TSV製程開發及整合技術
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技術名稱-中文TSV製程開發及整合技術的執行單位是工研院電光所, 產出年度是104, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 領域是智慧科技, 技術規格是12吋矽晶圓的TSV 製程整合開發(Via size≦10um)；完成TSV電性量測驗證。, 潛力預估是與未來多功能整合、高效能、低功浩及小體積的半導體發展趨勢相符，因此頗具潛力.

序號	7574
產出年度	104
技術名稱-中文	TSV製程開發及整合技術
執行單位	工研院電光所
產出單位	(空)
計畫名稱	高階手持裝置三維整合應用技術計畫
領域	智慧科技
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	none
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	12吋矽晶圓的TSV 製程整合開發(Via size≦10um)；完成TSV電性量測驗證。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	半導體相關產品(CMOS Image Sensor、DRAM、Non-Volatile Memory、RF Chip、Logic Circuit)
潛力預估	與未來多功能整合、高效能、低功浩及小體積的半導體發展趨勢相符，因此頗具潛力
聯絡人員	張順賢
電話	03-5913917
傳真	03-5917690
電子信箱	shchang@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備	Photolithography, DRIE, PECVD, PVD, Electroplating, CMP
需具備之專業人才	半導體領域相關人才
同步更新日期	2024-09-03

序號

7574

產出年度

104

技術名稱-中文

TSV製程開發及整合技術

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

高階手持裝置三維整合應用技術計畫

領域

智慧科技

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

none

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

12吋矽晶圓的TSV 製程整合開發(Via size≦10um)；完成TSV電性量測驗證。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

半導體相關產品(CMOS Image Sensor、DRAM、Non-Volatile Memory、RF Chip、Logic Circuit)

潛力預估

與未來多功能整合、高效能、低功浩及小體積的半導體發展趨勢相符，因此頗具潛力

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

03-5917690

電子信箱

shchang@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040

所須軟硬體設備

Photolithography, DRIE, PECVD, PVD, Electroplating, CMP

需具備之專業人才

半導體領域相關人才

同步更新日期

2024-09-03

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相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN \| 證書號碼: I338392 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN \| 證書號碼: 7,888,155 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write<50ns)、高可重複讀寫次數(>1015) 、省電(oper... \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間<100ns \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
應變矽CMOS元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% \| 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

相變化記憶體元件及其製造方法

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GFP-Based Ethernet over SDH測試技術	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ITU-T G.7041 155.52 Mbps GFP 功能測試驗證流程 \| 潛力預估: 以目前的都會網路架構而言，利用NG SDH提供Multi-service Transport是最經濟快速的做法，IDC 更預測2008年時NG SDH based MSPP 之產值將達到約$3.5 B...
Burst Mode CDR量測技術	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 2.5 Gbps CDR (Clock Data Recovery) 的Locking Time 及 Jitter \| 潛力預估: PON技術在目前全球FTTx寬頻服務推動下成為最新熱門技術之一，IDC 估計2008年時，相關產值約可達到$2.4 Billion USD。國內部分都會接取光通訊廠商也相繼投入此相關領域的研發投資如...
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DTV IPMP多媒體資源智權管理技術	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 此系統使用Client-Server的PC-based平台架構 2. 系統提供數位視訊內容的授權使用管理服務 3. 系統搭配Smartcard及X.509 PKI密鑰技術 4. 系統憑證相容於M... \| 潛力預估: 數位內容與DRM系統建置，可控制多媒體內容及相關數位文件之權限使用管理，是數位內容服務基礎設施。相關的特定領域系統，如數位學習、數位圖書館藏，也隨之存在極大的市場契機
支援多影音格式之串流平台	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 符合RFC標準 2. 支援多種播放器及平台 \| 潛力預估: 視訊串流技術幾乎無所不在，以IP為base的多媒體應用，可提供各式各樣的multimedia services，目前家庭網路的成熟及以客廳為娛樂中心的概念之形成，使得家庭影音串流平台成為當下的發展重...
多點影音播放系統	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Video Codec : MPEG-1/2/4 WMV 2.Audio Codec : MP2/3 AAC AC3 \| 潛力預估: 隨著數位家庭的成熟，影音播放的DMA相關產品將成為主要的消費產品
iB3G數位電視即時串流錄影選台	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Protocol : RTSP/HTTP \| 潛力預估: 即時視訊為行動影音最有吸引力的服務，使用者可看到即時新聞或球賽，對於網路服務業者來說，存在著很大的商機
低溫共燒基材製程技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ◆ Hermetic sealing : Leak Rate < 5×10-8 atm-cc/s He (bomb condition @ 75 psi dwell 1hr )◆ cavity siz... \| 潛力預估: 目前美國、日本及歐洲的德國、比利時等均已投入此方面之研究，如美國的Sandia國家實驗室與DuPont等大廠。而歐洲則有IZM、IMEC及Infineon等大廠及一些研究單位都朝此兩技術整合發展。
積層模組EMI抑制技術技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 元件尺寸3.20.21.60.20.850.15(mm),截止頻率100 MHz,額定電流100 mA,額定電壓10V,串音-20dB,8信號線端,2接地端之四組型陣列LC濾波器 \| 潛力預估: 預計至96年時產能可達144KKpcs,總產值可達3億6千萬元以上,帶動投資額二億五千萬,可帶動該公司2.97之EPS
超薄壓電膜材料技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 壓電膜層具機電轉換效率40﹪，機械品質因素10，製作之振動板起始頻率低至100Hz等特性，同時具有可撓曲性。 \| 潛力預估: 壓電式聲音元件包括蜂鳴器、振鈴、收送話器、喇叭等，市場約有新台幣70億的規模，主要的材料為壓電薄片。配合寬音域與平面化的產品應用趨勢，降低壓電片厚度與直接製作於可撓基材上為關鍵性技術，超薄壓電膜材料技...
積層氧化鋅變阻器及其配方組成	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 積層氧化鋅變阻器具有吸收雷擊突波與靜電放電脈衝之功能，又由於其單層厚度較傳統變阻器小，更適用於低電壓之可攜式產品和IC元件之保護。 \| 潛力預估: 提升國內積層氧化鋅變器廠商技術與競爭力，並保護授權廠商之競爭優勢，形成更優質的投資與生產環境。目前全球市場規模約新台幣100億元/年，預估單一廠商初期年產值可達1億元。
高溫度穩定性材料技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立玻璃材料奈米微晶控制機制－經由不同升溫速率可配合Matusita & Sakka提出的計算式，計算結晶機制的各個參數，如Avrami exponent（n）及結晶活化能（E）；n值可以表示其為何... \| 潛力預估: 開發低熱膨脹係數玻璃陶瓷材料及製程技術，若順利開發及完成專利怖局，將可改善國內光電產業關鍵材料由國外進口的困境，達到關鍵性材料國產化的目的，並可改善關鍵材料及零組件掌握在國際大廠的窘境。
陶瓷薄膜整合技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度＜300℃之薄膜電晶體。源極-汲極間的電流IDS=10-9-10-6 安培 \| 潛力預估: 利用反應式濺鍍技術的自組裝奈米介面薄膜電晶體, 是種低溫並且環保的創新製程, 在能源的利用及綠色生活品質的貢獻皆遠大於現存的工業製程。本低溫製程的薄膜電晶體積體化技術的開發, 將可提升廠商在未來通訊...
埋入式電容(DK=40)基板材料技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 優良PCB製程加工性‧穩定之介電特性: DK38~42, DF<0.03 @1MHz‧優良之耐熱性質: Tg>185(DMA),耐銲錫288oC, >3min \| 潛力預估: 提供高介電常數(DK40)之電容材料配方技術及材料規格給材料廠商，創造新型電路板材料，強化基板材料產業技術能力。提供本技術給國內材料商，將可以協助國內基板材料業者掌握關鍵材料技術料及提升PCB產業的...