在三維晶片堆疊後可修補記憶體的技術
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文在三維晶片堆疊後可修補記憶體的技術的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是104, 專利性質是發明, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 專利發明人是周永發 ,蒯定明, 證書號碼是I482165.

序號16417
產出年度104
領域別智慧科技
專利名稱-中文在三維晶片堆疊後可修補記憶體的技術
執行單位工研院電光所
產出單位工研院資通所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人周永發 ,蒯定明
核准國家中華民國
獲證日期104/05/11
證書號碼I482165
專利期間起104/04/21
專利期間訖120/09/12
專利性質發明
技術摘要-中文一種三維晶片，堆疊一顆含有控制器之晶片與至少一顆含有記憶體之晶片，其中記憶體晶片除了原有的儲存容量之外，還包括：多個備份記憶胞與一具有外部啟動功能的可轉址電路。在記憶體晶片與控制器晶片完成堆疊之後，控制器晶片仍可透過至少一個穿矽孔以啟動記憶體晶片中的備份記憶胞來修補記憶體晶片上損壞或不良的記憶胞，不論其於堆疊前已修補與否。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

16417

產出年度

104

領域別

智慧科技

專利名稱-中文

在三維晶片堆疊後可修補記憶體的技術

執行單位

工研院電光所

產出單位

工研院資通所

計畫名稱

高階手持裝置三維整合應用技術計畫

專利發明人

周永發 ,蒯定明

核准國家

中華民國

獲證日期

104/05/11

證書號碼

I482165

專利期間起

104/04/21

專利期間訖

120/09/12

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種三維晶片，堆疊一顆含有控制器之晶片與至少一顆含有記憶體之晶片，其中記憶體晶片除了原有的儲存容量之外，還包括：多個備份記憶胞與一具有外部啟動功能的可轉址電路。在記憶體晶片與控制器晶片完成堆疊之後，控制器晶片仍可透過至少一個穿矽孔以啟動記憶體晶片中的備份記憶胞來修補記憶體晶片上損壞或不良的記憶胞，不論其於堆疊前已修補與否。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

陳玲君

電話

03-5913792

傳真

03-5917690

電子信箱

KellyChen@itri.org.tw

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特殊情形

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同步更新日期

2023-07-05

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# 在三維晶片堆疊後可修補記憶體的技術 於 經濟部產業技術司–專利資料集

序號14052
產出年度103
領域別智慧科技
專利名稱-中文在三維晶片堆疊後可修補記憶體的技術
執行單位工研院電光所
產出單位工研院資通所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人周永發 ,蒯定明
核准國家美國
獲證日期103/10/07
證書號碼8,854,853
專利期間起121/11/20
專利期間訖一種三維晶片，堆疊一顆含有控制器之晶片與至少一顆含有記憶體之晶片，其中記憶體晶片除了原有的儲存容量之外，還包括：多個備份記憶胞與一具有外部啟動功能的可轉址電路。在記憶體晶片與控制器晶片完成堆疊之後，控制器晶片仍可透過至少一個穿矽孔以啟動記憶體晶片中的備份記憶胞來修補記憶體晶片上損壞或不良的記憶胞，不論其於堆疊前已修補與否。
專利性質發明
技術摘要-中文一種三維晶片，堆疊一顆含有控制器之晶片與至少一顆含有記憶體之晶片，其中記憶體晶片除了原有的儲存容量之外，還包括：多個備份記憶胞與一具有外部啟動功能的可轉址電路。在記憶體晶片與控制器晶片完成堆疊之後，控制器晶片仍可透過至少一個穿矽孔以啟動記憶體晶片中的備份記憶胞來修補記憶體晶片上損壞或不良的記憶胞，不論其於堆疊前已修補與否。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 14052
產出年度: 103
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 在三維晶片堆疊後可修補記憶體的技術
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院資通所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 周永發 ,蒯定明
核准國家: 美國
獲證日期: 103/10/07
證書號碼: 8,854,853
專利期間起: 121/11/20
專利期間訖: 一種三維晶片，堆疊一顆含有控制器之晶片與至少一顆含有記憶體之晶片，其中記憶體晶片除了原有的儲存容量之外，還包括：多個備份記憶胞與一具有外部啟動功能的可轉址電路。在記憶體晶片與控制器晶片完成堆疊之後，控制器晶片仍可透過至少一個穿矽孔以啟動記憶體晶片中的備份記憶胞來修補記憶體晶片上損壞或不良的記憶胞，不論其於堆疊前已修補與否。
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種三維晶片，堆疊一顆含有控制器之晶片與至少一顆含有記憶體之晶片，其中記憶體晶片除了原有的儲存容量之外，還包括：多個備份記憶胞與一具有外部啟動功能的可轉址電路。在記憶體晶片與控制器晶片完成堆疊之後，控制器晶片仍可透過至少一個穿矽孔以啟動記憶體晶片中的備份記憶胞來修補記憶體晶片上損壞或不良的記憶胞，不論其於堆疊前已修補與否。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
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晶片以及提升晶片良率的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳鼎升 ,周永發 ,蒯定明 | 證書號碼: I387086

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

晶片以及提升晶片良率的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳鼎升 ,周永發 ,蒯定明 | 證書號碼: 8384201

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

中介層的測試方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 周永發 ,蒯定明 | 證書號碼: 9,347,981

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

晶片佈局結構與方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周永發,蒯定明 | 證書號碼: 8,026,585

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

隔離電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周永發,蒯定明 | 證書號碼: I343706

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

隔離電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周永發,蒯定明 | 證書號碼: 7,924,083

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

晶片的佈局結構與方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周永發,蒯定明 | 證書號碼: ZL200910135330.0

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

堆疊晶片佈局結構與其製造方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周永發,蒯定明 | 證書號碼: 5072119

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

晶片以及提升晶片良率的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳鼎升 ,周永發 ,蒯定明 | 證書號碼: I387086

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

晶片以及提升晶片良率的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳鼎升 ,周永發 ,蒯定明 | 證書號碼: 8384201

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

中介層的測試方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 周永發 ,蒯定明 | 證書號碼: 9,347,981

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

晶片佈局結構與方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周永發,蒯定明 | 證書號碼: 8,026,585

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

隔離電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周永發,蒯定明 | 證書號碼: I343706

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

隔離電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周永發,蒯定明 | 證書號碼: 7,924,083

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

晶片的佈局結構與方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周永發,蒯定明 | 證書號碼: ZL200910135330.0

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

堆疊晶片佈局結構與其製造方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周永發,蒯定明 | 證書號碼: 5072119

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# 03-5913792 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號16416
產出年度104
領域別智慧科技
專利名稱-中文堆疊式半導體結構的接合結構及其形成方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人陳裕華
核准國家中華民國
獲證日期104/04/07
證書號碼I475623
專利期間起104/03/01
專利期間訖120/12/26
專利性質發明
技術摘要-中文一種堆疊式半導體結構的接合結構，包括至少一接合構件。接合構件包括基板、凸塊、銲墊、矽或玻璃通孔、聚合物層、第一保護層及第二保護層。基板中具有貫穿孔。凸塊蓋住貫穿孔的一端。銲墊設置於凸塊朝向貫穿孔的一側上。矽或玻璃通孔共形地設置於貫穿孔的側壁上與銲墊上，且部分延伸至位於貫穿孔的另一端的基板的表面上。聚合物層設置於矽或玻璃通孔上並填滿貫穿孔，且暴露出位於上述表面上的矽或玻璃通孔。第一保護層設置於凸塊與基板之間。第二保護層設置於矽或玻璃通孔與基板之間。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 16416
產出年度: 104
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 堆疊式半導體結構的接合結構及其形成方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 陳裕華
核准國家: 中華民國
獲證日期: 104/04/07
證書號碼: I475623
專利期間起: 104/03/01
專利期間訖: 120/12/26
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種堆疊式半導體結構的接合結構，包括至少一接合構件。接合構件包括基板、凸塊、銲墊、矽或玻璃通孔、聚合物層、第一保護層及第二保護層。基板中具有貫穿孔。凸塊蓋住貫穿孔的一端。銲墊設置於凸塊朝向貫穿孔的一側上。矽或玻璃通孔共形地設置於貫穿孔的側壁上與銲墊上，且部分延伸至位於貫穿孔的另一端的基板的表面上。聚合物層設置於矽或玻璃通孔上並填滿貫穿孔，且暴露出位於上述表面上的矽或玻璃通孔。第一保護層設置於凸塊與基板之間。第二保護層設置於矽或玻璃通孔與基板之間。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5917690
電子信箱: KellyChen@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5913792 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號16419
產出年度104
領域別智慧科技
專利名稱-中文晶片堆疊結構
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人劉昌熾 ,余迅 ,陳鵬書 ,吳仕先
核准國家美國
獲證日期104/05/28
證書號碼13/912,207
專利期間起104/04/21
專利期間訖122/12/03
專利性質發明
技術摘要-中文一種晶片堆疊結構，包括多個微凸塊結構、多個第一基板、至少一第一間隙層、多個第二基板以及至少一第二間隙層。所述第一基板利用所述微凸塊結構之一部份彼此堆疊，並且各第一基板包括至少一第一重佈線層。第一間隙層位於所堆疊的第一基板之間。所述第二基板利用所述微凸塊結構之另一部份與所述第一基板至少其中之一堆疊，並且各第二基板包括至少一第二重佈線層。第二間隙層位於所堆疊的第一基板與第二基板之間。所述第一重佈線層、所述第二重佈線層以及所述微凸塊結構形成多個阻抗元件，並且所述阻抗元件提供一特定的振盪頻率。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 16419
產出年度: 104
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 晶片堆疊結構
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 劉昌熾 ,余迅 ,陳鵬書 ,吳仕先
核准國家: 美國
獲證日期: 104/05/28
證書號碼: 13/912,207
專利期間起: 104/04/21
專利期間訖: 122/12/03
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種晶片堆疊結構，包括多個微凸塊結構、多個第一基板、至少一第一間隙層、多個第二基板以及至少一第二間隙層。所述第一基板利用所述微凸塊結構之一部份彼此堆疊，並且各第一基板包括至少一第一重佈線層。第一間隙層位於所堆疊的第一基板之間。所述第二基板利用所述微凸塊結構之另一部份與所述第一基板至少其中之一堆疊，並且各第二基板包括至少一第二重佈線層。第二間隙層位於所堆疊的第一基板與第二基板之間。所述第一重佈線層、所述第二重佈線層以及所述微凸塊結構形成多個阻抗元件，並且所述阻抗元件提供一特定的振盪頻率。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5917690
電子信箱: KellyChen@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5913792 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號18294
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院電光系統所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人李亨元 ,辜佩儀 ,陳佑昇
核准國家美國
獲證日期105/03/10
證書號碼9,385,314
專利期間起105/02/09
專利期間訖119/12/14
專利性質發明
技術摘要-中文一種電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法。所述方法包括形成第一電極。在第一電極上形成金屬氧化物層。在金屬氧化物層上形成電極緩衝疊層，其中電極緩衝疊層包括第一緩衝層以及第二緩衝層，第一緩衝層位於金屬氧化物層與第二緩衝層之間，第一緩衝層相對地不易與金屬氧化物層產生氧化反應，且第二緩衝層相對地容易與金屬氧化層產生氧化反應。在電極緩衝疊層上形成第二電極。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P51000170USC1
特殊情形(空)
序號: 18294
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院電光系統所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 李亨元 ,辜佩儀 ,陳佑昇
核准國家: 美國
獲證日期: 105/03/10
證書號碼: 9,385,314
專利期間起: 105/02/09
專利期間訖: 119/12/14
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法。所述方法包括形成第一電極。在第一電極上形成金屬氧化物層。在金屬氧化物層上形成電極緩衝疊層，其中電極緩衝疊層包括第一緩衝層以及第二緩衝層，第一緩衝層位於金屬氧化物層與第二緩衝層之間，第一緩衝層相對地不易與金屬氧化物層產生氧化反應，且第二緩衝層相對地容易與金屬氧化層產生氧化反應。在電極緩衝疊層上形成第二電極。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5917690
電子信箱: KellyChen@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P51000170USC1
特殊情形: (空)

# 03-5913792 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號18296
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文變容器
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院電光系統所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人李思翰 ,曾珮玲 ,林哲輝 ,林志昇
核准國家中華民國
獲證日期105/03/29
證書號碼I518864
專利期間起105/01/20
專利期間訖120/12/12
專利性質發明
技術摘要-中文一種變容器。一基底具有第一表面與第二表面以及位於上述基底之第一開口以及第二開口。一導電材料填充於上述第一與第二開口，以分別形成一第一晶圓穿孔以及一第二晶圓穿孔。一第一電容耦接於上述第一晶圓穿孔以及一第一端點之間。一第二電容耦接於上述第二晶圓穿孔以及一第二端點之間。上述第一晶圓穿孔以及上述第二晶圓穿孔之間之一空乏區電容的電容值係由施加於上述第一以及第二晶圓穿孔的一偏壓電壓所決定。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P51010026TW
特殊情形(空)
序號: 18296
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 變容器
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院電光系統所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 李思翰 ,曾珮玲 ,林哲輝 ,林志昇
核准國家: 中華民國
獲證日期: 105/03/29
證書號碼: I518864
專利期間起: 105/01/20
專利期間訖: 120/12/12
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種變容器。一基底具有第一表面與第二表面以及位於上述基底之第一開口以及第二開口。一導電材料填充於上述第一與第二開口，以分別形成一第一晶圓穿孔以及一第二晶圓穿孔。一第一電容耦接於上述第一晶圓穿孔以及一第一端點之間。一第二電容耦接於上述第二晶圓穿孔以及一第二端點之間。上述第一晶圓穿孔以及上述第二晶圓穿孔之間之一空乏區電容的電容值係由施加於上述第一以及第二晶圓穿孔的一偏壓電壓所決定。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5917690
電子信箱: KellyChen@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P51010026TW
特殊情形: (空)

# 03-5913792 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號18301
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文電阻式記憶體裝置
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院電光系統所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人林志和 ,李思翰 ,林文斌 ,許世玄
核准國家美國
獲證日期105/04/12
證書號碼9,378,785
專利期間起105/03/21
專利期間訖123/01/13
專利性質發明
技術摘要-中文一種電阻式記憶體裝置，包括記憶體陣列、讀取電路、寫回邏輯電路以及寫回電路。讀取電路讀取一被選擇的記憶體單元內所儲存之資料，並產生第一控制信號。寫回邏輯電路根據第一控制信號與第二控制信號產生寫回控制信號。寫回電路根據寫回控制信號以及一寫回電壓對被選擇的記憶體單元執行寫回操作，使得被選擇的記憶體單元之一電阻狀態由一低電阻狀態轉換為一高電阻狀態，並且根據被選擇的記憶體單元之電阻狀態產生第二控制信號。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P51010092US
特殊情形(空)
序號: 18301
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 電阻式記憶體裝置
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院電光系統所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 林志和 ,李思翰 ,林文斌 ,許世玄
核准國家: 美國
獲證日期: 105/04/12
證書號碼: 9,378,785
專利期間起: 105/03/21
專利期間訖: 123/01/13
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種電阻式記憶體裝置，包括記憶體陣列、讀取電路、寫回邏輯電路以及寫回電路。讀取電路讀取一被選擇的記憶體單元內所儲存之資料，並產生第一控制信號。寫回邏輯電路根據第一控制信號與第二控制信號產生寫回控制信號。寫回電路根據寫回控制信號以及一寫回電壓對被選擇的記憶體單元執行寫回操作，使得被選擇的記憶體單元之一電阻狀態由一低電阻狀態轉換為一高電阻狀態，並且根據被選擇的記憶體單元之電阻狀態產生第二控制信號。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5917690
電子信箱: KellyChen@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P51010092US
特殊情形: (空)

# 03-5913792 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號18304
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文半導體裝置之直通矽晶穿孔修復電路
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院電光系統所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人曾珮玲 ,蘇耿立 ,林志昇 ,許世玄
核准國家中華民國
獲證日期105/03/08
證書號碼I515866
專利期間起105/02/01
專利期間訖123/05/22
專利性質發明
技術摘要-中文一種半導體裝置之直通矽晶穿孔修復電路，包括第一晶片以及一第二晶片、至少二個直通矽晶穿孔、至少二個資料路徑電路以及輸出邏輯電路。每個資料路徑電路包括輸入驅動電路、直通矽晶穿孔偵測電路、記憶裝置、保護電路以及電源控制電路。直通矽晶穿孔偵測電路偵測直通矽晶穿孔狀態，記憶裝置保存該直通矽晶穿孔狀態，保護電路根據該直通矽晶穿孔狀態決定是否將直通矽晶穿孔的第一端拉至該接地電壓，電源控制電路根據該直通矽晶穿孔狀態避免該電源電壓的漏電流流經基板。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P51020024TW
特殊情形(空)
序號: 18304
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 半導體裝置之直通矽晶穿孔修復電路
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院電光系統所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 曾珮玲 ,蘇耿立 ,林志昇 ,許世玄
核准國家: 中華民國
獲證日期: 105/03/08
證書號碼: I515866
專利期間起: 105/02/01
專利期間訖: 123/05/22
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種半導體裝置之直通矽晶穿孔修復電路，包括第一晶片以及一第二晶片、至少二個直通矽晶穿孔、至少二個資料路徑電路以及輸出邏輯電路。每個資料路徑電路包括輸入驅動電路、直通矽晶穿孔偵測電路、記憶裝置、保護電路以及電源控制電路。直通矽晶穿孔偵測電路偵測直通矽晶穿孔狀態，記憶裝置保存該直通矽晶穿孔狀態，保護電路根據該直通矽晶穿孔狀態決定是否將直通矽晶穿孔的第一端拉至該接地電壓，電源控制電路根據該直通矽晶穿孔狀態避免該電源電壓的漏電流流經基板。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5917690
電子信箱: KellyChen@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P51020024TW
特殊情形: (空)

# 03-5913792 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號6764
產出年度103
技術名稱-中文Backside TSV製程技術
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
領域智慧科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文該技術已經成功應用在Logic晶片上，並完成TEG電性驗證。目前正測試用於DRAM晶片。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格TSV CD = 5um ; depth = 50um. TSV etching from wafer backside, stop on frontside Metal.
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍高密度佈局之邏輯晶片與記憶體晶片，應用於記憶體模組的同質與異質堆疊整合。
潛力預估減少TSV製程對於CMOS正面製程之衝擊
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址無
所須軟硬體設備Lithography(Aligner or Stepper), Si etcher for TSV, PECVD, PVD, Cu plating, CMP
需具備之專業人才黃光, 蝕刻, 薄膜, 電鍍, 與化學機械研磨製程之專業人才
序號: 6764
產出年度: 103
技術名稱-中文: Backside TSV製程技術
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
領域: 智慧科技
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 該技術已經成功應用在Logic晶片上，並完成TEG電性驗證。目前正測試用於DRAM晶片。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: TSV CD = 5um ; depth = 50um. TSV etching from wafer backside, stop on frontside Metal.
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 高密度佈局之邏輯晶片與記憶體晶片，應用於記憶體模組的同質與異質堆疊整合。
潛力預估: 減少TSV製程對於CMOS正面製程之衝擊
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5917690
電子信箱: KellyChen@itri.org.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: Lithography(Aligner or Stepper), Si etcher for TSV, PECVD, PVD, Cu plating, CMP
需具備之專業人才: 黃光, 蝕刻, 薄膜, 電鍍, 與化學機械研磨製程之專業人才

# 03-5913792 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號7962
產出年度101
技術名稱-中文半導體曝光製程技術
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱工研院環境建構總計畫
領域智慧科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文確認曝光機台具一定穩定性，變更疊對層別則將重工率由100%降至12.5%。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格奈米電子製程技術實驗室 * DUV Stepper疊對
技術成熟度試量產
可應用範圍半導體製造與設計公司、記憶體製造廠商、生物晶片公司
潛力預估隨著半導體製程技術微縮，應用在IOT、通訊和生物晶片等領域之商機潛力大
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5915138
電子信箱kellychen@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備半導體曝光機台
需具備之專業人才CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
序號: 7962
產出年度: 101
技術名稱-中文: 半導體曝光製程技術
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院環境建構總計畫
領域: 智慧科技
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 確認曝光機台具一定穩定性，變更疊對層別則將重工率由100%降至12.5%。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 奈米電子製程技術實驗室 * DUV Stepper疊對
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 半導體製造與設計公司、記憶體製造廠商、生物晶片公司
潛力預估: 隨著半導體製程技術微縮，應用在IOT、通訊和生物晶片等領域之商機潛力大
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5915138
電子信箱: kellychen@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 半導體曝光機台
需具備之專業人才: CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
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與在三維晶片堆疊後可修補記憶體的技術同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

次微米解析度光學同調斷層攝影技術

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 孫啟光 | 證書號碼: I223719

被動式電激發光二極體陣列的驅動方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 何貫睿 | 證書號碼: 190526

基於動態影像壓縮標準之階層式物件切割法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 甘敏成, 郭鐘榮, 吳國瑞, 蔡孟翰 | 證書號碼: 188953

位相差式防偽方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王迺岳, 蔡朝旭 | 證書號碼: 6,667,797

微透鏡之製作方法及其製造裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳錦泰 | 證書號碼: I224210

噴墨頭晶片封裝結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 許法源, 胡紀平 | 證書號碼: 195329

一種快速尋找列印頻率以獲得立體影像的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 連健淋, 黃偉倫 | 證書號碼: 220506

三維度影像接合處之色彩處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳佳綸 | 證書號碼: 200533

三維模型之階層式紋理貼圖處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周宏隆, 陳加珍 | 證書號碼: 206727

有機發光元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡榮源, 張嘉帥, 趙清煙, 崋沐怡 | 證書號碼: 204036

網路設備之維修管理系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 林榮政, 林仁傑, 賴加勳 | 證書號碼: 220826

電壓脈衝式化學物質濃度量測系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃奕孝, 闕妙如, 陳一誠, 石東生 | 證書號碼: 206789

使用於處理含VOC之有機廢氣處理裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 林樹榮, 吳信賢, 賴慶智 | 證書號碼: 220398

使用於處理含VOC之有機廢氣處理裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 林樹榮, 吳信賢, 賴慶智 | 證書號碼: 6,780,223

含VOC有機廢氣之處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 林樹榮, 吳信賢, 賴慶智 | 證書號碼: 206408

次微米解析度光學同調斷層攝影技術

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 孫啟光 | 證書號碼: I223719

被動式電激發光二極體陣列的驅動方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 何貫睿 | 證書號碼: 190526

基於動態影像壓縮標準之階層式物件切割法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 甘敏成, 郭鐘榮, 吳國瑞, 蔡孟翰 | 證書號碼: 188953

位相差式防偽方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王迺岳, 蔡朝旭 | 證書號碼: 6,667,797

微透鏡之製作方法及其製造裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳錦泰 | 證書號碼: I224210

噴墨頭晶片封裝結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 許法源, 胡紀平 | 證書號碼: 195329

一種快速尋找列印頻率以獲得立體影像的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 連健淋, 黃偉倫 | 證書號碼: 220506

三維度影像接合處之色彩處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳佳綸 | 證書號碼: 200533

三維模型之階層式紋理貼圖處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周宏隆, 陳加珍 | 證書號碼: 206727

有機發光元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡榮源, 張嘉帥, 趙清煙, 崋沐怡 | 證書號碼: 204036

網路設備之維修管理系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 林榮政, 林仁傑, 賴加勳 | 證書號碼: 220826

電壓脈衝式化學物質濃度量測系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃奕孝, 闕妙如, 陳一誠, 石東生 | 證書號碼: 206789

使用於處理含VOC之有機廢氣處理裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 林樹榮, 吳信賢, 賴慶智 | 證書號碼: 220398

使用於處理含VOC之有機廢氣處理裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 林樹榮, 吳信賢, 賴慶智 | 證書號碼: 6,780,223

含VOC有機廢氣之處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 林樹榮, 吳信賢, 賴慶智 | 證書號碼: 206408

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