新興三維記憶體(RRAM)元件技術
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技術名稱-中文新興三維記憶體(RRAM)元件技術的執行單位是工研院電光所, 產出年度是104, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 領域是智慧科技, 技術規格是交互陣列結構開發雙向選擇器開發電性量測技術開發 I(V)/I(V/2) ≧100，I≦100uA， Cell size≦4F^2，Half pitch ≦0.18um, 潛力預估是本提案中的電阻式記憶體不但具有上述優異特性，也展示出取代快閃記憶體的可能性，此外，在製程上與現今CMOS製程完全相容，所以，具有相當的市場接受性。國內除了少數公司投入研發之外，可替代之技術來源皆為國外大廠。.

序號	7580
產出年度	104
技術名稱-中文	新興三維記憶體(RRAM)元件技術
執行單位	工研院電光所
產出單位	(空)
計畫名稱	高階手持裝置三維整合應用技術計畫
領域	智慧科技
已申請專利之國家	中國、美國、中國大陸
已獲得專利之國家	中國、美國、中國大陸
技術現況敘述-中文	開發可適用於堆疊式交互陣列架構的 RRAM元件(X-point RRAM, 1S1R device) ，以應用在高密度儲存式記憶體領域。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	交互陣列結構開發雙向選擇器開發電性量測技術開發 I(V)/I(V/2) ≧100，I≦100uA， Cell size≦4F^2，Half pitch ≦0.18um
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	IDM或記憶體製造廠商
潛力預估	本提案中的電阻式記憶體不但具有上述優異特性，也展示出取代快閃記憶體的可能性，此外，在製程上與現今CMOS製程完全相容，所以，具有相當的市場接受性。國內除了少數公司投入研發之外，可替代之技術來源皆為國外大廠。
聯絡人員	張順賢
電話	03-5913917
傳真	03-5917690
電子信箱	shchang@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備	Lithography、Etching、PECVD、PVD、ECD、CMP 等
需具備之專業人才	須具半導體製造能力，或相關應用之設計能力
同步更新日期	2024-09-03

序號

7580

產出年度

104

技術名稱-中文

新興三維記憶體(RRAM)元件技術

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

高階手持裝置三維整合應用技術計畫

領域

智慧科技

已申請專利之國家

中國、美國、中國大陸

已獲得專利之國家

中國、美國、中國大陸

技術現況敘述-中文

開發可適用於堆疊式交互陣列架構的 RRAM元件(X-point RRAM, 1S1R device) ，以應用在高密度儲存式記憶體領域。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

交互陣列結構開發雙向選擇器開發電性量測技術開發 I(V)/I(V/2) ≧100，I≦100uA， Cell size≦4F^2，Half pitch ≦0.18um

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

IDM或記憶體製造廠商

潛力預估

本提案中的電阻式記憶體不但具有上述優異特性，也展示出取代快閃記憶體的可能性，此外，在製程上與現今CMOS製程完全相容，所以，具有相當的市場接受性。國內除了少數公司投入研發之外，可替代之技術來源皆為國外大廠。

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

03-5917690

電子信箱

shchang@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040

所須軟硬體設備

Lithography、Etching、PECVD、PVD、ECD、CMP 等

需具備之專業人才

須具半導體製造能力，或相關應用之設計能力

同步更新日期

2024-09-03

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