載道聚合射頻收發機系統
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文載道聚合射頻收發機系統的執行單位是工研院資通所, 產出年度是102, 計畫名稱是新世代行動通訊技術發展計畫, 技術規格是Carrier aggregation 升頻器與降頻器,可支援carrier aggregation功能,高整合實現射頻前端與收發機之間的切換,技術規格:頻率範圍:1900~2600MHz,Conversion gain >5dB,Input P1dB>-15dBm, 潛力預估是第4代行動通訊的射頻系統的基礎智權.
序號 | 6297 |
產出年度 | 102 |
技術名稱-中文 | 載道聚合射頻收發機系統 |
執行單位 | 工研院資通所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 新世代行動通訊技術發展計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 利用可切換之射頻混波器,成功實現carrier aggregation之功能 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | Carrier aggregation 升頻器與降頻器,可支援carrier aggregation功能,高整合實現射頻前端與收發機之間的切換,技術規格:頻率範圍:1900~2600MHz,Conversion gain >5dB,Input P1dB>-15dBm |
技術成熟度 | 概念 |
可應用範圍 | 4G手機射頻晶片 |
潛力預估 | 第4代行動通訊的射頻系統的基礎智權 |
聯絡人員 | 陳張駿 |
電話 | 03-5914440 |
傳真 | 03-5820240 |
電子信箱 | c.c.chen@itri.org.tw |
參考網址 | http://- |
所須軟硬體設備 | IC design house |
需具備之專業人才 | 具射頻晶片研發經驗 |
同步更新日期 | 2023-07-22 |
序號6297 |
產出年度102 |
技術名稱-中文載道聚合射頻收發機系統 |
執行單位工研院資通所 |
產出單位(空) |
計畫名稱新世代行動通訊技術發展計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文利用可切換之射頻混波器,成功實現carrier aggregation之功能 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格Carrier aggregation 升頻器與降頻器,可支援carrier aggregation功能,高整合實現射頻前端與收發機之間的切換,技術規格:頻率範圍:1900~2600MHz,Conversion gain >5dB,Input P1dB>-15dBm |
技術成熟度概念 |
可應用範圍4G手機射頻晶片 |
潛力預估第4代行動通訊的射頻系統的基礎智權 |
聯絡人員陳張駿 |
電話03-5914440 |
傳真03-5820240 |
電子信箱c.c.chen@itri.org.tw |
參考網址http://- |
所須軟硬體設備IC design house |
需具備之專業人才具射頻晶片研發經驗 |
同步更新日期2023-07-22 |
序號 | 5748 |
產出年度 | 101 |
技術名稱-中文 | 載道聚合射頻收發機系統 |
執行單位 | 工研院資通所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 新世代行動通訊技術發展計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 為實現第四代行動通訊中載道聚合的技術,本技術提出一種射頻收發機的架構,利用數個混波器所組成之切換電路,同時達成carrier aggregation功能和訊號混頻處理。具有可共用射頻前端元件、高晶片整合度以及在最小變動下可與現有射頻架構進行整合等優勢。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | Carrier aggregation 升頻器與降頻器,可支援carrier aggregation功能,高整合實現射頻前端與收發機之間的切換,技術規格:頻率範圍:1900~2600MHz,Conversion gain >5dB,Input P1dB>-15dBm |
技術成熟度 | 概念 |
可應用範圍 | 4G手機射頻晶片 |
潛力預估 | 具有可共用射頻前端元件、高晶片整合度以及在最小變動下可與現有射頻架構進行整合等優勢 |
聯絡人員 | 陳張駿 |
電話 | 03-5914440 |
傳真 | 03-5820240 |
電子信箱 | c.c.chen@itri.org.tw |
參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/ |
所須軟硬體設備 | IC design house |
需具備之專業人才 | 具射頻晶片研發經驗 |
序號: 5748 |
產出年度: 101 |
技術名稱-中文: 載道聚合射頻收發機系統 |
執行單位: 工研院資通所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 新世代行動通訊技術發展計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 為實現第四代行動通訊中載道聚合的技術,本技術提出一種射頻收發機的架構,利用數個混波器所組成之切換電路,同時達成carrier aggregation功能和訊號混頻處理。具有可共用射頻前端元件、高晶片整合度以及在最小變動下可與現有射頻架構進行整合等優勢。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: Carrier aggregation 升頻器與降頻器,可支援carrier aggregation功能,高整合實現射頻前端與收發機之間的切換,技術規格:頻率範圍:1900~2600MHz,Conversion gain >5dB,Input P1dB>-15dBm |
技術成熟度: 概念 |
可應用範圍: 4G手機射頻晶片 |
潛力預估: 具有可共用射頻前端元件、高晶片整合度以及在最小變動下可與現有射頻架構進行整合等優勢 |
聯絡人員: 陳張駿 |
電話: 03-5914440 |
傳真: 03-5820240 |
電子信箱: c.c.chen@itri.org.tw |
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/ |
所須軟硬體設備: IC design house |
需具備之專業人才: 具射頻晶片研發經驗 |
[ 搜尋所有
載道聚合射頻收發機系統 ... ]
根據電話 03-5914440 找到的相關資料
(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5914440 ...)序號 | 8276 |
產出年度 | 105 |
技術名稱-中文 | 雷射誘發3D天線設計與製程技術 |
執行單位 | 工研院資通所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 雙模無線接取網路技術發展計畫 |
領域 | 智慧科技 |
已申請專利之國家 | 先期關鍵多國專利佈局(TW/CN/US/JP)。 |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 1.雷射誘發3D天線設計與製程技術為世界首創之技術,具有積層製造、不受基板限制、可3D 曲面設計等優點。 2.先期關鍵多國專利佈局(TW/CN/US/JP)。 3.雷射誘發3D天線設計與製程技術 以創新「奈米觸發膠材」的塗佈,輔以雷射圖案化及金屬沉積,可在不規則曲面的材質上製作多層金屬線路,其直接的應用即是在通訊裝置機殼上製作「積層式3D 天線」。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 1.雷射誘發3D天線設計與製程技術藉由天線多層化,可有效縮小天線面積,解決未來手機天線可用空間不足的瓶頸,同時還能將傳統電感、電容元件以等效電路整合設計於3D 電路上,提高天線產品的性能。2.最小可製作線寬0.03 mm。 |
技術成熟度 | 實驗室階段 |
可應用範圍 | 為目前智慧終端B4G MIMO多天線系統,甚至未來5G系統的整合應用提供了重要的天線與製程技術解決方案。 |
潛力預估 | 本技術符合未來B4G/5G無線通訊裝置多天線設計與製造實現需求,並且技術具有顯著進步性與市場競爭優勢,屬高潛力之基礎技術。 |
聯絡人員 | 陳張駿 |
電話 | 03-5914440 |
傳真 | 03-5820240 |
電子信箱 | c.c.chen@itri.org.tw |
參考網址 | - |
所須軟硬體設備 | 網路分析儀;電磁分析軟體;天線量測無反射室;雷射設備;噴塗設備; 化鍍設備。 |
需具備之專業人才 | 基礎天線設計與製程能力。 |
序號: 8276 |
產出年度: 105 |
技術名稱-中文: 雷射誘發3D天線設計與製程技術 |
執行單位: 工研院資通所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 雙模無線接取網路技術發展計畫 |
領域: 智慧科技 |
已申請專利之國家: 先期關鍵多國專利佈局(TW/CN/US/JP)。 |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 1.雷射誘發3D天線設計與製程技術為世界首創之技術,具有積層製造、不受基板限制、可3D 曲面設計等優點。 2.先期關鍵多國專利佈局(TW/CN/US/JP)。 3.雷射誘發3D天線設計與製程技術 以創新「奈米觸發膠材」的塗佈,輔以雷射圖案化及金屬沉積,可在不規則曲面的材質上製作多層金屬線路,其直接的應用即是在通訊裝置機殼上製作「積層式3D 天線」。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 1.雷射誘發3D天線設計與製程技術藉由天線多層化,可有效縮小天線面積,解決未來手機天線可用空間不足的瓶頸,同時還能將傳統電感、電容元件以等效電路整合設計於3D 電路上,提高天線產品的性能。2.最小可製作線寬0.03 mm。 |
技術成熟度: 實驗室階段 |
可應用範圍: 為目前智慧終端B4G MIMO多天線系統,甚至未來5G系統的整合應用提供了重要的天線與製程技術解決方案。 |
潛力預估: 本技術符合未來B4G/5G無線通訊裝置多天線設計與製造實現需求,並且技術具有顯著進步性與市場競爭優勢,屬高潛力之基礎技術。 |
聯絡人員: 陳張駿 |
電話: 03-5914440 |
傳真: 03-5820240 |
電子信箱: c.c.chen@itri.org.tw |
參考網址: - |
所須軟硬體設備: 網路分析儀;電磁分析軟體;天線量測無反射室;雷射設備;噴塗設備; 化鍍設備。 |
需具備之專業人才: 基礎天線設計與製程能力。 |
序號 | 1607 |
產出年度 | 95 |
技術名稱-中文 | 多模整合式車用天線 |
執行單位 | 工研院資通所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 未來車用電子系統會有越來越多與通訊相關需求,如手機、調頻調幅、智慧行車系統(ITS)、數位電視等。如果沒有妥善設計只能成為個別安置,容易造成安裝及外觀上的不佳。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 無 |
技術成熟度 | 實驗室階段 |
可應用範圍 | 車用天線、多頻帶無線通訊產品。 |
潛力預估 | 無 |
聯絡人員 | 陳張駿 |
電話 | 03-5914440 |
傳真 | 03-5820240 |
電子信箱 | C.C.Chen@itri.org.tw |
參考網址 | 無 |
所須軟硬體設備 | 無 |
需具備之專業人才 | 車用天線生產製造能力 |
序號: 1607 |
產出年度: 95 |
技術名稱-中文: 多模整合式車用天線 |
執行單位: 工研院資通所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 未來車用電子系統會有越來越多與通訊相關需求,如手機、調頻調幅、智慧行車系統(ITS)、數位電視等。如果沒有妥善設計只能成為個別安置,容易造成安裝及外觀上的不佳。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 無 |
技術成熟度: 實驗室階段 |
可應用範圍: 車用天線、多頻帶無線通訊產品。 |
潛力預估: 無 |
聯絡人員: 陳張駿 |
電話: 03-5914440 |
傳真: 03-5820240 |
電子信箱: C.C.Chen@itri.org.tw |
參考網址: 無 |
所須軟硬體設備: 無 |
需具備之專業人才: 車用天線生產製造能力 |
序號 | 1608 |
產出年度 | 95 |
技術名稱-中文 | 超寬頻天線 (UWB Antenna) |
執行單位 | 工研院資通所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 美國FCC也通過利用超寬頻天線達成大量資訊傳遞許可。IEEE組織在2003年將802.15標準制訂,在評估之後由原有23個提案縮減為兩個提案。現有天線設計多為大型金屬製作或利用精密陶瓷天線。UWB可傳輸大量影音資料,可為未來家電及通訊產品的新配備,小型化為一重點技術。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 無 |
技術成熟度 | 實驗室階段 |
可應用範圍 | 無線通訊產品 |
潛力預估 | 無 |
聯絡人員 | 陳張駿 |
電話 | 03-5914440 |
傳真 | 03-5820240 |
電子信箱 | C.C.Chen@itri.org.tw |
參考網址 | 無 |
所須軟硬體設備 | 網路分析儀(< 6GHz);電磁分析軟體;天線量測無反射室。 |
需具備之專業人才 | 天線設計產出能力;系統設計 |
序號: 1608 |
產出年度: 95 |
技術名稱-中文: 超寬頻天線 (UWB Antenna) |
執行單位: 工研院資通所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 美國FCC也通過利用超寬頻天線達成大量資訊傳遞許可。IEEE組織在2003年將802.15標準制訂,在評估之後由原有23個提案縮減為兩個提案。現有天線設計多為大型金屬製作或利用精密陶瓷天線。UWB可傳輸大量影音資料,可為未來家電及通訊產品的新配備,小型化為一重點技術。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 無 |
技術成熟度: 實驗室階段 |
可應用範圍: 無線通訊產品 |
潛力預估: 無 |
聯絡人員: 陳張駿 |
電話: 03-5914440 |
傳真: 03-5820240 |
電子信箱: C.C.Chen@itri.org.tw |
參考網址: 無 |
所須軟硬體設備: 網路分析儀(< 6GHz);電磁分析軟體;天線量測無反射室。 |
需具備之專業人才: 天線設計產出能力;系統設計 |
序號 | 1609 |
產出年度 | 95 |
技術名稱-中文 | 與封裝製程整合之WiMAX/WiFi雙頻天線技術 |
執行單位 | 工研院資通所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 通訊產業迅速發展,市場需求量越來越大,但是對產品尺寸的要求卻是越小越好,產品的輕巧與否決定了其在市場上的競爭力。在無線通訊產品中,天線的大小對整體的尺寸有決定性的影響。以往,天線的設計常以外露式單極天線或螺旋天線為主,在機體外另增加了不少的體積,目前雖有隱藏式天線,但這種隱藏式的設計仍需空出天線置放的空間,並配合不同的天線外型,就需要重新設計機殼,非常不符合經濟效益。本技術以創新突破的想法,掌握天線與射頻電路整合關鍵技術,率先提出「完整RF 系統單封裝之天線整合技術」。完成Antenna in Package 技術,利用封裝製程中常用的散熱金屬片,設計出同時具散熱與天線功能輻射裝置,使射頻系統面積減少高達50%;本技術利用天線金屬接地,設計具有近場隔離功能的EMC 天線,使天線特性不受其餘電路影響而更能順利整合於各類產品;整合於封裝製程之低姿勢寬頻與多頻帶天線設計,使本創新技術可有更廣泛的應用,並使完整RF 系統單封裝更具市場競爭力。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 天線尺寸:11 mm × 11 mm;操作頻帶:2400 ~ 2484MHz and 3300 ~3600MHz;天線電壓駐波比規範:< 2.5。 |
技術成熟度 | 概念 |
可應用範圍 | 此技術適用於系統廠之無線通訊射頻電路模組與天線元件之應用,可搭配封裝廠將射頻電路與天線整合成單一晶片,應用於WiFi、WiMAX、GPS、GPRS等射頻前端模組與USB Dongle Device, Mobile Device, Notebook等設備裝置內。 |
潛力預估 | 無 |
聯絡人員 | 陳張駿 |
電話 | 03-5914440 |
傳真 | 03-5820240 |
電子信箱 | C.C.Chen@itri.org.tw |
參考網址 | 無 |
所須軟硬體設備 | 網路分析儀(< 6GHz);電磁分析軟體;天線量測無反射室。 |
需具備之專業人才 | 天線設計及相關軟、硬體之操作。 |
序號: 1609 |
產出年度: 95 |
技術名稱-中文: 與封裝製程整合之WiMAX/WiFi雙頻天線技術 |
執行單位: 工研院資通所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 通訊產業迅速發展,市場需求量越來越大,但是對產品尺寸的要求卻是越小越好,產品的輕巧與否決定了其在市場上的競爭力。在無線通訊產品中,天線的大小對整體的尺寸有決定性的影響。以往,天線的設計常以外露式單極天線或螺旋天線為主,在機體外另增加了不少的體積,目前雖有隱藏式天線,但這種隱藏式的設計仍需空出天線置放的空間,並配合不同的天線外型,就需要重新設計機殼,非常不符合經濟效益。本技術以創新突破的想法,掌握天線與射頻電路整合關鍵技術,率先提出「完整RF 系統單封裝之天線整合技術」。完成Antenna in Package 技術,利用封裝製程中常用的散熱金屬片,設計出同時具散熱與天線功能輻射裝置,使射頻系統面積減少高達50%;本技術利用天線金屬接地,設計具有近場隔離功能的EMC 天線,使天線特性不受其餘電路影響而更能順利整合於各類產品;整合於封裝製程之低姿勢寬頻與多頻帶天線設計,使本創新技術可有更廣泛的應用,並使完整RF 系統單封裝更具市場競爭力。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 天線尺寸:11 mm × 11 mm;操作頻帶:2400 ~ 2484MHz and 3300 ~3600MHz;天線電壓駐波比規範:< 2.5。 |
技術成熟度: 概念 |
可應用範圍: 此技術適用於系統廠之無線通訊射頻電路模組與天線元件之應用,可搭配封裝廠將射頻電路與天線整合成單一晶片,應用於WiFi、WiMAX、GPS、GPRS等射頻前端模組與USB Dongle Device, Mobile Device, Notebook等設備裝置內。 |
潛力預估: 無 |
聯絡人員: 陳張駿 |
電話: 03-5914440 |
傳真: 03-5820240 |
電子信箱: C.C.Chen@itri.org.tw |
參考網址: 無 |
所須軟硬體設備: 網路分析儀(< 6GHz);電磁分析軟體;天線量測無反射室。 |
需具備之專業人才: 天線設計及相關軟、硬體之操作。 |
序號 | 1610 |
產出年度 | 95 |
技術名稱-中文 | 高增益天線罩 |
執行單位 | 工研院資通所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 在2002年,由G. Tayeb 等人所提出的「超穎材料小型高增益天線」,揭示了一種利用多層金屬網柵所完成之超穎材料天線罩設計,可以在14 GHz 操作頻帶下,大幅降低微帶天線的半功率束徑寬,因此具有極高之指向性增益。但對於操作於目前市場性較高之WiMAX或WLAN 系統而言,將需要相當之厚度,而使得它的實用性受到了限制。由於WiMAX 骨幹網路基地台的佈建,通常為長距離,點對點的方式構成,因此適用於此類型的長距離無線通訊用天線,必須以高指向性天線為主。高指向性天線有助於提昇等效等向性輻射功率,因此高增益天線將可以利用更低的功率,達成遠距離傳輸的目的,同時窄的輻射波束也可避免對鄰近區域造成干擾。本技術突破過去枷鎖,創新設計,利用更低的功率,達成遠距離傳輸的目的,同時也可避免對鄰近區域造成干擾。本技術利用超穎材料設計概念,設計一高增益天線罩。本天線罩可架設於微帶天線上方,同時與傳統之FR4微帶天線相較之下,可以提高天線增益達2.29 dB 。本天線罩與天線整合後,使用所量測之頻寬約為350 MHz。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 天線罩大小(與Patch天線整合) : 10波長× 1.5波長× 0.06波長;可增加之天線增益:> 2 dB;適用頻段: 2.4, 3.5, 5.2,或5.8 GHz,WiFi以及WiMAX頻段。 |
技術成熟度 | 實驗室階段 |
可應用範圍 | WiMAX or WLAN (2.4/5.2/5.8 GHz) base station. |
潛力預估 | 無 |
聯絡人員 | 陳張駿 |
電話 | 03-5914440 |
傳真 | 03-5820240 |
電子信箱 | C.C.Chen@itri.org.tw |
參考網址 | 無 |
所須軟硬體設備 | 網路分析儀(< 6GHz);電磁分析軟體;天線量測無反射室。 |
需具備之專業人才 | 天線設計及相關軟、硬體之操作。 |
序號: 1610 |
產出年度: 95 |
技術名稱-中文: 高增益天線罩 |
執行單位: 工研院資通所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 在2002年,由G. Tayeb 等人所提出的「超穎材料小型高增益天線」,揭示了一種利用多層金屬網柵所完成之超穎材料天線罩設計,可以在14 GHz 操作頻帶下,大幅降低微帶天線的半功率束徑寬,因此具有極高之指向性增益。但對於操作於目前市場性較高之WiMAX或WLAN 系統而言,將需要相當之厚度,而使得它的實用性受到了限制。由於WiMAX 骨幹網路基地台的佈建,通常為長距離,點對點的方式構成,因此適用於此類型的長距離無線通訊用天線,必須以高指向性天線為主。高指向性天線有助於提昇等效等向性輻射功率,因此高增益天線將可以利用更低的功率,達成遠距離傳輸的目的,同時窄的輻射波束也可避免對鄰近區域造成干擾。本技術突破過去枷鎖,創新設計,利用更低的功率,達成遠距離傳輸的目的,同時也可避免對鄰近區域造成干擾。本技術利用超穎材料設計概念,設計一高增益天線罩。本天線罩可架設於微帶天線上方,同時與傳統之FR4微帶天線相較之下,可以提高天線增益達2.29 dB 。本天線罩與天線整合後,使用所量測之頻寬約為350 MHz。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 天線罩大小(與Patch天線整合) : 10波長× 1.5波長× 0.06波長;可增加之天線增益:> 2 dB;適用頻段: 2.4, 3.5, 5.2,或5.8 GHz,WiFi以及WiMAX頻段。 |
技術成熟度: 實驗室階段 |
可應用範圍: WiMAX or WLAN (2.4/5.2/5.8 GHz) base station. |
潛力預估: 無 |
聯絡人員: 陳張駿 |
電話: 03-5914440 |
傳真: 03-5820240 |
電子信箱: C.C.Chen@itri.org.tw |
參考網址: 無 |
所須軟硬體設備: 網路分析儀(< 6GHz);電磁分析軟體;天線量測無反射室。 |
需具備之專業人才: 天線設計及相關軟、硬體之操作。 |
序號 | 1611 |
產出年度 | 95 |
技術名稱-中文 | WiMax/WiFi雙頻 filter bank module |
執行單位 | 工研院資通所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 現今一般的通訊標準以WiMax為例,由於各國規劃的應用頻段不相同,一般手持設備如需進行全球漫遊,就必須涵蓋各區域不同國家規劃頻譜。目前統計各國對WiMax頻譜規劃分為三個區段,分別為2.5-2.7G,3.3-3.6G與開放頻段5.1-5.4G。在TRX的設計上,目前已有多頻共用的IC提供商用,相對於TRX搭配的被動元件,最常使用為filter bank設計方式,使用SW切換聯通在路徑上的濾波器。本計劃針對此被動元件市場,開發應用LTCC技術,結合多頻Diplexer & SW完成功能相當的切換式濾波器模組,不但可縮小被動元件面積使用Diplexer設計方式更可以達成縮減損耗目標。此設計方向目前雖然針對2.4-2.5G WiFi 與3.3-3.6G WiMax頻段,但設計觀念可應用於各種頻段切換式系統。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 802.11b:_x000D_Return loss ( 2.4 GHz-2.5 GHz ) > -10 dB、 Attenuation ( 0.9 GHz-1.9 GHz ) > -20 dB_x000D_、 Attenuation ( 3.3 GHz ) > -20 dB_x000D_。WiMAX:_x000D_ Return loss ( 3.3 GHz-3.6 GHz ) > -10 dB、 Attenuation ( 0.9 GHz-2.5 GHz ) > -20 dB、 Attenuation ( 5.1 GHz) > -20 dB。 |
技術成熟度 | 實驗室階段 |
可應用範圍 | MLC模組產品 |
潛力預估 | 無 |
聯絡人員 | 陳張駿 |
電話 | 03-5914440 |
傳真 | 03-5820240 |
電子信箱 | C.C.Chen@itri.org.tw |
參考網址 | 無 |
所須軟硬體設備 | 多層電路生產線或MMIC SW 設計生產公司 |
需具備之專業人才 | 高頻被動電路電路設計概念、 InGaP/GaAs HBT MMIC設計能力。 |
序號: 1611 |
產出年度: 95 |
技術名稱-中文: WiMax/WiFi雙頻 filter bank module |
執行單位: 工研院資通所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 現今一般的通訊標準以WiMax為例,由於各國規劃的應用頻段不相同,一般手持設備如需進行全球漫遊,就必須涵蓋各區域不同國家規劃頻譜。目前統計各國對WiMax頻譜規劃分為三個區段,分別為2.5-2.7G,3.3-3.6G與開放頻段5.1-5.4G。在TRX的設計上,目前已有多頻共用的IC提供商用,相對於TRX搭配的被動元件,最常使用為filter bank設計方式,使用SW切換聯通在路徑上的濾波器。本計劃針對此被動元件市場,開發應用LTCC技術,結合多頻Diplexer & SW完成功能相當的切換式濾波器模組,不但可縮小被動元件面積使用Diplexer設計方式更可以達成縮減損耗目標。此設計方向目前雖然針對2.4-2.5G WiFi 與3.3-3.6G WiMax頻段,但設計觀念可應用於各種頻段切換式系統。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 802.11b:_x000D_Return loss ( 2.4 GHz-2.5 GHz ) > -10 dB、 Attenuation ( 0.9 GHz-1.9 GHz ) > -20 dB_x000D_、 Attenuation ( 3.3 GHz ) > -20 dB_x000D_。WiMAX:_x000D_ Return loss ( 3.3 GHz-3.6 GHz ) > -10 dB、 Attenuation ( 0.9 GHz-2.5 GHz ) > -20 dB、 Attenuation ( 5.1 GHz) > -20 dB。 |
技術成熟度: 實驗室階段 |
可應用範圍: MLC模組產品 |
潛力預估: 無 |
聯絡人員: 陳張駿 |
電話: 03-5914440 |
傳真: 03-5820240 |
電子信箱: C.C.Chen@itri.org.tw |
參考網址: 無 |
所須軟硬體設備: 多層電路生產線或MMIC SW 設計生產公司 |
需具備之專業人才: 高頻被動電路電路設計概念、 InGaP/GaAs HBT MMIC設計能力。 |
序號 | 1612 |
產出年度 | 95 |
技術名稱-中文 | 寬頻比例伸縮電感T模型 |
執行單位 | 工研院資通所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 傳統被動元件模型化技術是以 PI模型電路為主要核心電路,主要在於它的電路構造簡單,然而受限於核心電路的自然限制,PI模型電路只能推展至第一自我諧振頻率點附近,一般應用於被動元件其幾何尺寸,遠小於傳輸訊號的波長,使用PI模型的匹配電感,當檢視倍頻亦或三倍頻效應時,往往已超過其可正確描述的頻率範圍而產稱錯誤的結果。在無線及高速網路的應用上,為了掌握更精確的訊號高頻成分,如諧波與贅餘訊號準位以及暫態響應等,被動元件常被要求建立較為寬頻之等效電路模型。鑑於此,修正T模型理論可將被動元件模型的應用頻寬推展至線長1/2波長的高頻段,修正T模型的通用電路主要分為三大部分,第一部份為核心電路,主要為二串聯電感元件與一互感元件、所有接地電容效應的總和的接地電容元件以及線偶合電容總合的串聯電容,利用並聯回授網路以及接地回授網路更可將應用的頻段推升至PI模型的三倍至四倍的頻寬。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 電感資料庫:其應用頻寬可達自振頻率2倍之頻寬。可根據圈數進行比例伸縮。 |
技術成熟度 | 實驗室階段 |
可應用範圍 | 1. 半導體製造廠商提供高頻元件模型。2. LTCC模組代工廠商。 |
潛力預估 | 無 |
聯絡人員 | 陳張駿 |
電話 | 03-5914440 |
傳真 | 03-5820240 |
電子信箱 | C.C.Chen@itri.org.tw |
參考網址 | 無 |
所須軟硬體設備 | 製造高頻元件設備 |
需具備之專業人才 | 高頻電路設計概念;LTCC製成經驗 |
序號: 1612 |
產出年度: 95 |
技術名稱-中文: 寬頻比例伸縮電感T模型 |
執行單位: 工研院資通所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 傳統被動元件模型化技術是以 PI模型電路為主要核心電路,主要在於它的電路構造簡單,然而受限於核心電路的自然限制,PI模型電路只能推展至第一自我諧振頻率點附近,一般應用於被動元件其幾何尺寸,遠小於傳輸訊號的波長,使用PI模型的匹配電感,當檢視倍頻亦或三倍頻效應時,往往已超過其可正確描述的頻率範圍而產稱錯誤的結果。在無線及高速網路的應用上,為了掌握更精確的訊號高頻成分,如諧波與贅餘訊號準位以及暫態響應等,被動元件常被要求建立較為寬頻之等效電路模型。鑑於此,修正T模型理論可將被動元件模型的應用頻寬推展至線長1/2波長的高頻段,修正T模型的通用電路主要分為三大部分,第一部份為核心電路,主要為二串聯電感元件與一互感元件、所有接地電容效應的總和的接地電容元件以及線偶合電容總合的串聯電容,利用並聯回授網路以及接地回授網路更可將應用的頻段推升至PI模型的三倍至四倍的頻寬。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 電感資料庫:其應用頻寬可達自振頻率2倍之頻寬。可根據圈數進行比例伸縮。 |
技術成熟度: 實驗室階段 |
可應用範圍: 1. 半導體製造廠商提供高頻元件模型。2. LTCC模組代工廠商。 |
潛力預估: 無 |
聯絡人員: 陳張駿 |
電話: 03-5914440 |
傳真: 03-5820240 |
電子信箱: C.C.Chen@itri.org.tw |
參考網址: 無 |
所須軟硬體設備: 製造高頻元件設備 |
需具備之專業人才: 高頻電路設計概念;LTCC製成經驗 |
序號 | 2071 |
產出年度 | 96 |
技術名稱-中文 | Wi-Fi/WiMAX雙模功率放大器技術 |
執行單位 | 工研院資通所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 以往功率放大器都是單頻設計,在多重系統下,則需多個放大器。本技術以工研院既有之專利做延伸,使單一功率放大器,能在不同偏壓下,應用於多種通訊系統。並以Wi-Fi、WiMAX系統來做驗證。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | Wi-Fi:增益25dB,在3%EVM下,輸出功率22.2dBm。在輸出功率20dBm下,效率大於12%。Wimax:增益25dB,在2.8%EVM下,輸出功率30dBm。在輸出功率26dBm下,效率11.9% |
技術成熟度 | 實驗室階段 |
可應用範圍 | 無線通訊產品 |
潛力預估 | 單一元件,切換式,雙模操作;減少電路尺寸;相較於國外大廠RFMD與Skyworks,具有較好的線性度表現。 |
聯絡人員 | 陳張駿 |
電話 | 03-5914440 |
傳真 | 03-5820240 |
電子信箱 | C.C.Chen@itri.org.tw |
參考網址 | http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040 |
所須軟硬體設備 | 網路分析儀;電磁分析軟體;頻譜分析儀;阻抗調節器;電源供應器;電路模擬軟體ADS。 |
需具備之專業人才 | 高頻被動電路電路設計概念;RFIC設計能力。 |
序號: 2071 |
產出年度: 96 |
技術名稱-中文: Wi-Fi/WiMAX雙模功率放大器技術 |
執行單位: 工研院資通所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 以往功率放大器都是單頻設計,在多重系統下,則需多個放大器。本技術以工研院既有之專利做延伸,使單一功率放大器,能在不同偏壓下,應用於多種通訊系統。並以Wi-Fi、WiMAX系統來做驗證。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: Wi-Fi:增益25dB,在3%EVM下,輸出功率22.2dBm。在輸出功率20dBm下,效率大於12%。Wimax:增益25dB,在2.8%EVM下,輸出功率30dBm。在輸出功率26dBm下,效率11.9% |
技術成熟度: 實驗室階段 |
可應用範圍: 無線通訊產品 |
潛力預估: 單一元件,切換式,雙模操作;減少電路尺寸;相較於國外大廠RFMD與Skyworks,具有較好的線性度表現。 |
聯絡人員: 陳張駿 |
電話: 03-5914440 |
傳真: 03-5820240 |
電子信箱: C.C.Chen@itri.org.tw |
參考網址: http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040 |
所須軟硬體設備: 網路分析儀;電磁分析軟體;頻譜分析儀;阻抗調節器;電源供應器;電路模擬軟體ADS。 |
需具備之專業人才: 高頻被動電路電路設計概念;RFIC設計能力。 |
[ 搜尋所有
03-5914440 ... ]
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場,極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_;2.2T1C畫素結構_x000D_;3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場,極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”;Pixel Size 90um x3x360um;Resolution VGA;Voltage Compensation_x000D_;LTPS PMOS Proce | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場,極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳:與大部分DRAM製程相容。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳:與CMOS製程相容。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 穩定可量產 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率,降低生產成本 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場,極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_;2.2T1C畫素結構_x000D_;3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場,極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”;Pixel Size 90um x3x360um;Resolution VGA;Voltage Compensation_x000D_;LTPS PMOS Proce | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場,極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳:與大部分DRAM製程相容。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳:與CMOS製程相容。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 穩定可量產 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率,降低生產成本 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器 |
|