| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場,極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_;2.2T1C畫素結構_x000D_;3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場,極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”;Pixel Size 90um x3x360um;Resolution VGA;Voltage Compensation_x000D_;LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場,極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳:與大部分DRAM製程相容。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳:與CMOS製程相容。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 穩定可量產 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率,降低生產成本 |