超音波的無線功率傳輸技術(臺灣大學)
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技術名稱-中文超音波的無線功率傳輸技術(臺灣大學)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是1. 傳輸介面:超音波探頭 2. 輸出功率:1mW 3. 最大輸出電壓:4.2V 4.預估負載: 21K 5.輸出電流:0.2mA, 潛力預估是使用超音波進行無線功率傳輸可以避免使用有線系統的較高感染機率以及更換電池所帶來的連續性手術之問題。使用超音波無線功率傳輸可以使植入式神經電刺激器更加便利以及安全。.

序號4259
產出年度99
技術名稱-中文超音波的無線功率傳輸技術(臺灣大學)
執行單位學界科專辦公室
產出單位(空)
計畫名稱學界科專計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用超音波傳輸能量給內部儀器之儲能單元,獲得之能量將提供給其他電路。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1. 傳輸介面:超音波探頭 2. 輸出功率:1mW 3. 最大輸出電壓:4.2V 4.預估負載: 21K 5.輸出電流:0.2mA
技術成熟度雛形
可應用範圍醫學研究,生醫領域的研究與應用。
潛力預估使用超音波進行無線功率傳輸可以避免使用有線系統的較高感染機率以及更換電池所帶來的連續性手術之問題。使用超音波無線功率傳輸可以使植入式神經電刺激器更加便利以及安全。
聯絡人員劉深淵教授
電話02-33663629
傳真02-23671909
電子信箱lsi@cc.ee.ntu.edu.tw
參考網址http://www.ee.ntu.edu.tw/profile?id=45
所須軟硬體設備超音波發射儀器。
需具備之專業人才醫生,各種醫療相關人員。
同步更新日期2024-09-03

序號

4259

產出年度

99

技術名稱-中文

超音波的無線功率傳輸技術(臺灣大學)

執行單位

學界科專辦公室

產出單位

(空)

計畫名稱

學界科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

利用超音波傳輸能量給內部儀器之儲能單元,獲得之能量將提供給其他電路。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1. 傳輸介面:超音波探頭 2. 輸出功率:1mW 3. 最大輸出電壓:4.2V 4.預估負載: 21K 5.輸出電流:0.2mA

技術成熟度

雛形

可應用範圍

醫學研究,生醫領域的研究與應用。

潛力預估

使用超音波進行無線功率傳輸可以避免使用有線系統的較高感染機率以及更換電池所帶來的連續性手術之問題。使用超音波無線功率傳輸可以使植入式神經電刺激器更加便利以及安全。

聯絡人員

劉深淵教授

電話

02-33663629

傳真

02-23671909

電子信箱

lsi@cc.ee.ntu.edu.tw

參考網址

http://www.ee.ntu.edu.tw/profile?id=45

所須軟硬體設備

超音波發射儀器。

需具備之專業人才

醫生,各種醫療相關人員。

同步更新日期

2024-09-03

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執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 使用ASK與FSK編碼之超音波訊號進行資料傳輸。電刺激可調變頻率為60Hz-300Hz,電刺激可調變大小為0.01mA-1mA | 潛力預估: 傳統的植入式神經電刺激器必須依靠有線裝置作傳輸,植入式元件的能量也需要使用電源線功率傳輸的方式作提供,有線系統將提高感染的機率以及更換電池所帶來的連續性手術之問題,因此,神經電刺激徹底無線化將成為未來...

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執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.傳輸介面: 超音波探頭 2.調變方式: ASK/FSK與新規格訂定 3.資料率: 25Kbps 4.位元錯誤率: 10ppm | 潛力預估: 使用超音波進行無線功率傳輸可以避免使用有線系統的較高感染機率以及更換電池所帶來的連續性手術之問題。使用超音波無線功率傳輸可以使植入式神經電刺激器更加便利以及安全。

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執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 使用ASK與FSK編碼之超音波訊號進行資料傳輸。電刺激可調變頻率為60Hz-300Hz,電刺激可調變大小為0.01mA-1mA | 潛力預估: 傳統的植入式神經電刺激器必須依靠有線裝置作傳輸,植入式元件的能量也需要使用電源線功率傳輸的方式作提供,有線系統將提高感染的機率以及更換電池所帶來的連續性手術之問題,因此,神經電刺激徹底無線化將成為未來...

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執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.傳輸介面: 超音波探頭 2.調變方式: ASK/FSK與新規格訂定 3.資料率: 25Kbps 4.位元錯誤率: 10ppm | 潛力預估: 使用超音波進行無線功率傳輸可以避免使用有線系統的較高感染機率以及更換電池所帶來的連續性手術之問題。使用超音波無線功率傳輸可以使植入式神經電刺激器更加便利以及安全。

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20" 奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度<±15% | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分,現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...

CNT-BLU技術商品化規格驗證

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執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage<10V、軟性塑膠基板 | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質,預期有互補性且製程相通,開發完成後,可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...

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電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: none | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LT...

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輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。

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執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用

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OTFT device development

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OTFT OLED development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage<10V、軟性塑膠基板 | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質,預期有互補性且製程相通,開發完成後,可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...

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電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

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執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

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