導熱樹脂合成與應用評估技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文導熱樹脂合成與應用評估技術的執行單位是工研院材化所, 產出年度是104, 計畫名稱是民生福祉領域工業基礎技術研究計畫, 領域是民生福祉, 技術規格是․導熱係數:≧ 0.35W/m*K ․熱阻抗:< 0.3℃/W ․剛性: ≧ 4.5GPa ․介電強度:≧ 1.5kVAC/mil, 潛力預估是可應用於印刷電路板、高功率高頻基板、LED模組、高功率元件、太陽電池模組及汽車功率元件等產品上,藉以提升國內散熱材料及元件產業國際競爭力,引導國內特化及材料產業往高附加價值產品開發。.

序號7410
產出年度104
技術名稱-中文導熱樹脂合成與應用評估技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱民生福祉領域工業基礎技術研究計畫
領域民生福祉
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文國內自製散熱模組用導熱封裝與基板等材料市佔率低(
技術現況敘述-英文(空)
技術規格․導熱係數:≧ 0.35W/m*K ․熱阻抗:< 0.3℃/W ․剛性: ≧ 4.5GPa ․介電強度:≧ 1.5kVAC/mil
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍可應用於PCB產業、高功率模組、LED模組、電動車模組、太陽電池模組及熱界面材料等。
潛力預估可應用於印刷電路板、高功率高頻基板、LED模組、高功率元件、太陽電池模組及汽車功率元件等產品上,藉以提升國內散熱材料及元件產業國際競爭力,引導國內特化及材料產業往高附加價值產品開發。
聯絡人員劉彥群
電話03-5915467
傳真-
電子信箱AndyYCLiu@itri.org.tw
參考網址http://-
所須軟硬體設備廠商具有樹脂與材料合成等設備
需具備之專業人才高分子材料開發與化學化工相關背景人才
同步更新日期2019-07-24

序號

7410

產出年度

104

技術名稱-中文

導熱樹脂合成與應用評估技術

執行單位

工研院材化所

產出單位

(空)

計畫名稱

民生福祉領域工業基礎技術研究計畫

領域

民生福祉

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

國內自製散熱模組用導熱封裝與基板等材料市佔率低(

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

․導熱係數:≧ 0.35W/m*K ․熱阻抗:< 0.3℃/W ․剛性: ≧ 4.5GPa ․介電強度:≧ 1.5kVAC/mil

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

可應用於PCB產業、高功率模組、LED模組、電動車模組、太陽電池模組及熱界面材料等。

潛力預估

可應用於印刷電路板、高功率高頻基板、LED模組、高功率元件、太陽電池模組及汽車功率元件等產品上,藉以提升國內散熱材料及元件產業國際競爭力,引導國內特化及材料產業往高附加價值產品開發。

聯絡人員

劉彥群

電話

03-5915467

傳真

-

電子信箱

AndyYCLiu@itri.org.tw

參考網址

http://-

所須軟硬體設備

廠商具有樹脂與材料合成等設備

需具備之專業人才

高分子材料開發與化學化工相關背景人才

同步更新日期

2019-07-24

根據名稱 導熱樹脂合成與應用評估技術 找到的相關資料

無其他 導熱樹脂合成與應用評估技術 資料。

[ 搜尋所有 導熱樹脂合成與應用評估技術 ... ]

根據電話 03-5915467 找到的相關資料

(以下顯示 4 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5915467 ...)

具延伸性之導熱高分子膜應用評估技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: ‧高順向高分子膜材料特性:熱膨脹係數≦30ppm、楊氏係數≧4.0GPa、拉伸率≧75% | 潛力預估: ‧使國內廠商具有具延伸性高順向高分子製備能力 ‧使國內廠商具有R2R製備具延伸性高順向高分子膜能力 ‧協助國內熱管理產業建構高性能導熱材料之競爭力

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

高順向高分子膜技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: ‧高順向高分子膜材料特性:熱膨脹係數≦25ppm、楊氏係數≧4.5GPa、破壞電壓≧7KV | 潛力預估: ‧使國內廠商具有高固含量高順向高分子樹脂製備能力 ‧使國內廠商具有R2R製備高順向厚膜能力 ‧協助國內熱管理產業建構高性能導熱材料之競爭力

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

可整卷式塗佈導熱型樹脂應用與評估技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 1.PAI樹脂 : Td (℃) ? 450 導熱係數(W/m*K) ? 0.45 楊氏係數(GPa)? 4.3 2.封裝材 : 導熱係數(W/m*K)? 4.0 損失模數(MPa)? 350 | 潛力預估: 開發此高導熱樹脂,未來可依應用載具需求,調製配方供應給應用廠,提升國內廠商合成能力並將材料切入未來高功率產業需求。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

聚醯胺亞醯胺高分子、石墨膜及其製備方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 民生福祉領域工業基礎技術研究計畫 | 專利發明人: 林振隆 ,劉彥群 ,張惠雯 ,邱國展 ,胡憲霖 | 證書號碼: 9,371,233

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

具延伸性之導熱高分子膜應用評估技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: ‧高順向高分子膜材料特性:熱膨脹係數≦30ppm、楊氏係數≧4.0GPa、拉伸率≧75% | 潛力預估: ‧使國內廠商具有具延伸性高順向高分子製備能力 ‧使國內廠商具有R2R製備具延伸性高順向高分子膜能力 ‧協助國內熱管理產業建構高性能導熱材料之競爭力

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

高順向高分子膜技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: ‧高順向高分子膜材料特性:熱膨脹係數≦25ppm、楊氏係數≧4.5GPa、破壞電壓≧7KV | 潛力預估: ‧使國內廠商具有高固含量高順向高分子樹脂製備能力 ‧使國內廠商具有R2R製備高順向厚膜能力 ‧協助國內熱管理產業建構高性能導熱材料之競爭力

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

可整卷式塗佈導熱型樹脂應用與評估技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 1.PAI樹脂 : Td (℃) ? 450 導熱係數(W/m*K) ? 0.45 楊氏係數(GPa)? 4.3 2.封裝材 : 導熱係數(W/m*K)? 4.0 損失模數(MPa)? 350 | 潛力預估: 開發此高導熱樹脂,未來可依應用載具需求,調製配方供應給應用廠,提升國內廠商合成能力並將材料切入未來高功率產業需求。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

聚醯胺亞醯胺高分子、石墨膜及其製備方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 民生福祉領域工業基礎技術研究計畫 | 專利發明人: 林振隆 ,劉彥群 ,張惠雯 ,邱國展 ,胡憲霖 | 證書號碼: 9,371,233

@ 經濟部產業技術司–專利資料集
[ 搜尋所有 03-5915467 ... ]

與導熱樹脂合成與應用評估技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材質:矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格:3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高

低應力電鑄金屬膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam:width 50μm Cantilever beam:length 450μm Can... | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Thickness U% | 潛力預估: 各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低

毛細管電泳晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... | 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序,在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後,微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例,2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...

單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計,可提升噴液頻率 | 潛力預估: 針對噴墨頭產業,此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

散熱模組熱阻快速量測系統

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 | 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法,本技術是現今唯一可於3~5分鐘內,精確量測出散熱模組熱性能之方法,並已申請專利。

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver .850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) .2.5Gbps資料傳輸能力.100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) .150... | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用,2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術,也是市場的主流。據IEK的資料顯示,預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸:1. maximum. Length | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材質:矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格:3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高

低應力電鑄金屬膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam:width 50μm Cantilever beam:length 450μm Can... | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Thickness U% | 潛力預估: 各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低

毛細管電泳晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... | 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序,在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後,微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例,2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...

單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計,可提升噴液頻率 | 潛力預估: 針對噴墨頭產業,此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

散熱模組熱阻快速量測系統

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 | 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法,本技術是現今唯一可於3~5分鐘內,精確量測出散熱模組熱性能之方法,並已申請專利。

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver .850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) .2.5Gbps資料傳輸能力.100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) .150... | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用,2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術,也是市場的主流。據IEK的資料顯示,預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸:1. maximum. Length | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

 |