熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構的核准國家是中華民國, 證書號碼是220305, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫, 專利發明人是呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌.

序號893
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
專利發明人呂芳俊 | 游善溥 | 陳守龍 | 林志榮 | 李榮賢 | 范榮昌
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼220305
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種具有熱傳增益效果之三維晶片堆疊構裝架構,其係應用在多晶片堆疊整合技術中,其上層晶片係以穿孔構裝方式電性連接至下層晶片,而底層晶片可以同樣之穿孔構裝方式電性耦接至基板以形成一多晶片堆疊結構,另有一導熱增益結構於該多晶片堆疊結構旁用以導熱,本架構之特點在於至少一晶片有一導熱部件與該晶片形成一導熱性接觸以導熱至一導熱裝置,且多晶片堆疊結構係經由晶片穿孔一次構裝電性連接至基板,因此晶片產生的熱,直接經由該導熱部件至該導熱裝置而逸散,提供更高的散熱效能且不佔據多晶片堆疊空間,而穿孔一次構裝提供簡單之製作流程,故可有散熱性佳、構裝尺寸小及製造簡單等優點。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5820412
電子信箱kcwen@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為材料化工,95年改為生醫材化
特殊情形(空)

序號

893

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫

專利發明人

呂芳俊 | 游善溥 | 陳守龍 | 林志榮 | 李榮賢 | 范榮昌

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

220305

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種具有熱傳增益效果之三維晶片堆疊構裝架構,其係應用在多晶片堆疊整合技術中,其上層晶片係以穿孔構裝方式電性連接至下層晶片,而底層晶片可以同樣之穿孔構裝方式電性耦接至基板以形成一多晶片堆疊結構,另有一導熱增益結構於該多晶片堆疊結構旁用以導熱,本架構之特點在於至少一晶片有一導熱部件與該晶片形成一導熱性接觸以導熱至一導熱裝置,且多晶片堆疊結構係經由晶片穿孔一次構裝電性連接至基板,因此晶片產生的熱,直接經由該導熱部件至該導熱裝置而逸散,提供更高的散熱效能且不佔據多晶片堆疊空間,而穿孔一次構裝提供簡單之製作流程,故可有散熱性佳、構裝尺寸小及製造簡單等優點。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

溫國城

電話

03-5915654

傳真

03-5820412

電子信箱

kcwen@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為材料化工,95年改為生醫材化

特殊情形

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冬瓜香料 MF-220305

英文商品名稱: WINTERMELON FLAVOR MF-220305 | 食品添加物產品登錄碼: TFAA30000809206 | 分類: | 型態: 液狀(液劑、液體)、 | 公司或商業登記名稱: 龍源香料股份有限公司 | 食品業者登錄字號: A-115490309-00000-9

@ 食品添加物業者及產品登錄資料集

新北市中和區景德街95之11號

總價元: 12000000 | 房地(土地+建物) | 建物移轉總面積平方公尺: 54.47 | 土地移轉總面積平方公尺: 10.7 | 建築完成年月: 0960803 | 都市土地使用分區: | 建物型態: 華廈(10層含以下有電梯) | 主要用途: 商辦用 | 交易年月日: 1130506

@ 不動產實價登錄資訊-買賣案件

致理學校財團法人致理科技大學

地址: 新北市板橋區文化路1段313號 | 電子交換: | 發文方式: 電子交換 | 單位代碼: | 機關代碼: 310993300Q

@ Web版公文製作之全國通訊錄

致理學校財團法人致理科技大學附設進修學院

地址: 新北市板橋區文化路1段313號 | 電子交換: | 發文方式: 電子交換 | 單位代碼: U800000 | 機關代碼: 310993300Q

@ Web版公文製作之全國通訊錄

致理學校財團法人致理科技大學軍訓室

地址: 新北市板橋區文化路1段313號 | 電子交換: | 發文方式: 電子交換 | 單位代碼: U320000 | 機關代碼: 310993300Q

@ Web版公文製作之全國通訊錄

致理學校財團法人

地址: 新北市板橋區文化路1段313號 | 電子交換: | 發文方式: 電子交換 | 單位代碼: U830000 | 機關代碼: 310993300Q

@ Web版公文製作之全國通訊錄

致理學校財團法人致理科技大學校長遴選委員會

地址: 新北市板橋區文化路1段313號 | 電子交換: | 發文方式: 電子交換 | 單位代碼: U840000 | 機關代碼: 310993300Q

@ Web版公文製作之全國通訊錄

台廣資訊股份有限公司

地址: 新北市板橋區文化路1段313號誠信館2樓(H201室) | 電子交換: | 發文方式: 電子交換 | 單位代碼: | 機關代碼: EB54676830

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冬瓜香料 MF-220305

英文商品名稱: WINTERMELON FLAVOR MF-220305 | 食品添加物產品登錄碼: TFAA30000809206 | 分類: | 型態: 液狀(液劑、液體)、 | 公司或商業登記名稱: 龍源香料股份有限公司 | 食品業者登錄字號: A-115490309-00000-9

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總價元: 12000000 | 房地(土地+建物) | 建物移轉總面積平方公尺: 54.47 | 土地移轉總面積平方公尺: 10.7 | 建築完成年月: 0960803 | 都市土地使用分區: | 建物型態: 華廈(10層含以下有電梯) | 主要用途: 商辦用 | 交易年月日: 1130506

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面光源以及可撓性面光源

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL201210282372.9 | 專利期間起: 105/02/09 | 專利期間訖: 122/09/22 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 許詔開 ,陳裕華 ,駱韋仲

@ 技術司專利資料集

晶片接合結構及其接合方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I534973 | 專利期間起: 105/09/07 | 專利期間訖: 122/03/19 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳尚駿 ,林哲歆 ,顧子琨

@ 技術司專利資料集

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

@ 技術司可移轉技術資料集

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

@ 技術司可移轉技術資料集

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

@ 技術司可移轉技術資料集

3D基板式堆疊構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_;一步成型式導通孔技術 | 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展,除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小, 提升電子產品縮小化的效率外,更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中,而以最有效益的方式,達到System in Packa...

@ 技術司可移轉技術資料集

增益型晶圓級晶方尺度構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm;Pitch: 0.8mm, 1.0mm;Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_;Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design,。其結構設計,第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝,第二層之應...

@ 技術司可移轉技術資料集

銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_;Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_;UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... | 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線,銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗,尤其當線寬愈來愈窄的時候,其對高頻的影響愈來愈大,被視為下一代高速積體電路的明星製程,然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術,而國內...

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面光源以及可撓性面光源

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL201210282372.9 | 專利期間起: 105/02/09 | 專利期間訖: 122/09/22 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 許詔開 ,陳裕華 ,駱韋仲

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晶片接合結構及其接合方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I534973 | 專利期間起: 105/09/07 | 專利期間訖: 122/03/19 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳尚駿 ,林哲歆 ,顧子琨

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厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

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低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

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矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

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3D基板式堆疊構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_;一步成型式導通孔技術 | 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展,除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小, 提升電子產品縮小化的效率外,更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中,而以最有效益的方式,達到System in Packa...

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增益型晶圓級晶方尺度構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm;Pitch: 0.8mm, 1.0mm;Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_;Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design,。其結構設計,第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝,第二層之應...

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銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_;Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_;UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... | 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線,銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗,尤其當線寬愈來愈窄的時候,其對高頻的影響愈來愈大,被視為下一代高速積體電路的明星製程,然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術,而國內...

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一種噴墨頭墨水儲存裝置及其供給方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00100896.X | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 王介文, 侯怡仲, 張智超

可精確測量加熱元件溫度的噴墨打印頭及其測量方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00100897.8 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪

精確量測噴墨印頭加熱元件溫度的方法和結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 189849 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪

噴墨頭墨水壓力控制裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00100898.6 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝樹崢, 蘇士豪, 許成偉, 陳錦泰, 侯怡仲, 王介文

噴墨印頭芯片及噴墨印頭壽命與缺陷的檢測方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00106427.4 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 李明玲, 藍元亮, 呂志平, 鄭陳煜

一種噴墨匣的噴墨頭晶片的封裝方法及封裝構造

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01102417.8 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 蘇士豪, 王介文, 呂志平

安排噴墨頭的噴孔的方法及其構造

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01109007.3 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 張輝煌, 黃友澤

一種熱氣泡噴墨印頭的制法及其結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01100028.7 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 武東星, 鄭陳煜, 胡紀平, 吳義勇, 李憶興

多色階噴墨頭晶片結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01109057.X | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 邱慶龍, 蘇士豪

噴墨筆的墨水壓力調節裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01103984.1 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 侯怡仲, 王介文, 藍元亮

噴墨印頭晶片之驅動電晶體結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,666,545 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉建宏, 劉健群, 張智超, 胡紀平, 陳俊融

壓力調節裝置及利用此壓力調節裝置之噴墨印頭

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,644,795 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林順泉, 張智超, 蘇士豪, 陳俊融, 李柏勳, 羅啟賓

微流模組

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 186642 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 楊進成, 毛慶宜, 吳周霖

生物晶片製造治具之影像對位裝置及方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 191424 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 蘇士豪, 楊孟達, 劉健群, 張智超

以投射方式製作影像顯示器面板之裝置以及導電基板形成圖案之裝置與方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198956 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉貞豪, 陳俊融

一種噴墨頭墨水儲存裝置及其供給方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00100896.X | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 王介文, 侯怡仲, 張智超

可精確測量加熱元件溫度的噴墨打印頭及其測量方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00100897.8 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪

精確量測噴墨印頭加熱元件溫度的方法和結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 189849 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪

噴墨頭墨水壓力控制裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00100898.6 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝樹崢, 蘇士豪, 許成偉, 陳錦泰, 侯怡仲, 王介文

噴墨印頭芯片及噴墨印頭壽命與缺陷的檢測方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00106427.4 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 李明玲, 藍元亮, 呂志平, 鄭陳煜

一種噴墨匣的噴墨頭晶片的封裝方法及封裝構造

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01102417.8 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 蘇士豪, 王介文, 呂志平

安排噴墨頭的噴孔的方法及其構造

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01109007.3 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 張輝煌, 黃友澤

一種熱氣泡噴墨印頭的制法及其結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01100028.7 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 武東星, 鄭陳煜, 胡紀平, 吳義勇, 李憶興

多色階噴墨頭晶片結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01109057.X | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 邱慶龍, 蘇士豪

噴墨筆的墨水壓力調節裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01103984.1 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 侯怡仲, 王介文, 藍元亮

噴墨印頭晶片之驅動電晶體結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,666,545 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉建宏, 劉健群, 張智超, 胡紀平, 陳俊融

壓力調節裝置及利用此壓力調節裝置之噴墨印頭

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,644,795 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林順泉, 張智超, 蘇士豪, 陳俊融, 李柏勳, 羅啟賓

微流模組

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 186642 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 楊進成, 毛慶宜, 吳周霖

生物晶片製造治具之影像對位裝置及方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 191424 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 蘇士豪, 楊孟達, 劉健群, 張智超

以投射方式製作影像顯示器面板之裝置以及導電基板形成圖案之裝置與方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198956 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉貞豪, 陳俊融

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