微晶矽電晶體陣列技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文微晶矽電晶體陣列技術的執行單位是工研院院本部, 產出年度是99, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 技術規格是非晶矽薄膜電體特性: - mobility ≧ 0.4 cm2V-1s-1 - Ion/Ioff ratio ≧ 107 @Vg = Vd =10V - S.S. ≦ 0.58 V/dec - 畫素設計:一開關TFT，一驅動TFT，一儲存電容, 潛力預估是使用既有之薄膜電晶體製程設備低溫製程.
| 序號 | 4233 |
| 產出年度 | 99 |
| 技術名稱-中文 | 微晶矽電晶體陣列技術 |
| 執行單位 | 工研院院本部 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 利用Polyimide塑膠基板並結合標準之薄膜電晶體製程設備，於200 ℃製作可用於軟性主動式顯示器之軟性非晶矽電晶體 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 非晶矽薄膜電體特性: - mobility ≧ 0.4 cm2V-1s-1 - Ion/Ioff ratio ≧ 107 @Vg = Vd =10V - S.S. ≦ 0.58 V/dec - 畫素設計:一開關TFT，一驅動TFT，一儲存電容 |
| 技術成熟度 | 雛形 |
| 可應用範圍 | 軟性主動式面板(電子紙) |
| 潛力預估 | 使用既有之薄膜電晶體製程設備低溫製程 |
| 聯絡人員 | 李中禕 |
| 電話 | 03-5914195 |
| 傳真 | 03-5913482 |
| 電子信箱 | leechungi@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.itri.org.tw |
| 所須軟硬體設備 | 與推廣負責人洽商 |
| 需具備之專業人才 | 電子相關領域 |
| 同步更新日期 | 2019-07-24 |
序號4233 |
產出年度99 |
技術名稱-中文微晶矽電晶體陣列技術 |
執行單位工研院院本部 |
產出單位(空) |
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文利用Polyimide塑膠基板並結合標準之薄膜電晶體製程設備，於200 ℃製作可用於軟性主動式顯示器之軟性非晶矽電晶體 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格非晶矽薄膜電體特性: - mobility ≧ 0.4 cm2V-1s-1 - Ion/Ioff ratio ≧ 107 @Vg = Vd =10V - S.S. ≦ 0.58 V/dec - 畫素設計:一開關TFT，一驅動TFT，一儲存電容 |
技術成熟度雛形 |
可應用範圍軟性主動式面板(電子紙) |
潛力預估使用既有之薄膜電晶體製程設備低溫製程 |
聯絡人員李中禕 |
電話03-5914195 |
傳真03-5913482 |
電子信箱leechungi@itri.org.tw |
參考網址http://www.itri.org.tw |
所須軟硬體設備與推廣負責人洽商 |
需具備之專業人才電子相關領域 |
同步更新日期2019-07-24 |
根據電話 03-5914195 找到的相關資料
(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5914195 ...) | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: (1)軟性基板材質︰PI；(2)規格︰厚度20~75μm，塗佈成形均勻性±3%，surface roughness≦20Å，基板翹曲量小於2mm@370mm*470mm*2.8mm玻璃載板... | 潛力預估: 2008年DisplaySearch預估電子書於2014年市場規模將達到878M美元，此外，在IMI 2005年國際會議上，由IT Strategy公司所公布資料，全球應用於大型佈告顯示產業超過1千億... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: (1)規格︰曲率半徑≦5cm；Ion/Ioff＞10(4次方)；Before Debounding Vth≦5V；Under Bending △Vth≦3.5V；Saturation Mobility... | 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT，且無需採購新設備，減少設備資本支出，在現有之設備能力內，可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現，降低跨入軟性顯示器之門檻。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰曲率半徑≦5cm Ion/Ioff＞104 Before Debounding Vth≦5V Under Bending △Vth≦3.5V Saturation Mobility≧0.15... | 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備，減少設備資本支出，在現有之設備能力內，可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現，降低跨入軟性顯示器之門檻。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰曲率半徑≦5cm Ion/Ioff＞104 Before Debounding Vth≦5V Under Bending △Vth≦3.5V Saturation Mobility≧0.5c... | 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備，減少設備資本支出，在現有之設備能力內，可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現，降低跨入軟性顯示器之門檻。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: TCO：ITO 膜厚：< 50nm 片電阻值：< 25Ω/□ 感測模組：投射式電容 光學穿透率：85%以上 b*：≦2 | 潛力預估: 隨著電子書應用市場的興起，2008年DisplaySearch預估電子書於2014年市場規模將達到878M美元，此外，在IMI 2005年國際會議上，由IT Strategy公司所公布資料，全球應用於... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 軟性基板材質：PI (2) 規格︰厚度15μm，塗佈成形均勻性±3%，surface roughness≦20?，基板翹曲量小於1.5mm@370mmx470mmx0.7mm玻璃載板，取下外觀... | 潛力預估: 2008年DisplaySearch預估電子書於2014年市場規模將達到878M美元。此外，在IMI 2005年國際會議上，由IT Strategy公司所公佈資料，全球應用於大型佈告顯示產業超過1千億... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰曲率半徑≦5cm，Ion/Ioff＞10E4，Before De-bonding Vth≦5V，Under Bending ΔVth≦3.5V，Saturation Mobility≧0.5... | 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備，減少設備資本支出，在現有之設備能力內，可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現，降低跨入軟性顯示器之門檻 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Size：6” 2. Thickness：< 30μm 3. Transparency：≧ 85% 4. CIE: (a*,b*) ＜ 5 5. Bending Test * Be... | 潛力預估: 為目前世界首創軟性觸控自發光顯示薄膜技術，此技術具有可大型化、輕量化及易貼合等優點。本技術可應用於高畫質彩色化捲軸式顯示器、曲面顯示器及軟性電子閱讀器等產品。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: (1)軟性基板材質︰PI；(2)規格︰厚度20~75μm，塗佈成形均勻性±3%，surface roughness≦20Å，基板翹曲量小於2mm@370mm*470mm*2.8mm玻璃載板... | 潛力預估: 2008年DisplaySearch預估電子書於2014年市場規模將達到878M美元，此外，在IMI 2005年國際會議上，由IT Strategy公司所公布資料，全球應用於大型佈告顯示產業超過1千億... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: (1)規格︰曲率半徑≦5cm；Ion/Ioff＞10(4次方)；Before Debounding Vth≦5V；Under Bending △Vth≦3.5V；Saturation Mobility... | 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT，且無需採購新設備，減少設備資本支出，在現有之設備能力內，可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現，降低跨入軟性顯示器之門檻。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰曲率半徑≦5cm Ion/Ioff＞104 Before Debounding Vth≦5V Under Bending △Vth≦3.5V Saturation Mobility≧0.15... | 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備，減少設備資本支出，在現有之設備能力內，可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現，降低跨入軟性顯示器之門檻。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰曲率半徑≦5cm Ion/Ioff＞104 Before Debounding Vth≦5V Under Bending △Vth≦3.5V Saturation Mobility≧0.5c... | 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備，減少設備資本支出，在現有之設備能力內，可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現，降低跨入軟性顯示器之門檻。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: TCO：ITO 膜厚：< 50nm 片電阻值：< 25Ω/□ 感測模組：投射式電容 光學穿透率：85%以上 b*：≦2 | 潛力預估: 隨著電子書應用市場的興起，2008年DisplaySearch預估電子書於2014年市場規模將達到878M美元，此外，在IMI 2005年國際會議上，由IT Strategy公司所公布資料，全球應用於... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 軟性基板材質：PI (2) 規格︰厚度15μm，塗佈成形均勻性±3%，surface roughness≦20?，基板翹曲量小於1.5mm@370mmx470mmx0.7mm玻璃載板，取下外觀... | 潛力預估: 2008年DisplaySearch預估電子書於2014年市場規模將達到878M美元。此外，在IMI 2005年國際會議上，由IT Strategy公司所公佈資料，全球應用於大型佈告顯示產業超過1千億... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰曲率半徑≦5cm，Ion/Ioff＞10E4，Before De-bonding Vth≦5V，Under Bending ΔVth≦3.5V，Saturation Mobility≧0.5... | 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備，減少設備資本支出，在現有之設備能力內，可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現，降低跨入軟性顯示器之門檻 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Size：6” 2. Thickness：< 30μm 3. Transparency：≧ 85% 4. CIE: (a*,b*) ＜ 5 5. Bending Test * Be... | 潛力預估: 為目前世界首創軟性觸控自發光顯示薄膜技術，此技術具有可大型化、輕量化及易貼合等優點。本技術可應用於高畫質彩色化捲軸式顯示器、曲面顯示器及軟性電子閱讀器等產品。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 組裝後之系統具備量測膜厚、反射率、穿透率、吸收度、螢光光譜、色度、光學係數等功能，並兼具可連續多點量測之自動化功能。主要元件有光源兩組、單光儀、CCD 陣列式光譜儀、自動化 X-Y 移動平台、數據處... | 潛力預估: 利用本技術所組裝之自動化多功能光學特性檢測設備，可應用于光電或薄膜特性檢測上，國內相關檢測設備之年產值預估可達 3000-5000 萬元以上。 |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 孔徑: 5~25nm‧ 孔洞體積: 1.5~0.4cm3/g‧ 表面積: >100m2/g‧ 改質氧化鋁: 可由FT-IR檢測出特徵吸收峰 | 潛力預估: 奈米孔隙粉體因其奈米級的孔徑特性，而應用於精密分析或分離程序上。已完成建立高純度精密純化吸附劑之改質實驗技術與檢測技術，可提昇產品的附加價值，使奈米孔徑粉體朝多樣化功能發展預計高純化學品相關技術將可創... |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 銅導線層厚度 | 潛力預估: 未來第六世代以上大面積或是可撓性Panel TFT的金屬層主要沉積技術 |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 史脫克位移 > 80nm； 螢光量子效率 =0.55； 溶解度>0.4% | 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術，可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte，並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權，主導Sub-terabyte級儲存規格方... |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控)； 純度 > 90% (未純化產物)； 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 組裝後之系統具備量測膜厚、反射率、穿透率、吸收度、螢光光譜、色度、光學係數等功能，並兼具可連續多點量測之自動化功能。主要元件有光源兩組、單光儀、CCD 陣列式光譜儀、自動化 X-Y 移動平台、數據處... | 潛力預估: 利用本技術所組裝之自動化多功能光學特性檢測設備，可應用于光電或薄膜特性檢測上，國內相關檢測設備之年產值預估可達 3000-5000 萬元以上。 |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 孔徑: 5~25nm‧ 孔洞體積: 1.5~0.4cm3/g‧ 表面積: >100m2/g‧ 改質氧化鋁: 可由FT-IR檢測出特徵吸收峰 | 潛力預估: 奈米孔隙粉體因其奈米級的孔徑特性，而應用於精密分析或分離程序上。已完成建立高純度精密純化吸附劑之改質實驗技術與檢測技術，可提昇產品的附加價值，使奈米孔徑粉體朝多樣化功能發展預計高純化學品相關技術將可創... |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 銅導線層厚度 | 潛力預估: 未來第六世代以上大面積或是可撓性Panel TFT的金屬層主要沉積技術 |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 史脫克位移 > 80nm； 螢光量子效率 =0.55； 溶解度>0.4% | 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術，可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte，並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權，主導Sub-terabyte級儲存規格方... |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控)； 純度 > 90% (未純化產物)； 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力 |
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