高導電奈米薄膜式探針卡之製造方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文高導電奈米薄膜式探針卡之製造方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院機械所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是周敏傑, 黃雅如, 王宏杰, 證書號碼是220163.

序號1018
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文高導電奈米薄膜式探針卡之製造方法
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人周敏傑, 黃雅如, 王宏杰
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼220163
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種高導電奈米薄膜式探針卡之製造方法，係先於一基板之一面上佈設多數奈米管或奈米線，使該等奈米管或奈米線直立於該基板上；以具有預定黏稠度之高分子樹脂材料填充於該等奈米管或奈米線間並固化之，以連結該等奈米管或奈米線而形成一高導電奈米薄膜，該薄膜具有一連結於該基板上之第一端、及一位於第一端之相對端之位置上之第二端；除去該薄膜第二端處之部份高分子材料，使該第二端之奈米管或奈米線露出；移除該基板，同時準備一陶瓷基板，該基板一面具有多數導接點，另一面則具有多數金屬凸塊，且該等金屬凸塊係分別與該等導接點導通；將該薄膜組裝於該陶瓷基板上，使該其第一端處之預定奈米管或奈米線接觸於該陶瓷基板上之導接點上；以蝕刻技術在該薄膜之第二端相對於各該金屬凸塊位置處分別形成凹洞，並於各該凹洞上分別填設一金屬凸塊。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

1018

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

高導電奈米薄膜式探針卡之製造方法

執行單位

工研院機械所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

周敏傑, 黃雅如, 王宏杰

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

220163

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種高導電奈米薄膜式探針卡之製造方法，係先於一基板之一面上佈設多數奈米管或奈米線，使該等奈米管或奈米線直立於該基板上；以具有預定黏稠度之高分子樹脂材料填充於該等奈米管或奈米線間並固化之，以連結該等奈米管或奈米線而形成一高導電奈米薄膜，該薄膜具有一連結於該基板上之第一端、及一位於第一端之相對端之位置上之第二端；除去該薄膜第二端處之部份高分子材料，使該第二端之奈米管或奈米線露出；移除該基板，同時準備一陶瓷基板，該基板一面具有多數導接點，另一面則具有多數金屬凸塊，且該等金屬凸塊係分別與該等導接點導通；將該薄膜組裝於該陶瓷基板上，使該其第一端處之預定奈米管或奈米線接觸於該陶瓷基板上之導接點上；以蝕刻技術在該薄膜之第二端相對於各該金屬凸塊位置處分別形成凹洞，並於各該凹洞上分別填設一金屬凸塊。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

呂美玲

電話

03-5915898

傳真

03-5820316

電子信箱

meilingleu@itri.org.tw

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備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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永崴投資控股股份有限公司

基本每股盈餘(元): -0.90 | 年度: 108 | 季別: 3 | 稅後淨利: -220163.00 | 營業收入: 6203097.00 | 營業利益: -373307.00 | 營業外收入及支出: 211893.00 | 出表日期: 109/01/01

@ 上市公司各產業EPS統計資訊

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# 高導電奈米薄膜式探針卡之製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號2370
產出年度95
領域別(空)
專利名稱-中文高導電奈米薄膜式探針卡之製造方法
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人周敏傑、黃雅如、王宏杰
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼(空)
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種高導電奈米薄膜式探針卡之製造方法，係先於一基板之一面上佈設多數奈米管或奈米線，使該等奈米管或奈米線直立於該基板上；以具有預定黏稠度之高分子樹脂材料填充於該等奈米管或奈米線間並固化之，以連結該等奈米管或奈米線而形成一高導電奈米薄膜，該薄膜具有一連結於該基板上之第一端、及一位於第一端之相對端之位置上之第二端；除去該薄膜第二端處之部份高分子材料，使該第二端之奈米管或奈米線露出；移除該基板，同時準備一陶瓷基板，該基板一面具有多數導接點，另一面則具有多數金屬凸塊，且該等金屬凸塊係分別與該等導接點導通；將該薄膜組裝於該陶瓷基板上，使該其第一端處之預定奈米管或奈米線接觸於該陶瓷基板上之導接點上；以蝕刻技術在該薄膜之第二端相對於各該金屬凸塊位置處分別形成凹洞，並於各該凹洞上分別填設一金屬凸塊。A conducting thin-film nanoprobe card fabrication method includes the steps of: (a) arranging nanotubes on a substrate in vertical; (b) covering the nanotubes with a liquid polymeric resin and then hardening the polymeric resin to form a conducting nanomembrane; (c) removing a part of the polymeric resin from the conducting nanomembrane to expose one end of each nanotube to outside; (d) removing the substrate and preparing a ceramic substrate having contacts at one side and metal bumps at the other side and plated through holes electrically respectively connected with the contacts and the metal bumps; (e) mounting the nanomembrane on the ceramic substrate to hold the nanotubes in contact with the contacts of the ceramic substrate, and (f) forming recessed holes in the nanomembrane by etching and inserting a metal rod in each recessed hole to form a respective probe.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形(空)
序號: 2370
產出年度: 95
領域別: (空)
專利名稱-中文: 高導電奈米薄膜式探針卡之製造方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 周敏傑、黃雅如、王宏杰
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: (空)
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種高導電奈米薄膜式探針卡之製造方法，係先於一基板之一面上佈設多數奈米管或奈米線，使該等奈米管或奈米線直立於該基板上；以具有預定黏稠度之高分子樹脂材料填充於該等奈米管或奈米線間並固化之，以連結該等奈米管或奈米線而形成一高導電奈米薄膜，該薄膜具有一連結於該基板上之第一端、及一位於第一端之相對端之位置上之第二端；除去該薄膜第二端處之部份高分子材料，使該第二端之奈米管或奈米線露出；移除該基板，同時準備一陶瓷基板，該基板一面具有多數導接點，另一面則具有多數金屬凸塊，且該等金屬凸塊係分別與該等導接點導通；將該薄膜組裝於該陶瓷基板上，使該其第一端處之預定奈米管或奈米線接觸於該陶瓷基板上之導接點上；以蝕刻技術在該薄膜之第二端相對於各該金屬凸塊位置處分別形成凹洞，並於各該凹洞上分別填設一金屬凸塊。A conducting thin-film nanoprobe card fabrication method includes the steps of: (a) arranging nanotubes on a substrate in vertical; (b) covering the nanotubes with a liquid polymeric resin and then hardening the polymeric resin to form a conducting nanomembrane; (c) removing a part of the polymeric resin from the conducting nanomembrane to expose one end of each nanotube to outside; (d) removing the substrate and preparing a ceramic substrate having contacts at one side and metal bumps at the other side and plated through holes electrically respectively connected with the contacts and the metal bumps; (e) mounting the nanomembrane on the ceramic substrate to hold the nanotubes in contact with the contacts of the ceramic substrate, and (f) forming recessed holes in the nanomembrane by etching and inserting a metal rod in each recessed hole to form a respective probe.
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
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備註: 原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形: (空)

# 高導電奈米薄膜式探針卡之製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號2829
產出年度95
領域別(空)
專利名稱-中文高導電納米薄膜式探針卡的制造方法
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人周敏傑、黃雅如、王宏杰
核准國家中國大陸
獲證日期(空)
證書號碼ZL03125138.2
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種高導電奈米薄膜式探針卡之製造方法，係先於一基板之一面上佈設多數奈米管或奈米線，使該等奈米管或奈米線直立於該基板上；以具有預定黏稠度之高分子樹脂材料填充於該等奈米管或奈米線間並固化之，以連結該等奈米管或奈米線而形成一高導電奈米薄膜，該薄膜具有一連結於該基板上之第一端、及一位於第一端之相對端之位置上之第二端；除去該薄膜第二端處之部份高分子材料，使該第二端之奈米管或奈米線露出；移除該基板，同時準備一陶瓷基板，該基板一面具有多數導接點，另一面則具有多數金屬凸塊，且該等金屬凸塊係分別與該等導接點導通；將該薄膜組裝於該陶瓷基板上，使該其第一端處之預定奈米管或奈米線接觸於該陶瓷基板上之導接點上；以蝕刻技術在該薄膜之第二端相對於各該金屬凸塊位置處分別形成凹洞，並於各該凹洞上分別填設一金屬凸塊。_x000D_A conducting thin-film nanoprobe card fabrication method includes the steps of: (a) arranging nanotubes on a substrate in vertical; (b) covering the nanotubes with a liquid polymeric resin and then hardening the polymeric resin to form a conducting nanomembrane; (c) removing a part of the polymeric resin from the conducting nanomembrane to expose one end of each nanotube to outside; (d) removing the substrate and preparing a ceramic substrate having contacts at one side and metal bumps at the other side and plated through holes electrically respectively connected with the contacts and the metal bumps; (e) mounting the nanomembrane on the ceramic substrate to hold the nanotubes in contact with the contacts of the ceramic substrate, and (f) forming recessed holes in the nanomembrane by etching and inserting a metal rod in each recessed hole to form a respective probe.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
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備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 2829
產出年度: 95
領域別: (空)
專利名稱-中文: 高導電納米薄膜式探針卡的制造方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 周敏傑、黃雅如、王宏杰
核准國家: 中國大陸
獲證日期: (空)
證書號碼: ZL03125138.2
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種高導電奈米薄膜式探針卡之製造方法，係先於一基板之一面上佈設多數奈米管或奈米線，使該等奈米管或奈米線直立於該基板上；以具有預定黏稠度之高分子樹脂材料填充於該等奈米管或奈米線間並固化之，以連結該等奈米管或奈米線而形成一高導電奈米薄膜，該薄膜具有一連結於該基板上之第一端、及一位於第一端之相對端之位置上之第二端；除去該薄膜第二端處之部份高分子材料，使該第二端之奈米管或奈米線露出；移除該基板，同時準備一陶瓷基板，該基板一面具有多數導接點，另一面則具有多數金屬凸塊，且該等金屬凸塊係分別與該等導接點導通；將該薄膜組裝於該陶瓷基板上，使該其第一端處之預定奈米管或奈米線接觸於該陶瓷基板上之導接點上；以蝕刻技術在該薄膜之第二端相對於各該金屬凸塊位置處分別形成凹洞，並於各該凹洞上分別填設一金屬凸塊。_x000D_A conducting thin-film nanoprobe card fabrication method includes the steps of: (a) arranging nanotubes on a substrate in vertical; (b) covering the nanotubes with a liquid polymeric resin and then hardening the polymeric resin to form a conducting nanomembrane; (c) removing a part of the polymeric resin from the conducting nanomembrane to expose one end of each nanotube to outside; (d) removing the substrate and preparing a ceramic substrate having contacts at one side and metal bumps at the other side and plated through holes electrically respectively connected with the contacts and the metal bumps; (e) mounting the nanomembrane on the ceramic substrate to hold the nanotubes in contact with the contacts of the ceramic substrate, and (f) forming recessed holes in the nanomembrane by etching and inserting a metal rod in each recessed hole to form a respective probe.
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)
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根據姓名 周敏傑 黃雅如 王宏杰 找到的相關資料

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壓印用模仁之製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 95 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 專利發明人: 周敏傑、王宏杰、黃雅如 | 證書號碼: I248913

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

積體化探針卡及組裝方式

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 95 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 專利發明人: 張智崇、王宏杰、周敏傑、潘昆志、黃雅如、蔡居恕、陳智偉 | 證書號碼:

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

積體化探針卡及組裝方式

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 95 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 專利發明人: 張智崇、王宏杰、周敏傑、潘昆志、黃雅如、蔡居恕、陳智偉 | 證書號碼: I266057

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

顯示板光檢查之整合探針模組及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周敏傑 蔡居恕 王宏杰 黃雅如 潘昆志 陳智偉 張智崇 | 證書號碼: I271379

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

集成化探針卡及組裝方式

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 97 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 專利發明人: 張智崇 王宏杰 周敏傑 潘昆志 黃雅如 蔡居恕 陳智偉 | 證書號碼: ZL200410005245.X

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

顯示板光檢查之整合探針模組及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周敏傑 ,蔡居恕 ,王宏杰 ,黃雅如 ,潘昆志 ,陳智偉 ,張智崇 , | 證書號碼: 7,619,429

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

壓印用模仁之製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 95 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 專利發明人: 周敏傑、王宏杰、黃雅如 | 證書號碼: I248913

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

積體化探針卡及組裝方式

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 95 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 專利發明人: 張智崇、王宏杰、周敏傑、潘昆志、黃雅如、蔡居恕、陳智偉 | 證書號碼:

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

積體化探針卡及組裝方式

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 95 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 專利發明人: 張智崇、王宏杰、周敏傑、潘昆志、黃雅如、蔡居恕、陳智偉 | 證書號碼: I266057

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

顯示板光檢查之整合探針模組及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周敏傑 蔡居恕 王宏杰 黃雅如 潘昆志 陳智偉 張智崇 | 證書號碼: I271379

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

集成化探針卡及組裝方式

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 97 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 專利發明人: 張智崇 王宏杰 周敏傑 潘昆志 黃雅如 蔡居恕 陳智偉 | 證書號碼: ZL200410005245.X

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

顯示板光檢查之整合探針模組及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周敏傑 ,蔡居恕 ,王宏杰 ,黃雅如 ,潘昆志 ,陳智偉 ,張智崇 , | 證書號碼: 7,619,429

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# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號1007
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文鑽石/鑽石薄膜之延性加工技術
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人蔡宏營, 林宏彝, 吳東權
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼189523
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係提供一種鑽石類材質之延性加工技術，其中包括：提供一熱量加熱鑽石類 材質後施力於該受熱之鑽石類材質，藉由該加熱及施力可對鑽石類材質進行延性加 工；對鑽石薄膜施行延性加工技術時包括：一熱量加熱鑽石薄膜並以京輪研磨該受 熱之鑽石類材質，藉由該加熱及計算京輪研磨(grinding)臨界切深 (或加工壓力大 小) 可對鑽石類材質進行延性加工。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1007
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 鑽石/鑽石薄膜之延性加工技術
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 蔡宏營, 林宏彝, 吳東權
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 189523
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明係提供一種鑽石類材質之延性加工技術，其中包括：提供一熱量加熱鑽石類 材質後施力於該受熱之鑽石類材質，藉由該加熱及施力可對鑽石類材質進行延性加 工；對鑽石薄膜施行延性加工技術時包括：一熱量加熱鑽石薄膜並以京輪研磨該受 熱之鑽石類材質，藉由該加熱及計算京輪研磨(grinding)臨界切深 (或加工壓力大 小) 可對鑽石類材質進行延性加工。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號1008
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文改善電子束近接效應之抗電子反射層結構
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人林熙翔, 陳建洋
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼189396
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種改善電子束近接效應之抗電子反射層結構，主要包含一基板、一電子阻劑層， 形成於該基板上方；以及至少一層抗電子反射層，形成於該基板、與該電子阻劑層 之間，其中，該抗電子反射層係允許一電子束循入射方向通過而達到該基板內部， 並能減少該電子束中經由該基板內部反射而返回至該電子阻劑層之電子數量。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1008
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 改善電子束近接效應之抗電子反射層結構
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 林熙翔, 陳建洋
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 189396
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種改善電子束近接效應之抗電子反射層結構，主要包含一基板、一電子阻劑層， 形成於該基板上方；以及至少一層抗電子反射層，形成於該基板、與該電子阻劑層 之間，其中，該抗電子反射層係允許一電子束循入射方向通過而達到該基板內部， 並能減少該電子束中經由該基板內部反射而返回至該電子阻劑層之電子數量。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號1009
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文改善電子束近接效應之抗電子反射層結構
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人林熙翔, 陳建洋
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6,730,922
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種改善電子束近接效應之抗電子反射層結構，主要包含一基板、一電子阻劑層， 形成於該基板上方；以及至少一層抗電子反射層，形成於該基板、與該電子阻劑層 之間，其中，該抗電子反射層係允許一電子束循入射方向通過而達到該基板內部， 並能減少該電子束中經由該基板內部反射而返回至該電子阻劑層之電子數量。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
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備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1009
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 改善電子束近接效應之抗電子反射層結構
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 林熙翔, 陳建洋
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 6,730,922
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種改善電子束近接效應之抗電子反射層結構，主要包含一基板、一電子阻劑層， 形成於該基板上方；以及至少一層抗電子反射層，形成於該基板、與該電子阻劑層 之間，其中，該抗電子反射層係允許一電子束循入射方向通過而達到該基板內部， 並能減少該電子束中經由該基板內部反射而返回至該電子阻劑層之電子數量。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
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備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號1010
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文準分子雷射對微球面與非球面高分子結構陣列製程
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人蔡宏營, 潘正堂, 周敏傑, 陳世洲, 林育生
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6,656,668
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種準分子雷射對微球面與非球面高分子結構陣列製程，藉由在以一 光罩上設有預定之曲線圖案，該曲線圖案於沿一直線方向上的寬度並不是 定值。當準分子雷射光源透過光罩上之曲線圖案照射並衝擊一基板上所塗 佈之高分子材而使其剝離蝕刻。並且當進行照射時，同時將基板沿著垂直 於該直線方向移動，使高分子材於沿著該直線方向上的不同位置處係受到 不同時間長度的照射，造成不同蝕刻深度，因而可將高分子材蝕刻成預定 形狀之立體圖案。並且，藉由兩次不同方向或是不同光罩圖案的照射蝕刻 ，可得到類球面或非球面的微陣列結構。
技術摘要-英文(空)
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備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1010
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 準分子雷射對微球面與非球面高分子結構陣列製程
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 蔡宏營, 潘正堂, 周敏傑, 陳世洲, 林育生
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 6,656,668
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種準分子雷射對微球面與非球面高分子結構陣列製程，藉由在以一 光罩上設有預定之曲線圖案，該曲線圖案於沿一直線方向上的寬度並不是 定值。當準分子雷射光源透過光罩上之曲線圖案照射並衝擊一基板上所塗 佈之高分子材而使其剝離蝕刻。並且當進行照射時，同時將基板沿著垂直 於該直線方向移動，使高分子材於沿著該直線方向上的不同位置處係受到 不同時間長度的照射，造成不同蝕刻深度，因而可將高分子材蝕刻成預定 形狀之立體圖案。並且，藉由兩次不同方向或是不同光罩圖案的照射蝕刻 ，可得到類球面或非球面的微陣列結構。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
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備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號1011
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文微鏡片定位裝置
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人潘正堂, 陳世洲, 李國賓, 楊賢敏, 謝宸碩
核准國家中國大陸
獲證日期(空)
證書號碼ZL01110627.1
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種微鏡片定位裝置，主要包括水平定位單元、垂直定位單元及免干擾機制單元， 其中水平定位單元具有可固定微鏡片之功能，使微鏡片在攜帶及運送過程中，避免 震動、碰撞造成之微鏡片移位或損壞；垂直定位單元具有可將微鏡片作精準垂直定 位的功能；免干擾機制單元則可保障微鏡片免於微鏡片陣列中其他微鏡片之操作磁 場及外界磁場之干擾，故可保障微鏡片陣列之整體運作不受磁場干擾。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
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備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1011
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 微鏡片定位裝置
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 潘正堂, 陳世洲, 李國賓, 楊賢敏, 謝宸碩
核准國家: 中國大陸
獲證日期: (空)
證書號碼: ZL01110627.1
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種微鏡片定位裝置，主要包括水平定位單元、垂直定位單元及免干擾機制單元， 其中水平定位單元具有可固定微鏡片之功能，使微鏡片在攜帶及運送過程中，避免 震動、碰撞造成之微鏡片移位或損壞；垂直定位單元具有可將微鏡片作精準垂直定 位的功能；免干擾機制單元則可保障微鏡片免於微鏡片陣列中其他微鏡片之操作磁 場及外界磁場之干擾，故可保障微鏡片陣列之整體運作不受磁場干擾。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
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備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號1012
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文微結構探針卡之製法及其成品
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人周敏傑, 王宏杰, 彭駿光, 吳東權, 蔡宏營
核准國家日本
獲證日期(空)
證書號碼3584219
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種探針卡之製法及其成品，其製法包含：準備基材；在基材上若干位置分別蝕刻 一長槽氣臂空間及一自懸臂空間底部一端凹入之針頭空間；在懸臂空間及針頭空間 內電鑄成型懸臂及針頭；在基材頂面塗佈光阻，並以光刻法將光阻對應各懸臂遠離 針頭一端之部份蝕穿成穿透空缺；在光阻頂面覆上絕緣之座板，並以光刻法成型貫 穿座板並與懸臂接通之基座空間；在基座空間內電鑄成型探針基座；去除基材及光 阻。依此製出之探針卡具有探針密度高、接觸性佳、可作高速測試等優點。
技術摘要-英文(空)
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備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1012
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 微結構探針卡之製法及其成品
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 周敏傑, 王宏杰, 彭駿光, 吳東權, 蔡宏營
核准國家: 日本
獲證日期: (空)
證書號碼: 3584219
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種探針卡之製法及其成品，其製法包含：準備基材；在基材上若干位置分別蝕刻 一長槽氣臂空間及一自懸臂空間底部一端凹入之針頭空間；在懸臂空間及針頭空間 內電鑄成型懸臂及針頭；在基材頂面塗佈光阻，並以光刻法將光阻對應各懸臂遠離 針頭一端之部份蝕穿成穿透空缺；在光阻頂面覆上絕緣之座板，並以光刻法成型貫 穿座板並與懸臂接通之基座空間；在基座空間內電鑄成型探針基座；去除基材及光 阻。依此製出之探針卡具有探針密度高、接觸性佳、可作高速測試等優點。
技術摘要-英文: (空)
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電話: 03-5915898
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備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號1013
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文改良之近場光學飛行頭
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人羅士哲, 王鴻年, 林熙翔
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼221801
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質新型
技術摘要-中文一種可進行近場光學記錄之飛行頭，係包含一可維持於光碟片近場距離之承載台， 其前端設一固態浸沒式鏡片（ＳＩＬ），較內側設一可將雷射光聚焦至該ＳＩＬ之 聚焦鏡片；本創作提供之改良結構之一，係在該ＳＩＬ之折射面上鍍一光散射層及 一介電層，當受光或受熱時可分解出銀原子，銀原子能增強雷射光通過折射面之電 磁波，形同開啟一微小之光學孔穴；另一方式係在該折射面上鍍一遮罩層及一介電 層，其折射率可因雷射光之熱能而改變，使聚焦處開啟一微小孔穴供電磁波通過； 如此，射至光碟片之雷射光點較小，可作線寬更細之近場曝光。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
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參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1013
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 改良之近場光學飛行頭
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 羅士哲, 王鴻年, 林熙翔
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 221801
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 新型
技術摘要-中文: 一種可進行近場光學記錄之飛行頭，係包含一可維持於光碟片近場距離之承載台， 其前端設一固態浸沒式鏡片（ＳＩＬ），較內側設一可將雷射光聚焦至該ＳＩＬ之 聚焦鏡片；本創作提供之改良結構之一，係在該ＳＩＬ之折射面上鍍一光散射層及 一介電層，當受光或受熱時可分解出銀原子，銀原子能增強雷射光通過折射面之電 磁波，形同開啟一微小之光學孔穴；另一方式係在該折射面上鍍一遮罩層及一介電 層，其折射率可因雷射光之熱能而改變，使聚焦處開啟一微小孔穴供電磁波通過； 如此，射至光碟片之雷射光點較小，可作線寬更細之近場曝光。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
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備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 8

序號1014
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文以雙離子槍濺鍍薄膜於微米/奈米級結構表面之方法
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人蘇建彰, 蔡宏營, 林宏彝, 蔡哲正
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼196456
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種以雙離子槍濺鍍薄膜於微結構表面之方法，係利用一濺鍍離子槍對一靶材進行 轟擊以將靶材原子鍍製到一基板上形成薄膜，一加工離子槍則對該微結構表面剛形 成有薄膜之基板預定位置處進行轟擊加工，以促使該處表面獲得均勻膜厚。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1014
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 以雙離子槍濺鍍薄膜於微米/奈米級結構表面之方法
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 蘇建彰, 蔡宏營, 林宏彝, 蔡哲正
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 196456
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種以雙離子槍濺鍍薄膜於微結構表面之方法，係利用一濺鍍離子槍對一靶材進行 轟擊以將靶材原子鍍製到一基板上形成薄膜，一加工離子槍則對該微結構表面剛形 成有薄膜之基板預定位置處進行轟擊加工，以促使該處表面獲得均勻膜厚。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
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備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)
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與高導電奈米薄膜式探針卡之製造方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

被動式電激發光二極體陣列的驅動方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 何貫睿 | 證書號碼: 190526

基於動態影像壓縮標準之階層式物件切割法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 甘敏成, 郭鐘榮, 吳國瑞, 蔡孟翰 | 證書號碼: 188953

位相差式防偽方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王迺岳, 蔡朝旭 | 證書號碼: 6,667,797

微透鏡之製作方法及其製造裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳錦泰 | 證書號碼: I224210

噴墨頭晶片封裝結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 許法源, 胡紀平 | 證書號碼: 195329

一種快速尋找列印頻率以獲得立體影像的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 連健淋, 黃偉倫 | 證書號碼: 220506

三維度影像接合處之色彩處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳佳綸 | 證書號碼: 200533

三維模型之階層式紋理貼圖處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周宏隆, 陳加珍 | 證書號碼: 206727

有機發光元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡榮源, 張嘉帥, 趙清煙, 崋沐怡 | 證書號碼: 204036

網路設備之維修管理系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 林榮政, 林仁傑, 賴加勳 | 證書號碼: 220826

電壓脈衝式化學物質濃度量測系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃奕孝, 闕妙如, 陳一誠, 石東生 | 證書號碼: 206789

使用於處理含VOC之有機廢氣處理裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 林樹榮, 吳信賢, 賴慶智 | 證書號碼: 220398

使用於處理含VOC之有機廢氣處理裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 林樹榮, 吳信賢, 賴慶智 | 證書號碼: 6,780,223

含VOC有機廢氣之處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 林樹榮, 吳信賢, 賴慶智 | 證書號碼: 206408

用於處理全氟化合物之介電層放電裝置及模組

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 邱信夫, 呂建豪, 游生任 | 證書號碼: 6,700,093

被動式電激發光二極體陣列的驅動方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 何貫睿 | 證書號碼: 190526

基於動態影像壓縮標準之階層式物件切割法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 甘敏成, 郭鐘榮, 吳國瑞, 蔡孟翰 | 證書號碼: 188953

位相差式防偽方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王迺岳, 蔡朝旭 | 證書號碼: 6,667,797

微透鏡之製作方法及其製造裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳錦泰 | 證書號碼: I224210

噴墨頭晶片封裝結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 許法源, 胡紀平 | 證書號碼: 195329

一種快速尋找列印頻率以獲得立體影像的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 連健淋, 黃偉倫 | 證書號碼: 220506

三維度影像接合處之色彩處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳佳綸 | 證書號碼: 200533

三維模型之階層式紋理貼圖處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周宏隆, 陳加珍 | 證書號碼: 206727

有機發光元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡榮源, 張嘉帥, 趙清煙, 崋沐怡 | 證書號碼: 204036

網路設備之維修管理系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 林榮政, 林仁傑, 賴加勳 | 證書號碼: 220826

電壓脈衝式化學物質濃度量測系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃奕孝, 闕妙如, 陳一誠, 石東生 | 證書號碼: 206789

使用於處理含VOC之有機廢氣處理裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 林樹榮, 吳信賢, 賴慶智 | 證書號碼: 220398

使用於處理含VOC之有機廢氣處理裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 林樹榮, 吳信賢, 賴慶智 | 證書號碼: 6,780,223

含VOC有機廢氣之處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 林樹榮, 吳信賢, 賴慶智 | 證書號碼: 206408

用於處理全氟化合物之介電層放電裝置及模組

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 邱信夫, 呂建豪, 游生任 | 證書號碼: 6,700,093

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