利用飛秒雷射圖案化多晶氧化銦錫之方法
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專利名稱-中文利用飛秒雷射圖案化多晶氧化銦錫之方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是103, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是鄭中緯 ,Costas P. Grigoropoulos ,David Jen Hwang ,Moosung Kim, 證書號碼是I424479.

序號	13179
產出年度	103
領域別	服務創新
專利名稱-中文	利用飛秒雷射圖案化多晶氧化銦錫之方法
執行單位	工研院院本部
產出單位	工研院南分院
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	鄭中緯 ,Costas P. Grigoropoulos ,David Jen Hwang ,Moosung Kim
核准國家	中華民國
獲證日期	103/01/21
證書號碼	I424479
專利期間起	117/02/28
專利期間訖	一種利用飛秒雷射圖案化多晶氧化銦錫之方法，包含步驟：(a)提供一表面具有非晶氧化銦錫層之基板；(b)發射一飛秒雷射光束至該非晶氧化銦錫層上之一預定區域，使該預定區域之非晶氧化銦錫層轉變為多晶氧化銦錫層；以及(c)利用蝕刻溶液去除該基板上之非晶氧化銦錫層。
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種利用飛秒雷射圖案化多晶氧化銦錫之方法，包含步驟：(a)提供一表面具有非晶氧化銦錫層之基板；(b)發射一飛秒雷射光束至該非晶氧化銦錫層上之一預定區域，使該預定區域之非晶氧化銦錫層轉變為多晶氧化銦錫層；以及(c)利用蝕刻溶液去除該基板上之非晶氧化銦錫層。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5917949
傳真	03-5917568
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

13179

產出年度

103

領域別

服務創新

專利名稱-中文

利用飛秒雷射圖案化多晶氧化銦錫之方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院南分院

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

鄭中緯 ,Costas P. Grigoropoulos ,David Jen Hwang ,Moosung Kim

核准國家

中華民國

獲證日期

103/01/21

證書號碼

I424479

專利期間起

117/02/28

專利期間訖

一種利用飛秒雷射圖案化多晶氧化銦錫之方法，包含步驟：(a)提供一表面具有非晶氧化銦錫層之基板；(b)發射一飛秒雷射光束至該非晶氧化銦錫層上之一預定區域，使該預定區域之非晶氧化銦錫層轉變為多晶氧化銦錫層；以及(c)利用蝕刻溶液去除該基板上之非晶氧化銦錫層。

專利性質

發明

技術摘要-中文

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917949

傳真

03-5917568

電子信箱

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光準直器自動組裝系統改良結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 黃相宇, 劉松河, 邱顯森 \| 證書號碼: 210229
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用於奈米轉印之平行度調整裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳明祈, 馮文宏, 陳釧鋒, 許嘉峻, 林家弘, 鍾永鎮 \| 證書號碼: 217025
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用於奈米轉印之均勻施壓裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 鍾永鎮, 林家弘, 許嘉峻, 陳釧鋒, 馮文宏, 陳明祈 \| 證書號碼: 217875
均光模組	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林坤龍, 周敏傑 \| 證書號碼: M243671
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共軛凸輪取放機構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 劉俊賢, 黃國興, 徐嘉彬, 洪嘉宏, 林宏毅, 李俊明 \| 證書號碼: 222595
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執行單位

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