一種太陽能電池抗反射封裝膜之製程方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文一種太陽能電池抗反射封裝膜之製程方法的核准國家是中華民國, 執行單位是中科院飛彈火箭研究所, 產出年度是104, 專利性質是發明, 計畫名稱是大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫, 專利發明人是吳政翰、倪國裕、薄慧雲、林遙冷、陳方中、周俊賢, 證書號碼是I497736.

序號16672
產出年度104
領域別綠能科技
專利名稱-中文一種太陽能電池抗反射封裝膜之製程方法
執行單位中科院飛彈火箭研究所
產出單位中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人吳政翰、倪國裕、薄慧雲、林遙冷、陳方中、周俊賢
核准國家中華民國
獲證日期104/08/21
證書號碼I497736
專利期間起104/08/21
專利期間訖113/11/06
專利性質發明
技術摘要-中文一種太陽能電池抗反射封裝膜之製程方法，包括：將含有低折射率之波導材料與固化劑混合以形成一混合液；將該混合液置於一模具中，並進行加熱使該混合液固化以形成一抗反射部，其中該模具底部具有一微型結構；將一太陽能電池置放於抗反射膜上；將該混合液再置於該模具中，並進行加熱使該混合液固化並與該抗反射膜形成一抗反射封裝膜。藉此，可減低光的耦合損失(light out-coupling)而提高光捕捉率，提升整體太陽能模組效率。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員吳政翰
電話03-4712201#357219
傳真03-4713318
電子信箱zevy6934@yahoo.com.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

16672

產出年度

104

領域別

綠能科技

專利名稱-中文

一種太陽能電池抗反射封裝膜之製程方法

執行單位

中科院飛彈火箭研究所

產出單位

中科院飛彈火箭研究所

計畫名稱

大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

專利發明人

吳政翰、倪國裕、薄慧雲、林遙冷、陳方中、周俊賢

核准國家

中華民國

獲證日期

104/08/21

證書號碼

I497736

專利期間起

104/08/21

專利期間訖

113/11/06

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種太陽能電池抗反射封裝膜之製程方法，包括：將含有低折射率之波導材料與固化劑混合以形成一混合液；將該混合液置於一模具中，並進行加熱使該混合液固化以形成一抗反射部，其中該模具底部具有一微型結構；將一太陽能電池置放於抗反射膜上；將該混合液再置於該模具中，並進行加熱使該混合液固化並與該抗反射膜形成一抗反射封裝膜。藉此，可減低光的耦合損失(light out-coupling)而提高光捕捉率，提升整體太陽能模組效率。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

吳政翰

電話

03-4712201#357219

傳真

03-4713318

電子信箱

zevy6934@yahoo.com.tw

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# 03-4712201 357219 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號16669
產出年度104
領域別綠能科技
專利名稱-中文具高導電性及高穿透率之複合式薄膜結構
執行單位中科院飛彈火箭研究所
產出單位中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人梁仕昌、李可鼎、
核准國家中華民國
獲證日期104/03/11
證書號碼M497333
專利期間起104/03/11
專利期間訖113/12/27
專利性質新型
技術摘要-中文本創作係提出一種具高導電性及高穿透率複合式薄膜結構，設於一光電元件之一基材及至少一金屬電極之間，其包括一第一透明層及一導電層與一第二透明層。第一透明層為氧化物透明導電薄膜，沉積設於基材之一側面，導電層為一增加導電性之薄化金屬薄膜或石墨烯薄膜，第二透明層為氧化物透明導電薄膜沉積設於導電層之一側表面，且另側係與金屬電極接觸，以作為該導電層之保護層，藉此可使該薄膜結構具有高導電性、高透光性及薄化光電元件所需透明導電薄膜。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員梁仕昌
電話03-4712201#357219
傳真03-4713318
電子信箱zevy6934@yahoo.com.tw
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特殊情形(空)
序號: 16669
產出年度: 104
領域別: 綠能科技
專利名稱-中文: 具高導電性及高穿透率之複合式薄膜結構
執行單位: 中科院飛彈火箭研究所
產出單位: 中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人: 梁仕昌、李可鼎、
核准國家: 中華民國
獲證日期: 104/03/11
證書號碼: M497333
專利期間起: 104/03/11
專利期間訖: 113/12/27
專利性質: 新型
技術摘要-中文: 本創作係提出一種具高導電性及高穿透率複合式薄膜結構，設於一光電元件之一基材及至少一金屬電極之間，其包括一第一透明層及一導電層與一第二透明層。第一透明層為氧化物透明導電薄膜，沉積設於基材之一側面，導電層為一增加導電性之薄化金屬薄膜或石墨烯薄膜，第二透明層為氧化物透明導電薄膜沉積設於導電層之一側表面，且另側係與金屬電極接觸，以作為該導電層之保護層，藉此可使該薄膜結構具有高導電性、高透光性及薄化光電元件所需透明導電薄膜。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 梁仕昌
電話: 03-4712201#357219
傳真: 03-4713318
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# 03-4712201 357219 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號7540
產出年度99
領域別機械運輸
專利名稱-中文Method and Apparatus for Manufacturing High-Purity Hydrogen Storage Alloy Ma2Ni
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱新世代能源關鍵技術開發計畫
專利發明人伍員鵬、聶若光
核准國家美國
獲證日期99/01/26
證書號碼7651546B2
專利期間起96/10/23
專利期間訖116/10/23
專利性質發明
技術摘要-中文係提供一種可應用於工業上大量且連續生產之高純度Mg2Ni儲氫合金之方法與裝置。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員伍員鵬
電話(03)4712201#357219
傳真(03)4111334
電子信箱csist@csistdup.org.tw
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備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7540
產出年度: 99
領域別: 機械運輸
專利名稱-中文: Method and Apparatus for Manufacturing High-Purity Hydrogen Storage Alloy Ma2Ni
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新世代能源關鍵技術開發計畫
專利發明人: 伍員鵬、聶若光
核准國家: 美國
獲證日期: 99/01/26
證書號碼: 7651546B2
專利期間起: 96/10/23
專利期間訖: 116/10/23
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 係提供一種可應用於工業上大量且連續生產之高純度Mg2Ni儲氫合金之方法與裝置。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 伍員鵬
電話: (03)4712201#357219
傳真: (03)4111334
電子信箱: csist@csistdup.org.tw
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# 03-4712201 357219 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號16668
產出年度104
領域別綠能科技
專利名稱-中文一種可降低接觸電阻之具高導電性薄膜結構
執行單位中科院飛彈火箭研究所
產出單位中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人梁仕昌、李可鼎、
核准國家中華民國
獲證日期104/02/11
證書號碼M495610
專利期間起104/02/11
專利期間訖113/09/17
專利性質新型
技術摘要-中文一種具高導電性並可降低金屬接觸電阻之薄膜結構，設於一光電元件之一基材及至少一金屬電極之間，其包括一第一導電層及一第二導電層。第一導電層為非結晶型透明導電薄膜，沉積設於基材之一側面，第二導電層為一結晶型透明導電薄膜，沉積設於第一導電層之一側表面，且另側係與該金屬電極接觸，以作為該第一導電層與該金屬電極之導電媒介，藉此可使該薄膜結構具有高導電性、高透光性及相對金屬電極具有低接觸電阻等優點，並且不受基材表面粗糙度影響其功效呈現。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員梁仕昌
電話03-4712201#357219
傳真03-4713318
電子信箱zevy6934@yahoo.com.tw
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備註(空)
特殊情形(空)
序號: 16668
產出年度: 104
領域別: 綠能科技
專利名稱-中文: 一種可降低接觸電阻之具高導電性薄膜結構
執行單位: 中科院飛彈火箭研究所
產出單位: 中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人: 梁仕昌、李可鼎、
核准國家: 中華民國
獲證日期: 104/02/11
證書號碼: M495610
專利期間起: 104/02/11
專利期間訖: 113/09/17
專利性質: 新型
技術摘要-中文: 一種具高導電性並可降低金屬接觸電阻之薄膜結構，設於一光電元件之一基材及至少一金屬電極之間，其包括一第一導電層及一第二導電層。第一導電層為非結晶型透明導電薄膜，沉積設於基材之一側面，第二導電層為一結晶型透明導電薄膜，沉積設於第一導電層之一側表面，且另側係與該金屬電極接觸，以作為該第一導電層與該金屬電極之導電媒介，藉此可使該薄膜結構具有高導電性、高透光性及相對金屬電極具有低接觸電阻等優點，並且不受基材表面粗糙度影響其功效呈現。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 梁仕昌
電話: 03-4712201#357219
傳真: 03-4713318
電子信箱: zevy6934@yahoo.com.tw
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# 03-4712201 357219 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號16670
產出年度104
領域別綠能科技
專利名稱-中文可線性蒸鍍之蒸鍍設備噴頭
執行單位中科院飛彈火箭研究所
產出單位中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人徐滄銘 、林銘俊、韋士珊、王興建、許鴻川
核准國家中華民國
獲證日期104/04/01
證書號碼I479040
專利期間起104/04/01
專利期間訖121/12/04
專利性質發明
技術摘要-中文一種可線性蒸鍍之蒸鍍設備噴頭，其係透過一樞接結構樞設在一蒸鍍設備內所設之鍍槽的開口處，在一底座之中央部位開設有一第一開口，且該底座一側設有一第一樞接結構，該第一樞接結構與設在該鍍槽一側之第二樞接結構相樞接，將二導流板之一端分別與該第一開口之內側連接，形成該導流板與該底座連接，且該等導流板之內側分別設有一導槽，於該等導流板相對應連接時，以使該等導流之兩端所形成之第二開口、第三開口能與該第一開口相對應和貫通，而該等導槽內側面分別設有複數蒸道，再將二加熱板分別設在該等導流板之外圍，且該等加熱板之外圍繞設有一加熱元件，最後將二絕緣板分別設在該等加熱板之外圍，與該等導流板將該等加熱板包覆在內，以進行絕緣，以達到使蒸鍍材料汽化後的分子能均勻鍍膜在該基板表面之目的。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員徐滄銘
電話03-4712201#357219
傳真03-4713318
電子信箱zevy6934@yahoo.com.tw
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備註(空)
特殊情形(空)
序號: 16670
產出年度: 104
領域別: 綠能科技
專利名稱-中文: 可線性蒸鍍之蒸鍍設備噴頭
執行單位: 中科院飛彈火箭研究所
產出單位: 中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人: 徐滄銘 、林銘俊、韋士珊、王興建、許鴻川
核准國家: 中華民國
獲證日期: 104/04/01
證書號碼: I479040
專利期間起: 104/04/01
專利期間訖: 121/12/04
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種可線性蒸鍍之蒸鍍設備噴頭，其係透過一樞接結構樞設在一蒸鍍設備內所設之鍍槽的開口處，在一底座之中央部位開設有一第一開口，且該底座一側設有一第一樞接結構，該第一樞接結構與設在該鍍槽一側之第二樞接結構相樞接，將二導流板之一端分別與該第一開口之內側連接，形成該導流板與該底座連接，且該等導流板之內側分別設有一導槽，於該等導流板相對應連接時，以使該等導流之兩端所形成之第二開口、第三開口能與該第一開口相對應和貫通，而該等導槽內側面分別設有複數蒸道，再將二加熱板分別設在該等導流板之外圍，且該等加熱板之外圍繞設有一加熱元件，最後將二絕緣板分別設在該等加熱板之外圍，與該等導流板將該等加熱板包覆在內，以進行絕緣，以達到使蒸鍍材料汽化後的分子能均勻鍍膜在該基板表面之目的。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 徐滄銘
電話: 03-4712201#357219
傳真: 03-4713318
電子信箱: zevy6934@yahoo.com.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-4712201 357219 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號16671
產出年度104
領域別綠能科技
專利名稱-中文提升硒化物薄膜成長品質之蒸鍍裝置
執行單位中科院飛彈火箭研究所
產出單位中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人梁仕昌、黃偉傑、魏肇男、倪國裕 、薄慧雲
核准國家中華民國
獲證日期104/05/21
證書號碼I485276
專利期間起104/05/21
專利期間訖113/11/17
專利性質發明
技術摘要-中文本發明為一種可改善硒化合物薄膜蒸鍍製程所產生結晶性不佳問題的裝置。傳統的硒噴發蒸鍍源產生的硒蒸氣極易形成分子團，因此在進行銦鎵硒三元素的共蒸鍍時，難以避免產生多晶向銦鎵硒化合物薄膜，本發明即提供一種成長高品質硒化合物薄膜的裝置，從而得到緻密性高、膜面平坦且單一晶向的高品質銦鎵硒化合物薄膜，以提升薄膜的穩定性並得運用至高品質之CIGS太陽能電池。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員梁仕昌
電話03-4712201#357219
傳真03-4713318
電子信箱zevy6934@yahoo.com.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 16671
產出年度: 104
領域別: 綠能科技
專利名稱-中文: 提升硒化物薄膜成長品質之蒸鍍裝置
執行單位: 中科院飛彈火箭研究所
產出單位: 中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人: 梁仕昌、黃偉傑、魏肇男、倪國裕 、薄慧雲
核准國家: 中華民國
獲證日期: 104/05/21
證書號碼: I485276
專利期間起: 104/05/21
專利期間訖: 113/11/17
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明為一種可改善硒化合物薄膜蒸鍍製程所產生結晶性不佳問題的裝置。傳統的硒噴發蒸鍍源產生的硒蒸氣極易形成分子團，因此在進行銦鎵硒三元素的共蒸鍍時，難以避免產生多晶向銦鎵硒化合物薄膜，本發明即提供一種成長高品質硒化合物薄膜的裝置，從而得到緻密性高、膜面平坦且單一晶向的高品質銦鎵硒化合物薄膜，以提升薄膜的穩定性並得運用至高品質之CIGS太陽能電池。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 梁仕昌
電話: 03-4712201#357219
傳真: 03-4713318
電子信箱: zevy6934@yahoo.com.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-4712201 357219 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號16673
產出年度104
領域別綠能科技
專利名稱-中文可提升蒸鍍材料使用率之線性蒸鍍裝置
執行單位中科院飛彈火箭研究所
產出單位中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人梁仕昌、黃偉傑、魏肇男、倪國裕、薄慧雲
核准國家中華民國
獲證日期104/08/21
證書號碼M507432
專利期間起104/08/21
專利期間訖113/11/06
專利性質新型
技術摘要-中文一種可提升蒸鍍材料使用率之線性蒸鍍裝置，具有一反應腔體，供以對一基板進行鍍膜製程，其特徵在於反應腔體內具有至少一絕熱腔體，且於絕熱腔體內設有一線性蒸鍍源，並透過一混合腔體均勻混合線性蒸鍍源蒸氣，於該絕熱腔體內導入一反應式蒸鍍材之蒸氣，使線性蒸鍍源自混合腔體散出時與反應式蒸鍍材之蒸氣進行反應並一併自絕熱腔體噴出以於該基板進行鍍膜，藉此使各蒸鍍材料蒸氣皆可被充分有效利用，提升材料之使用率，同時透過絕熱腔體之高溫環境使反應式蒸鍍材之蒸氣產生裂解效應形成更小分子團，係可提升製備而成薄膜之品質。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員梁仕昌
電話03-4712201#357219
傳真03-4713318
電子信箱zevy6934@yahoo.com.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 16673
產出年度: 104
領域別: 綠能科技
專利名稱-中文: 可提升蒸鍍材料使用率之線性蒸鍍裝置
執行單位: 中科院飛彈火箭研究所
產出單位: 中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人: 梁仕昌、黃偉傑、魏肇男、倪國裕、薄慧雲
核准國家: 中華民國
獲證日期: 104/08/21
證書號碼: M507432
專利期間起: 104/08/21
專利期間訖: 113/11/06
專利性質: 新型
技術摘要-中文: 一種可提升蒸鍍材料使用率之線性蒸鍍裝置，具有一反應腔體，供以對一基板進行鍍膜製程，其特徵在於反應腔體內具有至少一絕熱腔體，且於絕熱腔體內設有一線性蒸鍍源，並透過一混合腔體均勻混合線性蒸鍍源蒸氣，於該絕熱腔體內導入一反應式蒸鍍材之蒸氣，使線性蒸鍍源自混合腔體散出時與反應式蒸鍍材之蒸氣進行反應並一併自絕熱腔體噴出以於該基板進行鍍膜，藉此使各蒸鍍材料蒸氣皆可被充分有效利用，提升材料之使用率，同時透過絕熱腔體之高溫環境使反應式蒸鍍材之蒸氣產生裂解效應形成更小分子團，係可提升製備而成薄膜之品質。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 梁仕昌
電話: 03-4712201#357219
傳真: 03-4713318
電子信箱: zevy6934@yahoo.com.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-4712201 357219 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號16674
產出年度104
領域別綠能科技
專利名稱-中文軟性太陽能電池光吸收層之真空製程設備及其製造方法
執行單位中科院飛彈火箭研究所
產出單位中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人潘文珏、徐滄銘、郭政輝、陳燦桐、王興建
核准國家中華民國
獲證日期104/08/11
證書號碼I495740
專利期間起104/08/11
專利期間訖113/12/13
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係關於一種軟性太陽能電池光吸收層之真空製程設備及其製造方法，係將加熱板、冷卻系統、硒蒸氣蒸鍍模組、銦鎵銦線性蒸鍍模組與銅線性蒸鍍模組整合於一真空腔體之中，並配合一放捲模組、一速度主控輪組與一收捲模組，以自動化流程於一真空環境中將銅銦鎵硒太陽能光吸收層製備於一軟性基板之上；藉此方式節省太陽能電池光吸收層之製程設備的機台配置空間，並有效地節省生產之時間成本。此外，於本發明之中，又加以整合膜厚量測模組與機電控制模組，如此，於自動化的製程過程中，操作人員可透過機電控制模組即時地監控太陽能電池光吸收層之厚度及其化合物組成，有利於製程良率之提升。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員梁仕昌
電話03-4712201#357219
傳真03-4713318
電子信箱zevy6934@yahoo.com.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 16674
產出年度: 104
領域別: 綠能科技
專利名稱-中文: 軟性太陽能電池光吸收層之真空製程設備及其製造方法
執行單位: 中科院飛彈火箭研究所
產出單位: 中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人: 潘文珏、徐滄銘、郭政輝、陳燦桐、王興建
核准國家: 中華民國
獲證日期: 104/08/11
證書號碼: I495740
專利期間起: 104/08/11
專利期間訖: 113/12/13
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明係關於一種軟性太陽能電池光吸收層之真空製程設備及其製造方法，係將加熱板、冷卻系統、硒蒸氣蒸鍍模組、銦鎵銦線性蒸鍍模組與銅線性蒸鍍模組整合於一真空腔體之中，並配合一放捲模組、一速度主控輪組與一收捲模組，以自動化流程於一真空環境中將銅銦鎵硒太陽能光吸收層製備於一軟性基板之上；藉此方式節省太陽能電池光吸收層之製程設備的機台配置空間，並有效地節省生產之時間成本。此外，於本發明之中，又加以整合膜厚量測模組與機電控制模組，如此，於自動化的製程過程中，操作人員可透過機電控制模組即時地監控太陽能電池光吸收層之厚度及其化合物組成，有利於製程良率之提升。
技術摘要-英文: (空)
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與一種太陽能電池抗反射封裝膜之製程方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

薄膜電晶體及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳振銘, 吳永富 | 證書號碼: 221340

氣密室封裝基台與架構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 李宗昇, 利鴻禔 | 證書號碼: 200699

智慧型空調系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 李宗昇, 曾國華, 陳龍德, 游金銘 | 證書號碼: 206662

智慧型空調系統

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 李宗昇, 曾國華, 陳龍德, 游金銘 | 證書號碼: 6715689

整合影像顯示之體溫計

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 李宗昇, 陳龍德, 曾國華, 吳家興 | 證書號碼: 200916

電鍍金屬導線製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃俊堯, 陳政忠, 吳永富, 蔡政宏, 喬傳國, 朱芳村 | 證書號碼: 206682

場發射顯示器之支撐柱挾持結構與方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林偉義, 蕭名君, 陳盈憲, 曾企民, 蕭雲嬌 | 證書號碼: 202592

利用TIO2層製作擴散式反射板

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 陳明道, 黃良瑩, 翁逸君, 吳耀庭, 蔡明郎, 溫俊祥, 林顯光 | 證書號碼: 206687

具無機及有機功能性構裝基板

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 吳仕先, 李明林, 賴信助 | 證書號碼: 196534

奈米碳管閘極之電晶體結構與製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 魏拯華, 陳信輝, 賴明駿, 王宏祥, 高明哲 | 證書號碼: 222742

元件轉貼之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳昱丞, 王文通, 張榮芳, 湯景萱 | 證書號碼: 221010

多層互補式導線結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳昱丞, 陳麒麟 | 證書號碼: 220775

以矽為基材之微機電射頻開關製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 陳振頤 | 證書號碼: 220142

覆晶構裝接合結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋 | 證書號碼: 222725

於基板上形成空間支撐物的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 李正中, 何家充, 蕭名君 | 證書號碼: 223307

薄膜電晶體及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳振銘, 吳永富 | 證書號碼: 221340

氣密室封裝基台與架構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 李宗昇, 利鴻禔 | 證書號碼: 200699

智慧型空調系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 李宗昇, 曾國華, 陳龍德, 游金銘 | 證書號碼: 206662

智慧型空調系統

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 李宗昇, 曾國華, 陳龍德, 游金銘 | 證書號碼: 6715689

整合影像顯示之體溫計

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 李宗昇, 陳龍德, 曾國華, 吳家興 | 證書號碼: 200916

電鍍金屬導線製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃俊堯, 陳政忠, 吳永富, 蔡政宏, 喬傳國, 朱芳村 | 證書號碼: 206682

場發射顯示器之支撐柱挾持結構與方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林偉義, 蕭名君, 陳盈憲, 曾企民, 蕭雲嬌 | 證書號碼: 202592

利用TIO2層製作擴散式反射板

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 陳明道, 黃良瑩, 翁逸君, 吳耀庭, 蔡明郎, 溫俊祥, 林顯光 | 證書號碼: 206687

具無機及有機功能性構裝基板

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 吳仕先, 李明林, 賴信助 | 證書號碼: 196534

奈米碳管閘極之電晶體結構與製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 魏拯華, 陳信輝, 賴明駿, 王宏祥, 高明哲 | 證書號碼: 222742

元件轉貼之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳昱丞, 王文通, 張榮芳, 湯景萱 | 證書號碼: 221010

多層互補式導線結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳昱丞, 陳麒麟 | 證書號碼: 220775

以矽為基材之微機電射頻開關製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 陳振頤 | 證書號碼: 220142

覆晶構裝接合結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋 | 證書號碼: 222725

於基板上形成空間支撐物的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 李正中, 何家充, 蕭名君 | 證書號碼: 223307

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