應用奈米管增加半導體元件電容之方法
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專利名稱-中文應用奈米管增加半導體元件電容之方法的核准國家是美國, 證書號碼是6759305, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是李鈞道, 崔秉鉞, 李正中.

序號	797
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	應用奈米管增加半導體元件電容之方法
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人	李鈞道 \| 崔秉鉞 \| 李正中
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	6759305
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種應用奈米管增加半導體元件電容之方法，適用於一基板，包括下列步驟：定義一觸媒區域於上述基板之表面。形成一奈米管於上述觸媒區域。形成一第一介電層於上述奈米管及上述基板之表面。以及，形成一電極層於上述第一介電層之表面。藉由上述方法，就可在不需要增加電容所佔的底面積之情況下，簡單地利用奈米管圓柱的側表面來增加電容電極的面積，而達到大幅度地提昇電容值之效果，且上述方法製程簡單，能大幅降低製造成本。_x000D_ _x000D_
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	謝旺廷
電話	03-5913551
傳真	(空)
電子信箱	wthsieh@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)

序號

797

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

應用奈米管增加半導體元件電容之方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

李鈞道 | 崔秉鉞 | 李正中

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6759305

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種應用奈米管增加半導體元件電容之方法，適用於一基板，包括下列步驟：定義一觸媒區域於上述基板之表面。形成一奈米管於上述觸媒區域。形成一第一介電層於上述奈米管及上述基板之表面。以及，形成一電極層於上述第一介電層之表面。藉由上述方法，就可在不需要增加電容所佔的底面積之情況下，簡單地利用奈米管圓柱的側表面來增加電容電極的面積，而達到大幅度地提昇電容值之效果，且上述方法製程簡單，能大幅降低製造成本。_x000D_ _x000D_

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

(空)

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應用奈米管增加動態隨機記憶體電容之技術

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LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集

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研磨機進料結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 211613 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳珠修 \| 楊奉儒 \| 李明晃
液晶顯示器反射表面的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195728 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 韋忠光
以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6713377 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 李傳英 \| 黃尊禧
以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6660625 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 李傳英 \| 黃尊禧

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