多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是189620, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是微奈米系統應用技術四年計畫, 專利發明人是莊世瑋, 鍾震桂, 陳仲竹.

序號	855
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	微奈米系統應用技術四年計畫
專利發明人	莊世瑋 \| 鍾震桂 \| 陳仲竹
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	189620
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種多方向邏輯式微流體控制系統及其方法，透過控制連接於微流體元件的微管道之流體通過與否，來決定流體的流向和混合數目；即令連接於流體元件的複數個微管道中，流體預定流動方向之微管道允許流體通過，非流體預定流動方向之微管道皆不讓流體通過，使流體朝流體預定流動方向流動；配合本發明方法所組成的系統更可與控制器結合載入程式，以進行更加複雜之流體運動。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820432
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形	(空)

序號

855

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

微奈米系統應用技術四年計畫

專利發明人

莊世瑋 | 鍾震桂 | 陳仲竹

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

189620

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種多方向邏輯式微流體控制系統及其方法，透過控制連接於微流體元件的微管道之流體通過與否，來決定流體的流向和混合數目；即令連接於流體元件的複數個微管道中，流體預定流動方向之微管道允許流體通過，非流體預定流動方向之微管道皆不讓流體通過，使流體朝流體預定流動方向流動；配合本發明方法所組成的系統更可與控制器結合載入程式，以進行更加複雜之流體運動。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

楊倉錄

電話

03-5914393

傳真

03-5820432

電子信箱

yangtl@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

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低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 196530 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 莊世瑋, 陳仲竹 @ 技術司專利資料集
熱氣泡式低電壓低功率微流體驅動器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL03103124.2 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 95 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂、莊世瑋、陳仲竹 @ 技術司專利資料集

低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置

@ 技術司專利資料集

熱氣泡式低電壓低功率微流體驅動器

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電化學蝕刻停止技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 \| 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
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矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高 @ 技術司可移轉技術資料集
室溫熱像儀驅動顯示控制技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 \| 潛力預估: 應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低 @ 技術司可移轉技術資料集
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 \| 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 \| 潛力預估: 潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集

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耐濕性二硫化鉬固體潤滑膜及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189442 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 \| 專利發明人: 李新中、楊玉森、卓廷彬
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非金屬基材表面之多層金屬鍍膜及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 207037 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 \| 專利發明人: 朱繼文、劉伍健、卓廷彬、楊玉森
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球閥耐火結構改良	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 211530 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 \| 專利發明人: 林庭凱、江文欽
模具內傳送機構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 214980 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 \| 專利發明人: 林志浩、蔡行知、魏江銘
球閥結構改良	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220003 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 \| 專利發明人: 江文欽、林庭凱
用於物理氣相沉積之金屬化銦錫氧化物靶	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195390 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 \| 專利發明人: 朱繼文、楊玉森、邱松茂
U形支架式具位置指示之閥手輪	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 222536 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 \| 專利發明人: 仲之豪、林進順
球閥結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: 634651 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 \| 專利發明人: 江文欽、林庭凱
球閥防火結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: 634266 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 \| 專利發明人: 林庭凱、江文欽

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