改善電子束近接效應之抗電子反射層結構
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文改善電子束近接效應之抗電子反射層結構的核准國家是美國, 執行單位是工研院機械所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是林熙翔, 陳建洋, 證書號碼是6,730,922.

序號1009
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文改善電子束近接效應之抗電子反射層結構
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人林熙翔, 陳建洋
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6,730,922
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種改善電子束近接效應之抗電子反射層結構，主要包含一基板、一電子阻劑層， 形成於該基板上方；以及至少一層抗電子反射層，形成於該基板、與該電子阻劑層 之間，其中，該抗電子反射層係允許一電子束循入射方向通過而達到該基板內部， 並能減少該電子束中經由該基板內部反射而返回至該電子阻劑層之電子數量。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

1009

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

改善電子束近接效應之抗電子反射層結構

執行單位

工研院機械所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

林熙翔, 陳建洋

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6,730,922

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種改善電子束近接效應之抗電子反射層結構，主要包含一基板、一電子阻劑層， 形成於該基板上方；以及至少一層抗電子反射層，形成於該基板、與該電子阻劑層 之間，其中，該抗電子反射層係允許一電子束循入射方向通過而達到該基板內部， 並能減少該電子束中經由該基板內部反射而返回至該電子阻劑層之電子數量。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

呂美玲

電話

03-5915898

傳真

03-5820316

電子信箱

meilingleu@itri.org.tw

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http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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# 改善電子束近接效應之抗電子反射層結構 於 經濟部產業技術司–專利資料集

序號1008
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文改善電子束近接效應之抗電子反射層結構
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人林熙翔, 陳建洋
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼189396
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種改善電子束近接效應之抗電子反射層結構，主要包含一基板、一電子阻劑層， 形成於該基板上方；以及至少一層抗電子反射層，形成於該基板、與該電子阻劑層 之間，其中，該抗電子反射層係允許一電子束循入射方向通過而達到該基板內部， 並能減少該電子束中經由該基板內部反射而返回至該電子阻劑層之電子數量。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
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備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1008
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 改善電子束近接效應之抗電子反射層結構
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 林熙翔, 陳建洋
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 189396
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種改善電子束近接效應之抗電子反射層結構，主要包含一基板、一電子阻劑層， 形成於該基板上方；以及至少一層抗電子反射層，形成於該基板、與該電子阻劑層 之間，其中，該抗電子反射層係允許一電子束循入射方向通過而達到該基板內部， 並能減少該電子束中經由該基板內部反射而返回至該電子阻劑層之電子數量。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
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備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)
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黏著接合轉印製造方法與裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鄭瑞庭、林熙翔、蔡宏營、蘇建彰、陳建洋 | 證書號碼: I228638

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

高密度碟片成型方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 95 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林熙翔、鄭瑞庭、陳建洋、蘇建彰 | 證書號碼: I257625

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

黏著接合轉印製造方法與裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鄭瑞庭、林熙翔、蔡宏營、蘇建彰、陳建洋 | 證書號碼: I228638

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

高密度碟片成型方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 95 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林熙翔、鄭瑞庭、陳建洋、蘇建彰 | 證書號碼: I257625

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# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號1007
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文鑽石/鑽石薄膜之延性加工技術
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人蔡宏營, 林宏彝, 吳東權
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼189523
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係提供一種鑽石類材質之延性加工技術，其中包括：提供一熱量加熱鑽石類 材質後施力於該受熱之鑽石類材質，藉由該加熱及施力可對鑽石類材質進行延性加 工；對鑽石薄膜施行延性加工技術時包括：一熱量加熱鑽石薄膜並以京輪研磨該受 熱之鑽石類材質，藉由該加熱及計算京輪研磨(grinding)臨界切深 (或加工壓力大 小) 可對鑽石類材質進行延性加工。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
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備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1007
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 鑽石/鑽石薄膜之延性加工技術
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 蔡宏營, 林宏彝, 吳東權
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 189523
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明係提供一種鑽石類材質之延性加工技術，其中包括：提供一熱量加熱鑽石類 材質後施力於該受熱之鑽石類材質，藉由該加熱及施力可對鑽石類材質進行延性加 工；對鑽石薄膜施行延性加工技術時包括：一熱量加熱鑽石薄膜並以京輪研磨該受 熱之鑽石類材質，藉由該加熱及計算京輪研磨(grinding)臨界切深 (或加工壓力大 小) 可對鑽石類材質進行延性加工。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
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備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號1010
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文準分子雷射對微球面與非球面高分子結構陣列製程
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人蔡宏營, 潘正堂, 周敏傑, 陳世洲, 林育生
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6,656,668
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種準分子雷射對微球面與非球面高分子結構陣列製程，藉由在以一 光罩上設有預定之曲線圖案，該曲線圖案於沿一直線方向上的寬度並不是 定值。當準分子雷射光源透過光罩上之曲線圖案照射並衝擊一基板上所塗 佈之高分子材而使其剝離蝕刻。並且當進行照射時，同時將基板沿著垂直 於該直線方向移動，使高分子材於沿著該直線方向上的不同位置處係受到 不同時間長度的照射，造成不同蝕刻深度，因而可將高分子材蝕刻成預定 形狀之立體圖案。並且，藉由兩次不同方向或是不同光罩圖案的照射蝕刻 ，可得到類球面或非球面的微陣列結構。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
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備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1010
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 準分子雷射對微球面與非球面高分子結構陣列製程
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 蔡宏營, 潘正堂, 周敏傑, 陳世洲, 林育生
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 6,656,668
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種準分子雷射對微球面與非球面高分子結構陣列製程，藉由在以一 光罩上設有預定之曲線圖案，該曲線圖案於沿一直線方向上的寬度並不是 定值。當準分子雷射光源透過光罩上之曲線圖案照射並衝擊一基板上所塗 佈之高分子材而使其剝離蝕刻。並且當進行照射時，同時將基板沿著垂直 於該直線方向移動，使高分子材於沿著該直線方向上的不同位置處係受到 不同時間長度的照射，造成不同蝕刻深度，因而可將高分子材蝕刻成預定 形狀之立體圖案。並且，藉由兩次不同方向或是不同光罩圖案的照射蝕刻 ，可得到類球面或非球面的微陣列結構。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
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備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號1011
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文微鏡片定位裝置
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人潘正堂, 陳世洲, 李國賓, 楊賢敏, 謝宸碩
核准國家中國大陸
獲證日期(空)
證書號碼ZL01110627.1
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種微鏡片定位裝置，主要包括水平定位單元、垂直定位單元及免干擾機制單元， 其中水平定位單元具有可固定微鏡片之功能，使微鏡片在攜帶及運送過程中，避免 震動、碰撞造成之微鏡片移位或損壞；垂直定位單元具有可將微鏡片作精準垂直定 位的功能；免干擾機制單元則可保障微鏡片免於微鏡片陣列中其他微鏡片之操作磁 場及外界磁場之干擾，故可保障微鏡片陣列之整體運作不受磁場干擾。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1011
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 微鏡片定位裝置
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 潘正堂, 陳世洲, 李國賓, 楊賢敏, 謝宸碩
核准國家: 中國大陸
獲證日期: (空)
證書號碼: ZL01110627.1
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種微鏡片定位裝置，主要包括水平定位單元、垂直定位單元及免干擾機制單元， 其中水平定位單元具有可固定微鏡片之功能，使微鏡片在攜帶及運送過程中，避免 震動、碰撞造成之微鏡片移位或損壞；垂直定位單元具有可將微鏡片作精準垂直定 位的功能；免干擾機制單元則可保障微鏡片免於微鏡片陣列中其他微鏡片之操作磁 場及外界磁場之干擾，故可保障微鏡片陣列之整體運作不受磁場干擾。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號1012
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文微結構探針卡之製法及其成品
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人周敏傑, 王宏杰, 彭駿光, 吳東權, 蔡宏營
核准國家日本
獲證日期(空)
證書號碼3584219
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種探針卡之製法及其成品，其製法包含：準備基材；在基材上若干位置分別蝕刻 一長槽氣臂空間及一自懸臂空間底部一端凹入之針頭空間；在懸臂空間及針頭空間 內電鑄成型懸臂及針頭；在基材頂面塗佈光阻，並以光刻法將光阻對應各懸臂遠離 針頭一端之部份蝕穿成穿透空缺；在光阻頂面覆上絕緣之座板，並以光刻法成型貫 穿座板並與懸臂接通之基座空間；在基座空間內電鑄成型探針基座；去除基材及光 阻。依此製出之探針卡具有探針密度高、接觸性佳、可作高速測試等優點。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1012
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 微結構探針卡之製法及其成品
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 周敏傑, 王宏杰, 彭駿光, 吳東權, 蔡宏營
核准國家: 日本
獲證日期: (空)
證書號碼: 3584219
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種探針卡之製法及其成品，其製法包含：準備基材；在基材上若干位置分別蝕刻 一長槽氣臂空間及一自懸臂空間底部一端凹入之針頭空間；在懸臂空間及針頭空間 內電鑄成型懸臂及針頭；在基材頂面塗佈光阻，並以光刻法將光阻對應各懸臂遠離 針頭一端之部份蝕穿成穿透空缺；在光阻頂面覆上絕緣之座板，並以光刻法成型貫 穿座板並與懸臂接通之基座空間；在基座空間內電鑄成型探針基座；去除基材及光 阻。依此製出之探針卡具有探針密度高、接觸性佳、可作高速測試等優點。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號1013
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文改良之近場光學飛行頭
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人羅士哲, 王鴻年, 林熙翔
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼221801
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質新型
技術摘要-中文一種可進行近場光學記錄之飛行頭，係包含一可維持於光碟片近場距離之承載台， 其前端設一固態浸沒式鏡片（ＳＩＬ），較內側設一可將雷射光聚焦至該ＳＩＬ之 聚焦鏡片；本創作提供之改良結構之一，係在該ＳＩＬ之折射面上鍍一光散射層及 一介電層，當受光或受熱時可分解出銀原子，銀原子能增強雷射光通過折射面之電 磁波，形同開啟一微小之光學孔穴；另一方式係在該折射面上鍍一遮罩層及一介電 層，其折射率可因雷射光之熱能而改變，使聚焦處開啟一微小孔穴供電磁波通過； 如此，射至光碟片之雷射光點較小，可作線寬更細之近場曝光。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1013
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 改良之近場光學飛行頭
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 羅士哲, 王鴻年, 林熙翔
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 221801
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 新型
技術摘要-中文: 一種可進行近場光學記錄之飛行頭，係包含一可維持於光碟片近場距離之承載台， 其前端設一固態浸沒式鏡片（ＳＩＬ），較內側設一可將雷射光聚焦至該ＳＩＬ之 聚焦鏡片；本創作提供之改良結構之一，係在該ＳＩＬ之折射面上鍍一光散射層及 一介電層，當受光或受熱時可分解出銀原子，銀原子能增強雷射光通過折射面之電 磁波，形同開啟一微小之光學孔穴；另一方式係在該折射面上鍍一遮罩層及一介電 層，其折射率可因雷射光之熱能而改變，使聚焦處開啟一微小孔穴供電磁波通過； 如此，射至光碟片之雷射光點較小，可作線寬更細之近場曝光。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號1014
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文以雙離子槍濺鍍薄膜於微米/奈米級結構表面之方法
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人蘇建彰, 蔡宏營, 林宏彝, 蔡哲正
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼196456
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種以雙離子槍濺鍍薄膜於微結構表面之方法，係利用一濺鍍離子槍對一靶材進行 轟擊以將靶材原子鍍製到一基板上形成薄膜，一加工離子槍則對該微結構表面剛形 成有薄膜之基板預定位置處進行轟擊加工，以促使該處表面獲得均勻膜厚。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1014
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 以雙離子槍濺鍍薄膜於微米/奈米級結構表面之方法
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 蘇建彰, 蔡宏營, 林宏彝, 蔡哲正
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 196456
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種以雙離子槍濺鍍薄膜於微結構表面之方法，係利用一濺鍍離子槍對一靶材進行 轟擊以將靶材原子鍍製到一基板上形成薄膜，一加工離子槍則對該微結構表面剛形 成有薄膜之基板預定位置處進行轟擊加工，以促使該處表面獲得均勻膜厚。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號1015
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文光切換器
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人羅裕龍, 陳奇夆
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼214506
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質新型
技術摘要-中文本創作係為一新型光切換器以微光機電系統（MOEMS）或如繼電器, 步進馬達等傳統式致動製程技術與光纖光柵（Fiber Bragg Grating）技術為基礎設計出創新的光通訊被動元件，使光塞取機具重建結構功能，且能夠根據網路上每個節點上的需求去變動塞取，因此可以提供在高密度分波多工網路上，能基於最佳交通流量，最有效率的網路利用、增加網路彈性。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
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傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1015
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 光切換器
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 羅裕龍, 陳奇夆
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 214506
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 新型
技術摘要-中文: 本創作係為一新型光切換器以微光機電系統（MOEMS）或如繼電器, 步進馬達等傳統式致動製程技術與光纖光柵（Fiber Bragg Grating）技術為基礎設計出創新的光通訊被動元件，使光塞取機具重建結構功能，且能夠根據網路上每個節點上的需求去變動塞取，因此可以提供在高密度分波多工網路上，能基於最佳交通流量，最有效率的網路利用、增加網路彈性。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)
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與改善電子束近接效應之抗電子反射層結構同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

於基板上形成空間支撐物的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 李正中, 何家充, 蕭名君 | 證書號碼: 223307

具內藏電容之基板結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鍾佩翰, 李明林, 賴信助, 吳仕先, 張慧如, 鄭玉美 | 證書號碼: 205395

塑膠基板彩色濾光片製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 何家充, 廖奇璋, 辛隆賓 | 證書號碼: 206792

熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌 | 證書號碼: 220305

液晶顯示器製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 林英哲, 翁逸君, 許家榮, 辛隆賓, 劉康弘, 詹景翔, 沙益安, 黃鑫茂 | 證書號碼: 223113

電泳顯示器之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 劉康弘, 辛隆賓, 翁逸君, 沙益安, 詹景翔, 許家榮, 吳仲文, 林耀生 | 證書號碼: 203568

薄膜電晶體陣列製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 陳政忠, 陳麒麟, 許財源 | 證書號碼: 220534

導電薄膜形成的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 孫裕昌, 湯景萱, 李啟聖, 許財源 | 證書號碼: 220770

可撓式面板之製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張榮芳, 張志祥, 陳麒麟 | 證書號碼: 206791

薄膜電晶體元件主動層之半導體材料與其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 何家充, 李仁豪, 李正中, 王右武, 李鈞道, 林鵬 | 證書號碼: 221341

複合凸塊的接合結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張世明, 黃元璋, 陳文志, 楊省樞 | 證書號碼: 223363

高分子膠體顯示器、其製法與顯示機制

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 沙益安, 林英哲, 翁逸君, 辛隆賓, 廖奇璋, 江欣峻, 范揚宜, 吳仲文 | 證書號碼: 200444

液晶顯示器之製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 范揚宜, 江欣峻, 林英哲, 翁逸君, 何璨佑, 辛隆賓, 劉康弘, 吳仲文, 沙益安 | 證書號碼: 206803

半導體光電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 許裕民, 許晉瑋, 裴靜偉, 袁鋒, 劉致為 | 證書號碼: 222219

半導體光電晶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 許裕民, 許晉瑋, 裴靜偉, 袁鋒, 劉致為 | 證書號碼: 6759694

於基板上形成空間支撐物的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 李正中, 何家充, 蕭名君 | 證書號碼: 223307

具內藏電容之基板結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鍾佩翰, 李明林, 賴信助, 吳仕先, 張慧如, 鄭玉美 | 證書號碼: 205395

塑膠基板彩色濾光片製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 何家充, 廖奇璋, 辛隆賓 | 證書號碼: 206792

熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌 | 證書號碼: 220305

液晶顯示器製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 林英哲, 翁逸君, 許家榮, 辛隆賓, 劉康弘, 詹景翔, 沙益安, 黃鑫茂 | 證書號碼: 223113

電泳顯示器之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 劉康弘, 辛隆賓, 翁逸君, 沙益安, 詹景翔, 許家榮, 吳仲文, 林耀生 | 證書號碼: 203568

薄膜電晶體陣列製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 陳政忠, 陳麒麟, 許財源 | 證書號碼: 220534

導電薄膜形成的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 孫裕昌, 湯景萱, 李啟聖, 許財源 | 證書號碼: 220770

可撓式面板之製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張榮芳, 張志祥, 陳麒麟 | 證書號碼: 206791

薄膜電晶體元件主動層之半導體材料與其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 何家充, 李仁豪, 李正中, 王右武, 李鈞道, 林鵬 | 證書號碼: 221341

複合凸塊的接合結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張世明, 黃元璋, 陳文志, 楊省樞 | 證書號碼: 223363

高分子膠體顯示器、其製法與顯示機制

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 沙益安, 林英哲, 翁逸君, 辛隆賓, 廖奇璋, 江欣峻, 范揚宜, 吳仲文 | 證書號碼: 200444

液晶顯示器之製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 范揚宜, 江欣峻, 林英哲, 翁逸君, 何璨佑, 辛隆賓, 劉康弘, 吳仲文, 沙益安 | 證書號碼: 206803

半導體光電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 許裕民, 許晉瑋, 裴靜偉, 袁鋒, 劉致為 | 證書號碼: 222219

半導體光電晶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 許裕民, 許晉瑋, 裴靜偉, 袁鋒, 劉致為 | 證書號碼: 6759694

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