技術名稱-中文高整合性全數位五軸精密控制器的執行單位是工研院機械所, 產出年度是102, 計畫名稱是工研院中分院區域研發計畫-新世代智能工廠控制系統發展計畫, 技術規格是刀具中心點命令控制、前傾與側傾切削控制、傾斜面導引加工、工件設置誤差補正、泛用型旋轉軸機構誤差補償、全數位伺服控制, 潛力預估是建構五軸CNC控制器，可達成一次夾持多工序的控制機能，避免多次夾持的設置誤差及所造成加工時間浪費。全數位伺服控制技術將有助於提升控制精度及加工效率，將有效提升廠商的產品價值及市場競爭力，進而使國產控制器進化為高階智能化控制器。可廣泛應用於CNC工具機、產業機械或自動化設備上。.
| 序號 | 6425 |
| 產出年度 | 102 |
| 技術名稱-中文 | 高整合性全數位五軸精密控制器 |
| 執行單位 | 工研院機械所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院中分院區域研發計畫-新世代智能工廠控制系統發展計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 五軸精密控制器技術為一雙核心雙系統控制平台，具備6種傾斜平面的對話式導引加工模式、工件設置誤差補償及刀具中心點控制等五軸控制功能，同時提供客製化人機介面，可讓使用者快速建構具製程Know-how特色的操作介面。除此之外，提供全數位伺服通訊控制技術可利用全數位伺服達到更高精度的控制標準。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 刀具中心點命令控制、前傾與側傾切削控制、傾斜面導引加工、工件設置誤差補正、泛用型旋轉軸機構誤差補償、全數位伺服控制 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | CNC工具機、自動化、產業機械 |
| 潛力預估 | 建構五軸CNC控制器，可達成一次夾持多工序的控制機能，避免多次夾持的設置誤差及所造成加工時間浪費。全數位伺服控制技術將有助於提升控制精度及加工效率，將有效提升廠商的產品價值及市場競爭力，進而使國產控制器進化為高階智能化控制器。可廣泛應用於CNC工具機、產業機械或自動化設備上。 |
| 聯絡人員 | 張萬坤 |
| 電話 | 04-23583993EXT692 |
| 傳真 | 04-23584061 |
| 電子信箱 | Wayne65@itri.org.tw |
| 參考網址 | 無 |
| 所須軟硬體設備 | 五軸CNC機台、高效能個人電腦、NI LabView、Microsoft Visual Studio |
| 需具備之專業人才 | 電控、機械、資工、數學背景 |
序號6425 |
產出年度102 |
技術名稱-中文高整合性全數位五軸精密控制器 |
執行單位工研院機械所 |
產出單位(空) |
計畫名稱工研院中分院區域研發計畫-新世代智能工廠控制系統發展計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文五軸精密控制器技術為一雙核心雙系統控制平台，具備6種傾斜平面的對話式導引加工模式、工件設置誤差補償及刀具中心點控制等五軸控制功能，同時提供客製化人機介面，可讓使用者快速建構具製程Know-how特色的操作介面。除此之外，提供全數位伺服通訊控制技術可利用全數位伺服達到更高精度的控制標準。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格刀具中心點命令控制、前傾與側傾切削控制、傾斜面導引加工、工件設置誤差補正、泛用型旋轉軸機構誤差補償、全數位伺服控制 |
技術成熟度試量產 |
可應用範圍CNC工具機、自動化、產業機械 |
潛力預估建構五軸CNC控制器，可達成一次夾持多工序的控制機能，避免多次夾持的設置誤差及所造成加工時間浪費。全數位伺服控制技術將有助於提升控制精度及加工效率，將有效提升廠商的產品價值及市場競爭力，進而使國產控制器進化為高階智能化控制器。可廣泛應用於CNC工具機、產業機械或自動化設備上。 |
聯絡人員張萬坤 |
電話04-23583993EXT692 |
傳真04-23584061 |
電子信箱Wayne65@itri.org.tw |
參考網址無 |
所須軟硬體設備五軸CNC機台、高效能個人電腦、NI LabView、Microsoft Visual Studio |
需具備之專業人才電控、機械、資工、數學背景 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵製造業製程高值化拔尖計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 支援三種構型五軸加工機、刀具中心點控制、傾斜面加工、虛擬軸進退刀、刀具姿態控制、旋轉軸機構誤差補償、工件設置誤差補償、五軸3D切削模擬、五軸3D線上防碰撞等五軸輪廓銑削控制機能。 | 潛力預估: 建構五軸CNC控制器，可達成一次夾持多工序的控制機能，避免多次夾持的設置誤差，及所造成加工時間浪費。全數位伺服控制技術將有助於提升控制精度及加工效率，將有效提升廠商的產品價值及市場競爭力，進而使國產控... @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院中分院區域研發計畫-新世代智能工廠控制系統發展計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 刀具中心點命令控制、前傾與側傾切削控制、傾斜面導引加工、工件設置誤差補正、泛用型旋轉軸機構誤差補償、全數位伺服控制、支援RRTTT、RTTTR及TTTRR機構構型 | 潛力預估: 建構五軸CNC控制器，可達成一次夾持多工序的控制機能，避免多次夾持的設置誤差，及所造成加工時間浪費。全數位伺服控制技術將有助於提升控制精度及加工效率，將有效提升廠商的產品價值及市場競爭力，進而使國產控... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵製造業製程高值化拔尖計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 支援三種構型五軸加工機、刀具中心點控制、傾斜面加工、虛擬軸進退刀、刀具姿態控制、旋轉軸機構誤差補償、工件設置誤差補償、五軸3D切削模擬、五軸3D線上防碰撞等五軸輪廓銑削控制機能。 | 潛力預估: 建構五軸CNC控制器，可達成一次夾持多工序的控制機能，避免多次夾持的設置誤差，及所造成加工時間浪費。全數位伺服控制技術將有助於提升控制精度及加工效率，將有效提升廠商的產品價值及市場競爭力，進而使國產控... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院中分院區域研發計畫-新世代智能工廠控制系統發展計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 刀具中心點命令控制、前傾與側傾切削控制、傾斜面導引加工、工件設置誤差補正、泛用型旋轉軸機構誤差補償、全數位伺服控制、支援RRTTT、RTTTR及TTTRR機構構型 | 潛力預估: 建構五軸CNC控制器，可達成一次夾持多工序的控制機能，避免多次夾持的設置誤差，及所造成加工時間浪費。全數位伺服控制技術將有助於提升控制精度及加工效率，將有效提升廠商的產品價值及市場競爭力，進而使國產控... @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院中分院區域研發計畫-新世代智能工廠控制系統發展計畫 | 領域: | 技術規格: 刀具中心點命令控制、前傾與側傾切削控制、傾斜面導引加工、工件設置誤差補正、旋轉軸機構誤差補償 | 潛力預估: 建構五軸CNC控制器，可達成一次夾持多工序的控制機能，避免多次夾持的設置誤差，及所造成加工時間浪費。而捷徑二段式觸控操作的開放式人機介面，則可讓廠商能開發自有製程Know-how的直覺式操作介面、減少... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院中分院區域研發計畫-新世代智能工廠控制系統發展計畫 | 領域: | 技術規格: 刀具中心點命令控制、前傾與側傾切削控制、傾斜面導引加工、工件設置誤差補正、旋轉軸機構誤差補償 | 潛力預估: 建構五軸CNC控制器，可達成一次夾持多工序的控制機能，避免多次夾持的設置誤差，及所造成加工時間浪費。而捷徑二段式觸控操作的開放式人機介面，則可讓廠商能開發自有製程Know-how的直覺式操作介面、減少... @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 穩定可量產 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 穩定可量產 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器 |
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