奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作
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技術名稱-中文奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作的執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是103, 計畫名稱是奈米材料及製程技術發展第二期計畫, 領域是民生福祉, 技術規格是玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達kΩ/□等級,雙面ATO鍍膜玻璃,可降低熱幅射穿透率≧50%,鍍膜硬度≧3H。, 潛力預估是開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA,預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業,預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業,預估市場具1億年產值。.

序號6944
產出年度103
技術名稱-中文奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位(空)
計畫名稱奈米材料及製程技術發展第二期計畫
領域民生福祉
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文開發奈米Sb doped SnO2混成溶膠,Sb doped SnO2粒徑<40 nm,用於觸控面板、隔熱玻璃、抗靜電玻璃製作。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達kΩ/□等級,雙面ATO鍍膜玻璃,可降低熱幅射穿透率≧50%,鍍膜硬度≧3H。
技術成熟度試量產
可應用範圍開發觸控面板用於光電產業,開發隔熱玻璃用於建築產業,開發抗靜電玻璃用於半導體產業。
潛力預估開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA,預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業,預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業,預估市場具1億年產值。
聯絡人員王偉洪
電話03-4712201#358267
傳真03-4458233 四所四組王偉洪
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址http://csist@csistdup.org.tw
所須軟硬體設備溶膠製備、溶膠光學鍍膜技術及光學量測設備
需具備之專業人才化工、材料、機械、化學

序號

6944

產出年度

103

技術名稱-中文

奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位

中科院材料暨光電研究所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米材料及製程技術發展第二期計畫

領域

民生福祉

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

開發奈米Sb doped SnO2混成溶膠,Sb doped SnO2粒徑<40 nm,用於觸控面板、隔熱玻璃、抗靜電玻璃製作。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達kΩ/□等級,雙面ATO鍍膜玻璃,可降低熱幅射穿透率≧50%,鍍膜硬度≧3H。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

開發觸控面板用於光電產業,開發隔熱玻璃用於建築產業,開發抗靜電玻璃用於半導體產業。

潛力預估

開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA,預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業,預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業,預估市場具1億年產值。

聯絡人員

王偉洪

電話

03-4712201#358267

傳真

03-4458233 四所四組王偉洪

電子信箱

csist@csistdup.org.tw

參考網址

http://csist@csistdup.org.tw

所須軟硬體設備

溶膠製備、溶膠光學鍍膜技術及光學量測設備

需具備之專業人才

化工、材料、機械、化學

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奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達kΩ/□等級,雙面ATO鍍膜玻璃,可降低熱幅射穿透率≧50%,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA,預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業,預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業,預估市場具1億年產值。

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奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達kΩ/□等級,雙面ATO鍍膜玻璃,可降低熱幅射穿透率≧50%,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA,預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業,預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業,預估市場具1億年產值。

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奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達kΩ/□等級,雙面ATO鍍膜玻璃,可降低熱幅射穿透率≧50%,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA,預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業,預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業,預估市場具1億年產值。

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奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達kΩ/□等級,雙面ATO鍍膜玻璃,可降低熱幅射穿透率≧50%,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA,預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業,預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業,預估市場具1億年產值。

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奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達kΩ/□等級,雙面ATO鍍膜玻璃,可降低熱幅射穿透率≧50%,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA,預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業,預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業,預估市場具1億年產值。

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奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達kΩ/□等級,雙面ATO鍍膜玻璃,可降低熱幅射穿透率≧50%,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA,預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業,預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業,預估市場具1億年產值。

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奈米撥水自潔雷達天線設施製法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 發明第I430959號 | 專利期間起: 120/11/30 | 專利期間訖: 本發明為建立一光觸媒撥水材料,應用於雷達天線自潔功能,以提升天線之效能與耐用性。 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 專利發明人: 王偉洪、姚錦富、邱智謀

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SiO2混成溶膠低折射率鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜折射率≦1.35,單層雙面抗反射鍍膜玻璃,最低反射率<2.0%,鍍膜硬度率≧3H。 | 潛力預估: 開發具抗反射鍍膜玻璃之平面電視螢幕、手機、PDA及太陽能板,預估未來市場具10億年產值。

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TiO2混成溶膠高折射率鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜折射率≧1.70,單面高折射率鍍膜,消除透明導電觸控線路影像,提高觸控面板品質,鍍膜硬度率≧H。 | 潛力預估: 開發平面電視螢幕、手機、PDA觸控螢幕背光光學鍍膜,預估市場具1億年產值。

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Fe2O3/TiO2、Ce2O3/TiO2 混成溶膠紫外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 單層雙面鍍膜玻璃,紫外線吸收率可達70%,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發紫外線吸收鍍膜玻璃,用於建築玻璃及汽車玻璃,預估市場具1億年產值。

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奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠可見光吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 獲得SiO2/TiO2比例為0/1、1/3、2/2、3/1、1/0之奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠,進行玻璃單層雙面鍍膜,獲得透明彩色鍍膜玻璃,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發奈米金透明彩色鍍膜玻璃,用於觸控面板具抗菌功能,預估市場具2億年產值。用於建築玻璃及汽車玻璃,預估市場具1億年產值。

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奈米Sn doped In2O3混成溶膠透明微波吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達100 Ω/□等級,微波吸收率>50%,鍍膜硬度率≧3H。 | 潛力預估: 開發透明微波吸收鍍膜玻璃,用於手機觸控面板,預估市場具2億年產值。開發建築玻璃及汽車玻璃隔熱及抗微波,預估市場具2億年產值。

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WO3奈米結晶溶膠製備技術。

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 用於室內奈米觸媒塗料,具空氣清淨功效,其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.003(min×WL×gcat)-1。 | 潛力預估: 用於廢氣處理觸媒製備用材料,增加廢氣處理能力,降低廢氣處理溫度。

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奈米撥水自潔雷達天線設施製法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 發明第I430959號 | 專利期間起: 120/11/30 | 專利期間訖: 本發明為建立一光觸媒撥水材料,應用於雷達天線自潔功能,以提升天線之效能與耐用性。 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 專利發明人: 王偉洪、姚錦富、邱智謀

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SiO2混成溶膠低折射率鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜折射率≦1.35,單層雙面抗反射鍍膜玻璃,最低反射率<2.0%,鍍膜硬度率≧3H。 | 潛力預估: 開發具抗反射鍍膜玻璃之平面電視螢幕、手機、PDA及太陽能板,預估未來市場具10億年產值。

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TiO2混成溶膠高折射率鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜折射率≧1.70,單面高折射率鍍膜,消除透明導電觸控線路影像,提高觸控面板品質,鍍膜硬度率≧H。 | 潛力預估: 開發平面電視螢幕、手機、PDA觸控螢幕背光光學鍍膜,預估市場具1億年產值。

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Fe2O3/TiO2、Ce2O3/TiO2 混成溶膠紫外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 單層雙面鍍膜玻璃,紫外線吸收率可達70%,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發紫外線吸收鍍膜玻璃,用於建築玻璃及汽車玻璃,預估市場具1億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠可見光吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 獲得SiO2/TiO2比例為0/1、1/3、2/2、3/1、1/0之奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠,進行玻璃單層雙面鍍膜,獲得透明彩色鍍膜玻璃,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發奈米金透明彩色鍍膜玻璃,用於觸控面板具抗菌功能,預估市場具2億年產值。用於建築玻璃及汽車玻璃,預估市場具1億年產值。

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奈米Sn doped In2O3混成溶膠透明微波吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達100 Ω/□等級,微波吸收率>50%,鍍膜硬度率≧3H。 | 潛力預估: 開發透明微波吸收鍍膜玻璃,用於手機觸控面板,預估市場具2億年產值。開發建築玻璃及汽車玻璃隔熱及抗微波,預估市場具2億年產值。

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WO3奈米結晶溶膠製備技術。

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 用於室內奈米觸媒塗料,具空氣清淨功效,其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.003(min×WL×gcat)-1。 | 潛力預估: 用於廢氣處理觸媒製備用材料,增加廢氣處理能力,降低廢氣處理溫度。

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射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... | 潛力預估: 基板內藏被動元件,可以取代傳統SMD元件,市場上具有龐大的商業潛力,依據市場知名市調公司PRISMARK預估,西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上,商機需求逐年擴增;且係通訊產品高...

3D基板式堆疊構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_;一步成型式導通孔技術 | 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展,除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小, 提升電子產品縮小化的效率外,更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中,而以最有效益的方式,達到System in Packa...

迴路型熱管散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域:45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小);傳輸距離30 cm | 潛力預估: 以真空硬銲方式接合,外觀與強度符合所需,蒸發端與冷凝端均為平面構造,易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...

增益型晶圓級晶方尺度構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm;Pitch: 0.8mm, 1.0mm;Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_;Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design,。其結構設計,第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝,第二層之應...

銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_;Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_;UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... | 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線,銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗,尤其當線寬愈來愈窄的時候,其對高頻的影響愈來愈大,被視為下一代高速積體電路的明星製程,然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術,而國內...

銅晶片打線接合構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Test Vehicle:Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定,並由電子所與合作廠商共同 | 潛力預估: Filing two patents for copper chip package_x000D_,Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_,Wire bond qua...

Flip Chip CSP 設計與構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 球間距(Ball Pitch):0.8mm BGA_x000D_;球陣列(Ball Array):6-8 I/O_x000D_;構裝尺寸(Package Size):6mm-9mm_x000D_;構裝... | 潛力預估: 整個技術環節的重點,會緊扣在低構裝成本和高電氣操作性能的訴求上,以期與現存的構裝型態在市場上有一較長短的實力,同時提供台灣構裝業界實現技術升級創造競爭力的宏大目標。

Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達30%左右) | 潛力預估: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達50%左右)

散熱及電性增益型之錫球陣列塑膠構裝

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: TE-PBGA (JEDEC PBGA Standard);散熱增益 35~40%,電性電感增益 10~20%_x000D_ | 潛力預估: 符合PBGA的標準製程_x000D_,獲得中華民國、美國、日本多國專利保護。

電腦輔助熱傳設計分析技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪(94﹪ 信賴度) | 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包

IC及LED熱阻量測技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 依循JEDEC Standard、SEMI Standard | 潛力預估: 主要設備,均是國內自行開發完成,價格較國外節省30%。

覆晶錫鉛凸塊植球技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Bump Pitch (μm) | 潛力預估: ;Bump Height (μm) 20;Bump Composition

焊點可靠性評估技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: MIL-883D | 潛力預估: 面對全球電子產業對產品可靠度評估需求的增加,特別是此種評估技術的需求已經從單純的電子封裝產品電路板級的焊點可靠度評估,衍生到系統廠組裝後的可靠度評估,及封裝廠的多晶圓模組封裝MCM及IC設計公司的Si...

肢體機能回復設備技術應用開發

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 3關節自由度(髖、膝、踝)下肢醫療復健設備具備連續被動式運動(CPM)及生理機能即時遠端監督功能。使用對象:140公分~180公分;80公斤以下;可動範圍(最大活動速度):股關節:10?~100?(2... | 潛力預估: 引導式操作的友善人機介面,具備病患資料保密性、復健資料可回溯、評估、、等功能,使用者容易操作與訓練。可協助物理治療師為病患進行復健,解決目前復健師人力嚴重不足的問題。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... | 潛力預估: 基板內藏被動元件,可以取代傳統SMD元件,市場上具有龐大的商業潛力,依據市場知名市調公司PRISMARK預估,西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上,商機需求逐年擴增;且係通訊產品高...

3D基板式堆疊構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_;一步成型式導通孔技術 | 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展,除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小, 提升電子產品縮小化的效率外,更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中,而以最有效益的方式,達到System in Packa...

迴路型熱管散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域:45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小);傳輸距離30 cm | 潛力預估: 以真空硬銲方式接合,外觀與強度符合所需,蒸發端與冷凝端均為平面構造,易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...

增益型晶圓級晶方尺度構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm;Pitch: 0.8mm, 1.0mm;Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_;Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design,。其結構設計,第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝,第二層之應...

銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_;Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_;UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... | 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線,銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗,尤其當線寬愈來愈窄的時候,其對高頻的影響愈來愈大,被視為下一代高速積體電路的明星製程,然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術,而國內...

銅晶片打線接合構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Test Vehicle:Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定,並由電子所與合作廠商共同 | 潛力預估: Filing two patents for copper chip package_x000D_,Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_,Wire bond qua...

Flip Chip CSP 設計與構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 球間距(Ball Pitch):0.8mm BGA_x000D_;球陣列(Ball Array):6-8 I/O_x000D_;構裝尺寸(Package Size):6mm-9mm_x000D_;構裝... | 潛力預估: 整個技術環節的重點,會緊扣在低構裝成本和高電氣操作性能的訴求上,以期與現存的構裝型態在市場上有一較長短的實力,同時提供台灣構裝業界實現技術升級創造競爭力的宏大目標。

Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達30%左右) | 潛力預估: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達50%左右)

散熱及電性增益型之錫球陣列塑膠構裝

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: TE-PBGA (JEDEC PBGA Standard);散熱增益 35~40%,電性電感增益 10~20%_x000D_ | 潛力預估: 符合PBGA的標準製程_x000D_,獲得中華民國、美國、日本多國專利保護。

電腦輔助熱傳設計分析技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪(94﹪ 信賴度) | 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包

IC及LED熱阻量測技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 依循JEDEC Standard、SEMI Standard | 潛力預估: 主要設備,均是國內自行開發完成,價格較國外節省30%。

覆晶錫鉛凸塊植球技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Bump Pitch (μm) | 潛力預估: ;Bump Height (μm) 20;Bump Composition

焊點可靠性評估技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: MIL-883D | 潛力預估: 面對全球電子產業對產品可靠度評估需求的增加,特別是此種評估技術的需求已經從單純的電子封裝產品電路板級的焊點可靠度評估,衍生到系統廠組裝後的可靠度評估,及封裝廠的多晶圓模組封裝MCM及IC設計公司的Si...

肢體機能回復設備技術應用開發

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 3關節自由度(髖、膝、踝)下肢醫療復健設備具備連續被動式運動(CPM)及生理機能即時遠端監督功能。使用對象:140公分~180公分;80公斤以下;可動範圍(最大活動速度):股關節:10?~100?(2... | 潛力預估: 引導式操作的友善人機介面,具備病患資料保密性、復健資料可回溯、評估、、等功能,使用者容易操作與訓練。可協助物理治療師為病患進行復健,解決目前復健師人力嚴重不足的問題。

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