微型熱電裝置及其製造方法
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微型熱電冷卻裝置之結構及製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I237884 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 劉君愷 | 鄭仁豪

將生醫晶片整合於微型熱電元件之方法以及其結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I252920 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鄭仁豪 | 劉君愷

固態冷卻結構與其整合至封裝元件的形成方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I254432 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 劉君愷 | 鄭仁豪

光電模組模封裝

核准國家: 美國 | 證書號碼: | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳文彥 | 范榮昌 | 劉君愷

半導體裝置

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8674491 | 專利期間起: 120/10/26 | 專利期間訖: 一種半導體裝置，包括一矽基板、多個矽奈米線束、一第一線路層以及一第二線路層。矽基板具有相對的一第一表面與一第二表面及多個貫孔。這些矽奈米線束分別配置於矽基板上的貫孔。第一線路層配置於第一表面並電性連接... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 劉君愷 | 劉漢誠 | 戴明吉 | 譚瑞敏

半導體裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I441305 | 專利期間起: 119/12/20 | 專利期間訖: 一種半導體裝置，包括一矽基板、多個矽奈米線束、一第一線路層以及一第二線路層。矽基板具有相對的一第一表面與一第二表面及多個貫孔。這些矽奈米線束分別配置於矽基板上的貫孔。第一線路層配置於第一表面並電性連接... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 劉君愷 | 劉漢誠 | 戴明吉 | 譚瑞敏

熱交換器以及半導體模組

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I482244 | 專利期間起: 104/04/21 | 專利期間訖: 121/11/18 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 | 專利發明人: 楊書榮 | 趙玉麟 | 劉君愷 | 王啟川 | 劉坤穎

IGBT高功率模組封裝技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出耐電壓Vce=600V, Ic=5.9uA, 輸出耐電流Ic=450A, Vce(sat)=2.25V， 輸入耐電流Vge=20V, Ige=0.06μA 臨界電壓值Vge=6.1V, Ic=5... | 潛力預估: 國內目前並無相關技術開發,此技術預期將可帶動台灣相關封裝及材料等產業技術升級並帶動超過十億的商機

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計，包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證，內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫，提供客戶設計階段導入應用之服務，提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、桌上型電腦，筆記型電腦、主機板、消...

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... | 潛力預估: 基板內藏被動元件，可以取代傳統SMD元件，市場上具有龐大的商業潛力，依據市場知名市調公司PRISMARK預估，西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上，商機需求逐年擴增；且係通訊產品高...

迴路型熱管散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域：45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小)；傳輸距離30 cm | 潛力預估: 以真空硬銲方式接合，外觀與強度符合所需，蒸發端與冷凝端均為平面構造，易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...

電腦輔助熱傳設計分析技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪（94﹪ 信賴度） | 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包

IC及LED熱阻量測技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 依循JEDEC Standard、SEMI Standard | 潛力預估: 主要設備，均是國內自行開發完成，價格較國外節省30%。

焊點可靠性評估技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: MIL-883D | 潛力預估: 面對全球電子產業對產品可靠度評估需求的增加，特別是此種評估技術的需求已經從單純的電子封裝產品電路板級的焊點可靠度評估，衍生到系統廠組裝後的可靠度評估，及封裝廠的多晶圓模組封裝MCM及IC設計公司的Si...