奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作
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技術名稱-中文奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作的執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是103, 計畫名稱是奈米材料及製程技術發展第二期計畫, 領域是民生福祉, 技術規格是玻璃板兩層雙面鍍膜，導電度可達kΩ/□等級，雙面ATO鍍膜玻璃，可降低熱幅射穿透率≧50％，鍍膜硬度≧3H。, 潛力預估是開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA，預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業，預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業，預估市場具1億年產值。.

序號	6944
產出年度	103
技術名稱-中文	奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作
執行單位	中科院材料暨光電研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米材料及製程技術發展第二期計畫
領域	民生福祉
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	開發奈米Sb doped SnO2混成溶膠，Sb doped SnO2粒徑<40 nm，用於觸控面板、隔熱玻璃、抗靜電玻璃製作。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	玻璃板兩層雙面鍍膜，導電度可達kΩ/□等級，雙面ATO鍍膜玻璃，可降低熱幅射穿透率≧50％，鍍膜硬度≧3H。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	開發觸控面板用於光電產業，開發隔熱玻璃用於建築產業，開發抗靜電玻璃用於半導體產業。
潛力預估	開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA，預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業，預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業，預估市場具1億年產值。
聯絡人員	王偉洪
電話	03-4712201＃358267
傳真	03-4458233 四所四組王偉洪
電子信箱	csist@csistdup.org.tw
參考網址	http://csist@csistdup.org.tw
所須軟硬體設備	溶膠製備、溶膠光學鍍膜技術及光學量測設備
需具備之專業人才	化工、材料、機械、化學
同步更新日期	2024-09-03

序號

6944

產出年度

103

技術名稱-中文

奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位

中科院材料暨光電研究所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米材料及製程技術發展第二期計畫

領域

民生福祉

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

開發奈米Sb doped SnO2混成溶膠，Sb doped SnO2粒徑<40 nm，用於觸控面板、隔熱玻璃、抗靜電玻璃製作。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

玻璃板兩層雙面鍍膜，導電度可達kΩ/□等級，雙面ATO鍍膜玻璃，可降低熱幅射穿透率≧50％，鍍膜硬度≧3H。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

開發觸控面板用於光電產業，開發隔熱玻璃用於建築產業，開發抗靜電玻璃用於半導體產業。

潛力預估

開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA，預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業，預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業，預估市場具1億年產值。

聯絡人員

王偉洪

電話

03-4712201＃358267

傳真

03-4458233 四所四組王偉洪

電子信箱

csist@csistdup.org.tw

參考網址

http://csist@csistdup.org.tw

所須軟硬體設備

溶膠製備、溶膠光學鍍膜技術及光學量測設備

需具備之專業人才

化工、材料、機械、化學

同步更新日期

2024-09-03

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奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 100 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜，導電度可達kΩ/□等級，雙面ATO鍍膜玻璃，可降低熱幅射穿透率≧50％，鍍膜硬度≧3H。 \| 潛力預估: 開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA，預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業，預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業，預估市場具1億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜，導電度可達kΩ/□等級，雙面ATO鍍膜玻璃，可降低熱幅射穿透率≧50％，鍍膜硬度≧3H。 \| 潛力預估: 開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA，預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業，預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業，預估市場具1億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜，導電度可達kΩ/□等級，雙面ATO鍍膜玻璃，可降低熱幅射穿透率≧50％，鍍膜硬度≧3H。 \| 潛力預估: 開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA，預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業，預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業，預估市場具1億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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奈米撥水自潔雷達天線設施製法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 專利發明人: 王偉洪、姚錦富、邱智謀 \| 證書號碼: 發明第I430959號 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
SiO2混成溶膠低折射率鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鍍膜折射率≦1.35，單層雙面抗反射鍍膜玻璃，最低反射率＜2.0%，鍍膜硬度率≧3H。 \| 潛力預估: 開發具抗反射鍍膜玻璃之平面電視螢幕、手機、PDA及太陽能板，預估未來市場具10億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
TiO2混成溶膠高折射率鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鍍膜折射率≧1.70，單面高折射率鍍膜，消除透明導電觸控線路影像，提高觸控面板品質，鍍膜硬度率≧H。 \| 潛力預估: 開發平面電視螢幕、手機、PDA觸控螢幕背光光學鍍膜，預估市場具1億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
Fe2O3/TiO2、Ce2O3/TiO2 混成溶膠紫外線吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 單層雙面鍍膜玻璃，紫外線吸收率可達70％，鍍膜硬度≧3H。 \| 潛力預估: 開發紫外線吸收鍍膜玻璃，用於建築玻璃及汽車玻璃，預估市場具1億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠可見光吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 獲得SiO2/TiO2比例為0/1、1/3、2/2、3/1、1/0之奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠，進行玻璃單層雙面鍍膜，獲得透明彩色鍍膜玻璃，鍍膜硬度≧3H。 \| 潛力預估: 開發奈米金透明彩色鍍膜玻璃，用於觸控面板具抗菌功能，預估市場具2億年產值。用於建築玻璃及汽車玻璃，預估市場具1億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米Sn doped In2O3混成溶膠透明微波吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜，導電度可達100 Ω/□等級，微波吸收率＞50％，鍍膜硬度率≧3H。 \| 潛力預估: 開發透明微波吸收鍍膜玻璃，用於手機觸控面板，預估市場具2億年產值。開發建築玻璃及汽車玻璃隔熱及抗微波，預估市場具2億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
WO3奈米結晶溶膠製備技術。	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 用於室內奈米觸媒塗料，具空氣清淨功效，其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.003(min×WL×gcat)-1。 \| 潛力預估: 用於廢氣處理觸媒製備用材料，增加廢氣處理能力，降低廢氣處理溫度。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠可見光吸收鍍膜玻璃製作

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磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: MR>50%, RA<2kΩμm2, 90 nm 微縮化可行性佳 \| 潛力預估: Embedded 記憶體
相變化記憶體元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... \| 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。
微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程
無線生理訊號感測模組設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) \| 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 \| 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 \| 潛力預估: 穩定可量產
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本
微氣體感測器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 \| 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_；蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 \| 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ；薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。
無鉛製程技術資訊平台建立	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... \| 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、桌上型電腦，筆記型電腦、主機板、消...
基板內藏元件整合設計與模型庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工作頻段：2.4GHz；新材料(εr≧38 \| 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等
射頻內藏被動元件之模型程式庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... \| 潛力預估: 基板內藏被動元件，可以取代傳統SMD元件，市場上具有龐大的商業潛力，依據市場知名市調公司PRISMARK預估，西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上，商機需求逐年擴增；且係通訊產品高...