Method for the preparation of ferrocenyl-1,3-butadiene
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專利名稱-中文Method for the preparation of ferrocenyl-1,3-butadiene的核准國家是美國, 證書號碼是6664409, 專利性質是發明, 執行單位是中科院化學所, 產出年度是93, 計畫名稱是功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫, 專利發明人是鍾顯政.

序號42
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文Method for the preparation of ferrocenyl-1,3-butadiene
執行單位中科院化學所
產出單位(空)
計畫名稱功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
專利發明人鍾顯政
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6664409
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文Ferrocenecarbonyl and allyl bromide are reacted in an ether solvent and in the presence of magnesium metal as a catalyst. The liquid portion of the reaction mixture is introduced into a silica gel column, wherein the weak acidity of the silica gel is able to dehydrate the reaction intermediate 1-ferrocenyl-3-buten-1-ol product. The column is eluted with n-hexane, and after evaporating the solvent from the eluate collected, a purified ferrocenyl-1,3-butadiene product is obtained
技術摘要-英文(空)
聯絡人員蘇文炯
電話(03)4458047
傳真(03)4719940
電子信箱(空)
參考網址(空)
備註原領域別為材料化工,95年改為生醫材化
特殊情形(空)

序號

42

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

Method for the preparation of ferrocenyl-1,3-butadiene

執行單位

中科院化學所

產出單位

(空)

計畫名稱

功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫

專利發明人

鍾顯政

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6664409

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

Ferrocenecarbonyl and allyl bromide are reacted in an ether solvent and in the presence of magnesium metal as a catalyst. The liquid portion of the reaction mixture is introduced into a silica gel column, wherein the weak acidity of the silica gel is able to dehydrate the reaction intermediate 1-ferrocenyl-3-buten-1-ol product. The column is eluted with n-hexane, and after evaporating the solvent from the eluate collected, a purified ferrocenyl-1,3-butadiene product is obtained

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

蘇文炯

電話

(03)4458047

傳真

(03)4719940

電子信箱

(空)

參考網址

(空)

備註

原領域別為材料化工,95年改為生醫材化

特殊情形

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Method for the Preparation of α,α,α,α-tetrachloro-p-xylene

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6992231B2 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 鍾顯政、林俊旭、施明德、張鍾潛

@ 技術司專利資料集

Method for preparation of α,α,α,α-tetrachloro-p- xylene with high purity

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7060862B2 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 鍾顯政、林俊旭、涂朝洲、張鍾潛

@ 技術司專利資料集

1,4-雙(二氟溴甲基)苯之純化方法及其裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 鍾顯政、林俊旭、涂朝洲、張鍾潛

@ 技術司專利資料集

製備α,α,α,α-四氯-對-二甲苯的新穎製程

核准國家: 日本 | 證書號碼: 特許4096564 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 | 專利發明人: 鍾顯政,林俊旭,涂朝洲,張鍾潛

@ 技術司專利資料集

聚醯亞胺之合成方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 199859 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 鍾顯政

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含羥基可交聯的偏二氟乙烯共聚合物之製備方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 199880 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 鍾顯政

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氟素撥水撥油劑之製備方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 199884 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 鍾顯政,許鴻裕

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Method for the Preparation of 2, 2, 3,4,4,4-Hexafluoro -I-Butanol

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6740786B1 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 鍾顯政,古旺彩,梁仲謀

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Method for the Preparation of α,α,α,α-tetrachloro-p-xylene

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6992231B2 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 鍾顯政、林俊旭、施明德、張鍾潛

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Method for preparation of α,α,α,α-tetrachloro-p- xylene with high purity

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7060862B2 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 鍾顯政、林俊旭、涂朝洲、張鍾潛

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1,4-雙(二氟溴甲基)苯之純化方法及其裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 鍾顯政、林俊旭、涂朝洲、張鍾潛

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製備α,α,α,α-四氯-對-二甲苯的新穎製程

核准國家: 日本 | 證書號碼: 特許4096564 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 | 專利發明人: 鍾顯政,林俊旭,涂朝洲,張鍾潛

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聚醯亞胺之合成方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 199859 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 鍾顯政

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含羥基可交聯的偏二氟乙烯共聚合物之製備方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 199880 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 鍾顯政

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氟素撥水撥油劑之製備方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 199884 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 鍾顯政,許鴻裕

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Method for the Preparation of 2, 2, 3,4,4,4-Hexafluoro -I-Butanol

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6740786B1 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 鍾顯政,古旺彩,梁仲謀

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EpoxyResin,CuringAgentand9,10-Dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthreneDerivative

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7897702B2 | 專利期間起: 100/03/01 | 專利期間訖: 117/11/24 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 蘇文?、劉俊谷、鄭如忠、戴憲宏、林慶炫

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透明功能性導電樹脂研究

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 抗靜電包裝高分子材、無塵室防靜電板材、EMI/RFI遮蔽材、雷達波吸收材等

@ 技術司可移轉技術資料集

SEBS based之低煙無鹵耐燃級TPR材料性能評估

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 難燃等級UL94 V-0、LOI > 28、煙濃度Dm < 300、Tb > 50 (kg/cm2)、Eb > 300 (%)、HS < 90 (Shore A)、MFI < 30 ( g/10min... | 潛力預估: 熱可塑性彈性體(TPR)為新興高分子合成材料,年成長率6-7%,以大陸用量20萬噸,將快速攀升至45萬噸,環保型難燃TPR為未來趨勢,配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規,商機無限

@ 技術司可移轉技術資料集

無鹵難燃熱熔膠研製

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 難燃等級UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg) > 80℃、軟化點 > 150℃、黏度(180℃) 8000 ~ 11500 mPas、接著剪斷強度(25℃) > 2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-1... | 潛力預估: 熱熔膠年產值約36100公噸,其中難燃級佔5%,年成長率6-7%,環保型熱熔膠為未來趨勢,配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規,商機無限

@ 技術司可移轉技術資料集

三聚氰胺衍生物包覆聚磷酸銨研究

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 磷含量30-31%,聚合度n>1000 | 潛力預估: 高磷含量的無機磷化物在適當相容性材質具高使用價值,以自製三聚氰胺衍生物應用於包覆,可提升產品應用範圍與增加其效益

@ 技術司可移轉技術資料集

鄰苯酚膦化反應技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 產品磷含量>10%,酸價<0.1% | 潛力預估: 應用本技術可衍生開發新型難燃劑,或新型雙功能抗氧化劑,配合環保法規,商機無限

@ 技術司可移轉技術資料集

有機奈米導電樹脂研究

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 覆膜厚度50-250nm、表面電阻104~109Ω/sq、透光率>70%(550nm) | 潛力預估: 因應EMI管制措施等,市場年成長率可達34%。

@ 技術司可移轉技術資料集

環保型耐燃熱熔膠研製

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg)>80℃、軟化點>150℃、黏度(180℃)8000~11500mPas、接著剪斷強度(25℃)>2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-10℃)>0.3 N/mm2 | 潛力預估: 目前世界上尚未有廠家成功開發出無鹵環保型耐燃熱熔膠,但都已積極投入開發中;然而各大電子廠受限於歐美環保法規限制,對於環保型耐燃熱熔膠之需求十分殷切。

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EpoxyResin,CuringAgentand9,10-Dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthreneDerivative

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7897702B2 | 專利期間起: 100/03/01 | 專利期間訖: 117/11/24 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 蘇文?、劉俊谷、鄭如忠、戴憲宏、林慶炫

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透明功能性導電樹脂研究

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 抗靜電包裝高分子材、無塵室防靜電板材、EMI/RFI遮蔽材、雷達波吸收材等

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SEBS based之低煙無鹵耐燃級TPR材料性能評估

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 難燃等級UL94 V-0、LOI > 28、煙濃度Dm < 300、Tb > 50 (kg/cm2)、Eb > 300 (%)、HS < 90 (Shore A)、MFI < 30 ( g/10min... | 潛力預估: 熱可塑性彈性體(TPR)為新興高分子合成材料,年成長率6-7%,以大陸用量20萬噸,將快速攀升至45萬噸,環保型難燃TPR為未來趨勢,配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規,商機無限

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無鹵難燃熱熔膠研製

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 難燃等級UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg) > 80℃、軟化點 > 150℃、黏度(180℃) 8000 ~ 11500 mPas、接著剪斷強度(25℃) > 2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-1... | 潛力預估: 熱熔膠年產值約36100公噸,其中難燃級佔5%,年成長率6-7%,環保型熱熔膠為未來趨勢,配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規,商機無限

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三聚氰胺衍生物包覆聚磷酸銨研究

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 磷含量30-31%,聚合度n>1000 | 潛力預估: 高磷含量的無機磷化物在適當相容性材質具高使用價值,以自製三聚氰胺衍生物應用於包覆,可提升產品應用範圍與增加其效益

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鄰苯酚膦化反應技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 產品磷含量>10%,酸價<0.1% | 潛力預估: 應用本技術可衍生開發新型難燃劑,或新型雙功能抗氧化劑,配合環保法規,商機無限

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有機奈米導電樹脂研究

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 覆膜厚度50-250nm、表面電阻104~109Ω/sq、透光率>70%(550nm) | 潛力預估: 因應EMI管制措施等,市場年成長率可達34%。

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環保型耐燃熱熔膠研製

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg)>80℃、軟化點>150℃、黏度(180℃)8000~11500mPas、接著剪斷強度(25℃)>2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-10℃)>0.3 N/mm2 | 潛力預估: 目前世界上尚未有廠家成功開發出無鹵環保型耐燃熱熔膠,但都已積極投入開發中;然而各大電子廠受限於歐美環保法規限制,對於環保型耐燃熱熔膠之需求十分殷切。

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與Method for the preparation of ferrocenyl-1,3-butadiene同分類的技術司專利資料集

場發射顯示器之支撐柱挾持結構與方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202592 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林偉義, 蕭名君, 陳盈憲, 曾企民, 蕭雲嬌

利用TIO2層製作擴散式反射板

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206687 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 陳明道, 黃良瑩, 翁逸君, 吳耀庭, 蔡明郎, 溫俊祥, 林顯光

具無機及有機功能性構裝基板

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 196534 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 吳仕先, 李明林, 賴信助

奈米碳管閘極之電晶體結構與製程

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 222742 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 魏拯華, 陳信輝, 賴明駿, 王宏祥, 高明哲

元件轉貼之方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 221010 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳昱丞, 王文通, 張榮芳, 湯景萱

多層互補式導線結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220775 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳昱丞, 陳麒麟

以矽為基材之微機電射頻開關製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220142 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 陳振頤

覆晶構裝接合結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 222725 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋

於基板上形成空間支撐物的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223307 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 李正中, 何家充, 蕭名君

具內藏電容之基板結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 205395 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鍾佩翰, 李明林, 賴信助, 吳仕先, 張慧如, 鄭玉美

塑膠基板彩色濾光片製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206792 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 何家充, 廖奇璋, 辛隆賓

熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220305 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌

液晶顯示器製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223113 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 林英哲, 翁逸君, 許家榮, 辛隆賓, 劉康弘, 詹景翔, 沙益安, 黃鑫茂

電泳顯示器之製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 203568 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 劉康弘, 辛隆賓, 翁逸君, 沙益安, 詹景翔, 許家榮, 吳仲文, 林耀生

薄膜電晶體陣列製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220534 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 陳政忠, 陳麒麟, 許財源

場發射顯示器之支撐柱挾持結構與方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202592 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林偉義, 蕭名君, 陳盈憲, 曾企民, 蕭雲嬌

利用TIO2層製作擴散式反射板

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206687 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 陳明道, 黃良瑩, 翁逸君, 吳耀庭, 蔡明郎, 溫俊祥, 林顯光

具無機及有機功能性構裝基板

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 196534 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 吳仕先, 李明林, 賴信助

奈米碳管閘極之電晶體結構與製程

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 222742 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 魏拯華, 陳信輝, 賴明駿, 王宏祥, 高明哲

元件轉貼之方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 221010 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳昱丞, 王文通, 張榮芳, 湯景萱

多層互補式導線結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220775 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳昱丞, 陳麒麟

以矽為基材之微機電射頻開關製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220142 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 陳振頤

覆晶構裝接合結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 222725 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋

於基板上形成空間支撐物的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223307 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 李正中, 何家充, 蕭名君

具內藏電容之基板結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 205395 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鍾佩翰, 李明林, 賴信助, 吳仕先, 張慧如, 鄭玉美

塑膠基板彩色濾光片製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206792 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 何家充, 廖奇璋, 辛隆賓

熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220305 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌

液晶顯示器製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223113 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 林英哲, 翁逸君, 許家榮, 辛隆賓, 劉康弘, 詹景翔, 沙益安, 黃鑫茂

電泳顯示器之製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 203568 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 劉康弘, 辛隆賓, 翁逸君, 沙益安, 詹景翔, 許家榮, 吳仲文, 林耀生

薄膜電晶體陣列製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220534 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 陳政忠, 陳麒麟, 許財源

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