| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米生醫技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fe3O4奈米微粒滯性能： ‧r1=28.9, r2=222 ‧r2/ r1=7.68 B0=0.47T ； Dendrimer奈米微粒滯性能： 第一代: r1=23.1 and r2=22.3 (m... | 潛力預估: 根據美國生醫資訊科技中心(Center of Biomedical and Bioinformatic Technology)的最新的統計(2004年8月)，目前已經核准進入臨床實驗的各類特用分子影... |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 金屬催化平行反應平台:產品規格為Tg>100oC、純度>99% | 潛力預估: 本技術可快速合成及分析數十種以上的高光性主體(Host)材料，可加速有機電致發光平面顯示器用材料技術之發展，未來量產後預估相關產品產值將達新台幣2億元。 |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 摻雜型螢光粉可以紫外光激發而放射出特定波長的可見光。放射波長調控範圍:400~ 700nm。 | 潛力預估: 未來預估相關應用產品產值將達新台幣10億元。 |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 組裝後之系統具備量測膜厚、反射率、穿透率、吸收度、螢光光譜、色度、光學係數等功能，並兼具可連續多點量測之自動化功能。主要元件有光源兩組、單光儀、CCD 陣列式光譜儀、自動化 X-Y 移動平台、數據處... | 潛力預估: 利用本技術所組裝之自動化多功能光學特性檢測設備，可應用于光電或薄膜特性檢測上，國內相關檢測設備之年產值預估可達 3000-5000 萬元以上。 |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 孔徑: 5~25nm‧ 孔洞體積: 1.5~0.4cm3/g‧ 表面積: >100m2/g‧ 改質氧化鋁: 可由FT-IR檢測出特徵吸收峰 | 潛力預估: 奈米孔隙粉體因其奈米級的孔徑特性，而應用於精密分析或分離程序上。已完成建立高純度精密純化吸附劑之改質實驗技術與檢測技術，可提昇產品的附加價值，使奈米孔徑粉體朝多樣化功能發展預計高純化學品相關技術將可創... |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 銅導線層厚度<300nm，Adhesion layer<50nm，均勻度<10%，Adhesion pass Scotch Tape#810，粗糙度<10nm，Cu resistivity<2.6W... | 潛力預估: 未來第六世代以上大面積或是可撓性Panel TFT的金屬層主要沉積技術 |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 史脫克位移 > 80nm； 螢光量子效率 =0.55； 溶解度>0.4% | 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術，可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte，並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權，主導Sub-terabyte級儲存規格方... |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控)； 純度 > 90% (未純化產物)； 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度<±15% | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度<35°C。 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□_x000D_；介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V... | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 |