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

一種支撐架之結合構造及其連接件，係包含一桿體、一連接件及數個固定元件，該桿體具有一中空管部，該中空管部之一側面設有一組裝部，該組裝部具有互相平行之二組裝板，且該二組裝板係由該中空管部之側面一體延伸而成，該二組裝板均具有一組裝面，該二組裝面之間具有一間距且互相面對，該連接件設有二結合部，該二結合部均為二側板及一底板所組成之ㄇ形斷面桿件，各該結合部對位設置於該二組裝板之間，且該二側板係抵靠該二組裝面，再以各該固定元件將各該組裝板及側板固定。藉此，各構件之間組裝快速方便，且不會破壞該桿體本身結構強度。

技術成熟度

量產

可應用範圍

車輛製造

潛力預估

車輛製造

聯絡人員

鍾諠芃小姐

電話

(08)-7740174

傳真

(08)-7740158

電子信箱

yung5825@mail.npust.edu.tw

參考網址

http://twpat.tipo.gov.tw/

所須軟硬體設備

汽機車、卡車零件製造設備

需具備之專業人才

熟悉車體結構

根據名稱 支撐架之結合構造及其連接件 國立屏東科技大學車輛工程系 找到的相關資料

無其他 支撐架之結合構造及其連接件 國立屏東科技大學車輛工程系 資料。

[ 搜尋所有 支撐架之結合構造及其連接件 國立屏東科技大學車輛工程系 ... ]

根據電話 08 -7740174 找到的相關資料

(以下顯示 7 筆) (或要:直接搜尋所有 08 -7740174 ...)

逆向差速齒輪式車輛複合動力系統(國立屏東科技大學車輛工程系)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 利用差速齒輪做為動力分配機構與系統電子控制單元，讓不同動力源能根據不同的行車狀態來作動力的結合與分配，並讓各動力模組能在最佳的效率或最低污染範圍內運轉與工作，使整體車輛符合低油耗與低污染的最終目的。 | 潛力預估: 車輛製造

@ 技術司可移轉技術資料集

逆向差速齒輪式混合動力管理系統(國立屏東科技大學車輛工程系)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 此動力整合與分配，可讓各動力單元能在最佳的效率或最低污染範圍內運轉與工作，使整體車輛符合低油耗與低污染的最終目的。 | 潛力預估: 車輛製造

@ 技術司可移轉技術資料集

逆向差速齒輪式混合動力裝置之控制方法(國立屏東科技大學車輛工程系)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術利用一電子控制單元依據一內燃機引擎預先設定之目標操作點控制該內燃機引擎之節氣閥一馬達/發電機之輸出轉矩，使內燃機引擎能夠固定作動於低油耗之目標操作點，進而使逆向差速齒輪產生一固定轉矩輸出值，並將... | 潛力預估: 車輛製造

@ 技術司可移轉技術資料集

逆向差速齒輪式混合動力裝置控制模組之模擬測試方法(國立屏東科技大學車輛工程系)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術利用一中央處理單元、一能量管理裝置、一通訊裝置及一車輛動態模擬裝置模擬一車輛之各個動力裝置在實際運轉情況下之動態操作特性。 | 潛力預估: 車輛製造

@ 技術司可移轉技術資料集

汽車之輪具驅動系統(國立屏東科技大學車輛工程系)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術主要包括汽車之複數輪具以及驅動該複數輪具之驅動系統，該驅動系統係包括一個由控制單元所控制之複數驅動單元，且該複數驅動單元係分別獨立對應各個輪具，且各個驅動單元係設於汽車底盤之上，並以一連動機構與... | 潛力預估: 車輛製造

@ 技術司可移轉技術資料集

大客車車身鋁合金結構之銲接方法與流程(國立屏東科技大學車輛工程系)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.車身結構之銲接參數設定。2.車身結構之銲接程序。3.車身結構之銲接品質檢驗。 | 潛力預估: 車輛製造

@ 技術司可移轉技術資料集

輕金屬結構件之高熔深、低變形銲接技術(國立屏東科技大學材料工程系)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.提高銲道熔深。2.降低熱影響區。3.降低銲接變形。4.節省銲接前工程時間（接頭開槽）。5.節省銲接後處理時間（變形矯正）。6.減少多道施銲次數。7.降低材料成份變化敏感性。 | 潛力預估: 車輛製造

@ 技術司可移轉技術資料集

逆向差速齒輪式車輛複合動力系統(國立屏東科技大學車輛工程系)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 利用差速齒輪做為動力分配機構與系統電子控制單元，讓不同動力源能根據不同的行車狀態來作動力的結合與分配，並讓各動力模組能在最佳的效率或最低污染範圍內運轉與工作，使整體車輛符合低油耗與低污染的最終目的。 | 潛力預估: 車輛製造

@ 技術司可移轉技術資料集

逆向差速齒輪式混合動力管理系統(國立屏東科技大學車輛工程系)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 此動力整合與分配，可讓各動力單元能在最佳的效率或最低污染範圍內運轉與工作，使整體車輛符合低油耗與低污染的最終目的。 | 潛力預估: 車輛製造

@ 技術司可移轉技術資料集

逆向差速齒輪式混合動力裝置之控制方法(國立屏東科技大學車輛工程系)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術利用一電子控制單元依據一內燃機引擎預先設定之目標操作點控制該內燃機引擎之節氣閥一馬達/發電機之輸出轉矩，使內燃機引擎能夠固定作動於低油耗之目標操作點，進而使逆向差速齒輪產生一固定轉矩輸出值，並將... | 潛力預估: 車輛製造

@ 技術司可移轉技術資料集

逆向差速齒輪式混合動力裝置控制模組之模擬測試方法(國立屏東科技大學車輛工程系)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術利用一中央處理單元、一能量管理裝置、一通訊裝置及一車輛動態模擬裝置模擬一車輛之各個動力裝置在實際運轉情況下之動態操作特性。 | 潛力預估: 車輛製造

@ 技術司可移轉技術資料集

汽車之輪具驅動系統(國立屏東科技大學車輛工程系)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術主要包括汽車之複數輪具以及驅動該複數輪具之驅動系統，該驅動系統係包括一個由控制單元所控制之複數驅動單元，且該複數驅動單元係分別獨立對應各個輪具，且各個驅動單元係設於汽車底盤之上，並以一連動機構與... | 潛力預估: 車輛製造

@ 技術司可移轉技術資料集

大客車車身鋁合金結構之銲接方法與流程(國立屏東科技大學車輛工程系)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.車身結構之銲接參數設定。2.車身結構之銲接程序。3.車身結構之銲接品質檢驗。 | 潛力預估: 車輛製造

@ 技術司可移轉技術資料集

輕金屬結構件之高熔深、低變形銲接技術(國立屏東科技大學材料工程系)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.提高銲道熔深。2.降低熱影響區。3.降低銲接變形。4.節省銲接前工程時間（接頭開槽）。5.節省銲接後處理時間（變形矯正）。6.減少多道施銲次數。7.降低材料成份變化敏感性。 | 潛力預估: 車輛製造

@ 技術司可移轉技術資料集

[ 搜尋所有 08 -7740174 ... ]

在『技術司可移轉技術資料集』資料集內搜尋:

與支撐架之結合構造及其連接件(國立屏東科技大學車輛工程系)同分類的技術司可移轉技術資料集

單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率 | 潛力預估: 針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

散熱模組熱阻快速量測系統

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 | 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法，本技術是現今唯一可於3~5分鐘內，精確量測出散熱模組熱性能之方法，並已申請專利。

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver ．850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) ．2.5Gbps資料傳輸能力．100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) ．150... | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用，2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術，也是市場的主流。據IEK的資料顯示，預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。

單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率 | 潛力預估: 針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

散熱模組熱阻快速量測系統

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 | 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法，本技術是現今唯一可於3~5分鐘內，精確量測出散熱模組熱性能之方法，並已申請專利。

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver ．850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) ．2.5Gbps資料傳輸能力．100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) ．150... | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用，2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術，也是市場的主流。據IEK的資料顯示，預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。

　|