非對稱超級電容技術
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技術名稱-中文非對稱超級電容技術的執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是105, 計畫名稱是高值化碳素材料開發與應用技術計畫, 領域是民生福祉, 技術規格是操作電解液:水相電解液，操作電壓:2V，能量密度:17Wh/Kg，功率密度:10kW/Kg, 潛力預估是混合電源系統、再生能源儲能系統、高功率脈衝電源等.

序號	8397
產出年度	105
技術名稱-中文	非對稱超級電容技術
執行單位	中科院材料暨光電研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	高值化碳素材料開發與應用技術計畫
領域	民生福祉
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	搭配金屬氧化物/石墨烯/奈米碳材三相複合電極材料，並利用正負極非對稱組合模式，提高超級電容元件工作電壓，達到提升能量密度之目的。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	操作電解液:水相電解液，操作電壓:2V，能量密度:17Wh/Kg，功率密度:10kW/Kg
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	儲能元件製備技術
潛力預估	混合電源系統、再生能源儲能系統、高功率脈衝電源等
聯絡人員	張欽亮
電話	03-4712201轉354046
傳真	(03)4711024
電子信箱	csist@csistdup.org.tw
參考網址	http://www.csistdup.org.tw/index.aspx
所須軟硬體設備	高溫熱處理設備、加壓過濾器、超音波振盪器、真空機械攪拌機、真空烘箱
需具備之專業人才	化學化工、材料、機械
同步更新日期	2024-09-03

序號

8397

產出年度

105

技術名稱-中文

非對稱超級電容技術

執行單位

中科院材料暨光電研究所

產出單位

(空)

計畫名稱

高值化碳素材料開發與應用技術計畫

領域

民生福祉

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

搭配金屬氧化物/石墨烯/奈米碳材三相複合電極材料，並利用正負極非對稱組合模式，提高超級電容元件工作電壓，達到提升能量密度之目的。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

操作電解液:水相電解液，操作電壓:2V，能量密度:17Wh/Kg，功率密度:10kW/Kg

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

儲能元件製備技術

潛力預估

混合電源系統、再生能源儲能系統、高功率脈衝電源等

聯絡人員

張欽亮

電話

03-4712201轉354046

傳真

(03)4711024

電子信箱

csist@csistdup.org.tw

參考網址

http://www.csistdup.org.tw/index.aspx

所須軟硬體設備

高溫熱處理設備、加壓過濾器、超音波振盪器、真空機械攪拌機、真空烘箱

需具備之專業人才

化學化工、材料、機械

同步更新日期

2024-09-03

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單石微陣列噴墨晶片技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率 \| 潛力預估: 針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利
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無線生理訊號感測模組設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... \| 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...
光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver ．850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) ．2.5Gbps資料傳輸能力．100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) ．150... \| 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用，2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術，也是市場的主流。據IEK的資料顯示，預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...
超臨界點抗黏著乾燥技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length <= 1000 um 2. Length / Width Ratio：50 ‧ 結構層：Poly Silicon，厚度範圍：1 ~ 2 um。 ‧ 犧牲... \| 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 \| 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等