技術名稱-中文Adhesive Bonding微凸塊組裝技術的執行單位是工研院電光所, 產出年度是101, 計畫名稱是3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫, 技術規格是1.晶片厚度: 100um 2.細間隙填膠: 間隙, 潛力預估是2012年隨著4G通訊技術的應用，手機裡TSV技術應用於邏輯和記憶體的整合將會起飛，至2015年邏輯和記憶體整合(Logic+Memory)的應用佔3D IC總產值近50%，為3D IC最主要應用市場。在Stacked DRAM應用部分，預估至2015年佔3D IC總產值約5%左右。在Stacked....
| 序號 | 5735 |
| 產出年度 | 101 |
| 技術名稱-中文 | Adhesive Bonding微凸塊組裝技術 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 微凸塊技術為3D IC晶片接合組裝關鍵技術，接合後之微接點將直接成為堆疊晶片間電訊互連之媒介。然而目前採用熱壓合組裝之產率不佳，國內外大廠均在尋找有效的解決方案。本計畫結合熱壓合與預置晶圓級底膠材料強化組裝Throughput，可提昇3DIC製程良率與可靠性。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 1.晶片厚度: 100um 2.細間隙填膠: 間隙<20um 3.TSV直徑:15um |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 1.邏輯和記憶體整合(Logic+Memory)的應用 2.Stacked DRAM應用 3.Stacked NAND Flash應用 |
| 潛力預估 | 2012年隨著4G通訊技術的應用，手機裡TSV技術應用於邏輯和記憶體的整合將會起飛，至2015年邏輯和記憶體整合(Logic+Memory)的應用佔3D IC總產值近50%，為3D IC最主要應用市場。在Stacked DRAM應用部分，預估至2015年佔3D IC總產值約5%左右。在Stacked NAND Flash應用部分，預估至2015年佔3D IC總產值約5%左右。 |
| 聯絡人員 | 溫國城 |
| 電話 | 03-5915654 |
| 傳真 | 03-5917193 |
| 電子信箱 | kcwen@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://none |
| 所須軟硬體設備 | 高對位精度接合設備 |
| 需具備之專業人才 | 電機、電子、材料 |
序號5735 |
產出年度101 |
技術名稱-中文Adhesive Bonding微凸塊組裝技術 |
執行單位工研院電光所 |
產出單位(空) |
計畫名稱3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文微凸塊技術為3D IC晶片接合組裝關鍵技術，接合後之微接點將直接成為堆疊晶片間電訊互連之媒介。然而目前採用熱壓合組裝之產率不佳，國內外大廠均在尋找有效的解決方案。本計畫結合熱壓合與預置晶圓級底膠材料強化組裝Throughput，可提昇3DIC製程良率與可靠性。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格1.晶片厚度: 100um 2.細間隙填膠: 間隙<20um 3.TSV直徑:15um |
技術成熟度雛型 |
可應用範圍1.邏輯和記憶體整合(Logic+Memory)的應用 2.Stacked DRAM應用 3.Stacked NAND Flash應用 |
潛力預估2012年隨著4G通訊技術的應用，手機裡TSV技術應用於邏輯和記憶體的整合將會起飛，至2015年邏輯和記憶體整合(Logic+Memory)的應用佔3D IC總產值近50%，為3D IC最主要應用市場。在Stacked DRAM應用部分，預估至2015年佔3D IC總產值約5%左右。在Stacked NAND Flash應用部分，預估至2015年佔3D IC總產值約5%左右。 |
聯絡人員溫國城 |
電話03-5915654 |
傳真03-5917193 |
電子信箱kcwen@itri.org.tw |
參考網址http://none |
所須軟硬體設備高對位精度接合設備 |
需具備之專業人才電機、電子、材料 |
| 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 1.4-layer Stack 2. 晶片厚度: | 潛力預估: 2012年隨著4G通訊技術的應用，手機裡TSV技術應用於邏輯和記憶體的整合將會起飛，至2015年邏輯和記憶體整合(Logic+Memory)的應用佔3D IC總產值近50%，為3D IC最主要應用市場... @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 1.4-layer Stack 2. 晶片厚度: | 潛力預估: 2012年隨著4G通訊技術的應用，手機裡TSV技術應用於邏輯和記憶體的整合將會起飛，至2015年邏輯和記憶體整合(Logic+Memory)的應用佔3D IC總產值近50%，為3D IC最主要應用市場... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 1.4-layer Stack 2. 晶片厚度: | 潛力預估: 2012年隨著4G通訊技術的應用，手機裡TSV技術應用於邏輯和記憶體的整合將會起飛，至2015年邏輯和記憶體整合(Logic+Memory)的應用佔3D IC總產值近50%，為3D IC最主要應用市場... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 1.4-layer Stack 2. 晶片厚度: | 潛力預估: 2012年隨著4G通訊技術的應用，手機裡TSV技術應用於邏輯和記憶體的整合將會起飛，至2015年邏輯和記憶體整合(Logic+Memory)的應用佔3D IC總產值近50%，為3D IC最主要應用市場... @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I534973 | 專利期間起: 105/09/07 | 專利期間訖: 122/03/19 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳尚駿 | 林哲歆 | 顧子琨 @ 技術司專利資料集 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_；一步成型式導通孔技術 | 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展，除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小， 提升電子產品縮小化的效率外，更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中，而以最有效益的方式，達到System in Packa... @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應... @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_；Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_；UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... | 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線，銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗，尤其當線寬愈來愈窄的時候，其對高頻的影響愈來愈大，被視為下一代高速積體電路的明星製程，然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術，而國內... @ 技術司可移轉技術資料集 |
核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL201210282372.9 | 專利期間起: 105/02/09 | 專利期間訖: 122/09/22 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 許詔開 | 陳裕華 | 駱韋仲 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I534973 | 專利期間起: 105/09/07 | 專利期間訖: 122/03/19 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳尚駿 | 林哲歆 | 顧子琨 @ 技術司專利資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_；一步成型式導通孔技術 | 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展，除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小， 提升電子產品縮小化的效率外，更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中，而以最有效益的方式，達到System in Packa... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_；Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_；UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... | 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線，銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗，尤其當線寬愈來愈窄的時候，其對高頻的影響愈來愈大，被視為下一代高速積體電路的明星製程，然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術，而國內... @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA（320×240）、CIF（352×288）、VGA（640×480）、XVGA（1024×768）與1.3百萬（1280×1024）等格式，像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年，全球產量達237Mpcs。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE（Packet PC）或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制，以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能，創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I... |
| 執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像，可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 | 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 | 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組，預估其生產成本的降低後，可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台，創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會，亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯... |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米；厚度可達500微米；平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率：5GHz~6GHz，頻寬：100MHz~150MHz，插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路，通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上，現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸精密度2％。 | 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元，並創造產值約5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)* 70mm(l) | 潛力預估: 藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術，可創造年產值新台幣1.5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 釹鐵硼合金熔配公至批量50公斤量，銅模速冷至批量10公斤，粉化粒度至次微米 | 潛力預估: 目前因釹元素主要產在中國大陸，價格競優勢弱，磁材具有逾百億市場只要在技術與品質能領先則潛力甚大 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結，結合強度大於10000psi。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA（320×240）、CIF（352×288）、VGA（640×480）、XVGA（1024×768）與1.3百萬（1280×1024）等格式，像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年，全球產量達237Mpcs。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE（Packet PC）或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制，以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能，創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I... |
執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像，可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 | 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 | 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組，預估其生產成本的降低後，可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台，創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會，亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯... |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米；厚度可達500微米；平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場，極具市場潛力 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率：5GHz~6GHz，頻寬：100MHz~150MHz，插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路，通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上，現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸精密度2％。 | 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元，並創造產值約5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)* 70mm(l) | 潛力預估: 藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術，可創造年產值新台幣1.5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 釹鐵硼合金熔配公至批量50公斤量，銅模速冷至批量10公斤，粉化粒度至次微米 | 潛力預估: 目前因釹元素主要產在中國大陸，價格競優勢弱，磁材具有逾百億市場只要在技術與品質能領先則潛力甚大 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結，結合強度大於10000psi。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。 |
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