穩定蒸鍍均勻性薄膜之方法及其裝置
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文穩定蒸鍍均勻性薄膜之方法及其裝置的核准國家是中華民國, 執行單位是中科院飛彈火箭研究所, 產出年度是105, 專利性質是發明, 計畫名稱是大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫, 專利發明人是梁仕昌、黃偉傑、魏肇男、倪國裕、薄慧雲, 證書號碼是I523962.

序號	18541
產出年度	105
領域別	綠能科技
專利名稱-中文	穩定蒸鍍均勻性薄膜之方法及其裝置
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱	大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人	梁仕昌、黃偉傑、魏肇男、倪國裕、薄慧雲
核准國家	中華民國
獲證日期	105/01/20
證書號碼	I523962
專利期間起	105/03/01
專利期間訖	123/10/02
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種穩定蒸鍍均勻性薄膜之方法及其裝置，係針對真空環境之基材進行蒸鍍薄膜製程，藉維持蒸鍍速率提升薄膜均勻度，其係將至少一蒸鍍材置於至少一蒸鍍容器中，並透過加熱器加熱且於蒸鍍容器壁上蓋設有一蓋板，當蒸鍍材加熱至蒸發狀態並於蒸鍍容器內達到第一蒸氣飽和壓力，蒸鍍材蒸氣即往一穩壓室流動，並於穩壓室達到小於第一蒸氣飽和壓力之第二蒸氣飽和壓力，真空環境具有真空背景壓力，且真空背景壓力小於第二蒸氣飽和壓力，使蒸鍍材蒸氣藉壓力差等速率由穩壓室朝向真空環境流動以對該基材進行蒸鍍，本發明係利用固定壓差使蒸鍍速率固定以提升成形薄膜之均勻度，並免除隨時間產生之蒸鍍鍍率變異情形。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	吳政翰
電話	03-4712201#357052
傳真	03-4713318
電子信箱	otrolkimo@yahoo.com.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)
同步更新日期	2023-07-05

序號

18541

產出年度

105

領域別

綠能科技

專利名稱-中文

穩定蒸鍍均勻性薄膜之方法及其裝置

執行單位

中科院飛彈火箭研究所

產出單位

中科院飛彈火箭研究所

計畫名稱

大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

專利發明人

梁仕昌、黃偉傑、魏肇男、倪國裕、薄慧雲

核准國家

中華民國

獲證日期

105/01/20

證書號碼

I523962

專利期間起

105/03/01

專利期間訖

123/10/02

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種穩定蒸鍍均勻性薄膜之方法及其裝置，係針對真空環境之基材進行蒸鍍薄膜製程，藉維持蒸鍍速率提升薄膜均勻度，其係將至少一蒸鍍材置於至少一蒸鍍容器中，並透過加熱器加熱且於蒸鍍容器壁上蓋設有一蓋板，當蒸鍍材加熱至蒸發狀態並於蒸鍍容器內達到第一蒸氣飽和壓力，蒸鍍材蒸氣即往一穩壓室流動，並於穩壓室達到小於第一蒸氣飽和壓力之第二蒸氣飽和壓力，真空環境具有真空背景壓力，且真空背景壓力小於第二蒸氣飽和壓力，使蒸鍍材蒸氣藉壓力差等速率由穩壓室朝向真空環境流動以對該基材進行蒸鍍，本發明係利用固定壓差使蒸鍍速率固定以提升成形薄膜之均勻度，並免除隨時間產生之蒸鍍鍍率變異情形。

技術摘要-英文

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吳政翰

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03-4712201#357052

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2023-07-05

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提升硒化物薄膜成長品質之蒸鍍裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫 \| 專利發明人: 梁仕昌、黃偉傑、魏肇男、倪國裕、薄慧雲 \| 證書號碼: I485276 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
可提升蒸鍍材料使用率之線性蒸鍍裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫 \| 專利發明人: 梁仕昌、黃偉傑、魏肇男、倪國裕、薄慧雲 \| 證書號碼: M507432 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
LINEAR EVAPORATION APPARATUS FOR IMPROVING UNIFORMITY OF THIN FILMS AND UTILIZATION OF EVAPORATION M...	核准國家: 美國 \| 執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 \| 產出年度: 105 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫 \| 專利發明人: 梁仕昌、黃偉傑、魏肇男、倪國裕、薄慧雲 \| 證書號碼: 領證中 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

提升硒化物薄膜成長品質之蒸鍍裝置

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

可提升蒸鍍材料使用率之線性蒸鍍裝置

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LINEAR EVAPORATION APPARATUS FOR IMPROVING UNIFORMITY OF THIN FILMS AND UTILIZATION OF EVAPORATION M...

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# 03-4712201 357052 於經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號	18542
產出年度	105
領域別	綠能科技
專利名稱-中文	製備高品質平整過渡層之方法及其產物
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱	大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人	鍾德儒、梁仕昌、魏肇男、倪國裕、薄慧雲、蔡篤承、薛富盛
核准國家	中華民國
獲證日期	105/05/01
證書號碼	I532206
專利期間起	105/05/01
專利期間訖	123/12/18
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明係提出一種製備高品質平整過渡層之方法及其產物，其方法係針對一薄膜型太陽能電池以製備一平整過渡層，該薄膜型太陽能電池具有一光學吸收層，並沉積一反應層於該光學吸收層上，而後提供一反應氣氛以針對該反應層進行快速熱退火製程，使該反應氣氛與該反應層交互擴散而形成該平整過渡層，並與該光學吸收層之間形成平整之一p-n接面，其特徵在於：進行快速熱退火製程時，將工作壓力控制於1×10-4Torr至300Torr之間，且該平整過渡層並非利用將另一具有高活性和高蒸氣壓之層體與該反應層互相結合而形成。如此便可使該平整過渡層與p型半導體間形成較佳之p-n接面特性，以降低元件漏電效應。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	吳政翰
電話	03-4712201#357052
傳真	03-4713318
電子信箱	otrolkimo@yahoo.com.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號: 18542

產出年度: 105

領域別: 綠能科技

專利名稱-中文: 製備高品質平整過渡層之方法及其產物

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所

產出單位: 中科院飛彈火箭研究所

計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

專利發明人: 鍾德儒、梁仕昌、魏肇男、倪國裕、薄慧雲、蔡篤承、薛富盛

核准國家: 中華民國

獲證日期: 105/05/01

證書號碼: I532206

專利期間起: 105/05/01

專利期間訖: 123/12/18

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 本發明係提出一種製備高品質平整過渡層之方法及其產物，其方法係針對一薄膜型太陽能電池以製備一平整過渡層，該薄膜型太陽能電池具有一光學吸收層，並沉積一反應層於該光學吸收層上，而後提供一反應氣氛以針對該反應層進行快速熱退火製程，使該反應氣氛與該反應層交互擴散而形成該平整過渡層，並與該光學吸收層之間形成平整之一p-n接面，其特徵在於：進行快速熱退火製程時，將工作壓力控制於1×10-4Torr至300Torr之間，且該平整過渡層並非利用將另一具有高活性和高蒸氣壓之層體與該反應層互相結合而形成。如此便可使該平整過渡層與p型半導體間形成較佳之p-n接面特性，以降低元件漏電效應。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 吳政翰

電話: 03-4712201#357052

傳真: 03-4713318

電子信箱: otrolkimo@yahoo.com.tw

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# 03-4712201 357052 於經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號	18543
產出年度	105
領域別	綠能科技
專利名稱-中文	I-III-VI族化合物薄膜太陽能電池製造方法
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱	大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人	梁仕昌、鍾德儒、魏肇男、倪國裕、薄慧雲
核准國家	中華民國
獲證日期	105/05/01
證書號碼	I532204
專利期間起	105/05/01
專利期間訖	123/12/04
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明係提出一種I-III-VI族化合物薄膜太陽能電池製造方法，其中關於太陽能電池中之p-n接面的製造方法，其特徵在於：係以物理氣相沉積法製作製作一反應層薄膜，接著再以快速退火方法於p型半導體層上形成n型半導體層，此時該n型半導體層與p型半導體層間即具有一p-n接面特性。藉此製成之太陽能電池，可在生產線上達製程一貫性且免除化學水浴製程存在大量廢液回收問題，同時對此製造方法因具備表面蝕刻效果，故可藉此達到縮減製程道次之優勢來提高產能與降低成本，且其太陽能電池亦可維持優良之光電轉換效率。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	吳政翰
電話	03-4712201#357052
傳真	03-4713318
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序號: 18543

產出年度: 105

領域別: 綠能科技

專利名稱-中文: I-III-VI族化合物薄膜太陽能電池製造方法

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所

產出單位: 中科院飛彈火箭研究所

計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

專利發明人: 梁仕昌、鍾德儒、魏肇男、倪國裕、薄慧雲

核准國家: 中華民國

獲證日期: 105/05/01

證書號碼: I532204

專利期間起: 105/05/01

專利期間訖: 123/12/04

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 本發明係提出一種I-III-VI族化合物薄膜太陽能電池製造方法，其中關於太陽能電池中之p-n接面的製造方法，其特徵在於：係以物理氣相沉積法製作製作一反應層薄膜，接著再以快速退火方法於p型半導體層上形成n型半導體層，此時該n型半導體層與p型半導體層間即具有一p-n接面特性。藉此製成之太陽能電池，可在生產線上達製程一貫性且免除化學水浴製程存在大量廢液回收問題，同時對此製造方法因具備表面蝕刻效果，故可藉此達到縮減製程道次之優勢來提高產能與降低成本，且其太陽能電池亦可維持優良之光電轉換效率。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 吳政翰

電話: 03-4712201#357052

傳真: 03-4713318

電子信箱: otrolkimo@yahoo.com.tw

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# 03-4712201 357052 於經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號	18544
產出年度	105
領域別	綠能科技
專利名稱-中文	一種原子層磊晶系統之進氣管路陣列
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱	大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人	"李文傑、梁仕昌、魏肇男、倪國裕、薄慧雲、蕭銘華、林俊霆、柯志忠、余友軒
核准國家	中華民國
獲證日期	105/12/30
證書號碼	領證中
專利期間起	105/12/30
專利期間訖	124/12/30
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明提出一種原子層磊晶系統之進氣管路陣列，將前驅物注入口與排氣口陣列式排列，用以縮短前驅物入口-基板-抽氣口之距離，達成快速移除沉積反應後剩餘氣體之目的。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	吳政翰
電話	03-4712201#357052
傳真	03-4713318
電子信箱	otrolkimo@yahoo.com.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號: 18544

產出年度: 105

領域別: 綠能科技

專利名稱-中文: 一種原子層磊晶系統之進氣管路陣列

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所

產出單位: 中科院飛彈火箭研究所

計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

專利發明人: "李文傑、梁仕昌、魏肇男、倪國裕、薄慧雲、蕭銘華、林俊霆、柯志忠、余友軒

核准國家: 中華民國

獲證日期: 105/12/30

證書號碼: 領證中

專利期間起: 105/12/30

專利期間訖: 124/12/30

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 本發明提出一種原子層磊晶系統之進氣管路陣列，將前驅物注入口與排氣口陣列式排列，用以縮短前驅物入口-基板-抽氣口之距離，達成快速移除沉積反應後剩餘氣體之目的。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 吳政翰

電話: 03-4712201#357052

傳真: 03-4713318

電子信箱: otrolkimo@yahoo.com.tw

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與穩定蒸鍍均勻性薄膜之方法及其裝置同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

連續域反扭轉型液晶顯示裝置及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 莊立聖, 陳慶逸 \| 證書號碼: 185475
顯示器自動伽馬(GAMMA)校正系統	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖明俊, 楊和興, 沈毓仁 \| 證書號碼: 200771
一種全彩化發光二極體裝置及製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東, 彭遠清, 陳建志 \| 證書號碼: 6730937
調整資料驅動器參考電壓之顯示器自動伽馬校正系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖明俊, 陳明道, 楊和興 \| 證書號碼: 190460
可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 \| 證書號碼: 190469
可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 \| 證書號碼: 6680755
中心對稱之GAMMA電壓校正電路	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 \| 證書號碼: 3522705
中心對稱之GAMMA電壓校正電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 \| 證書號碼: 190470
中心對稱之GAMMA電壓校正電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 \| 證書號碼: 6778161
矽單晶液晶顯示器及製作方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 莊立聖 \| 證書號碼: 6721027
簡易式塊狀彈性體的製程方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 盧思維, 盧明, 林志榮 \| 證書號碼: 6605525
蝕刻玻璃面板之裝置及方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳泰宏, 黃元璋 \| 證書號碼: 6673195
陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 \| 證書號碼: 184692
陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 \| 證書號碼: 6714268
具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強 \| 證書號碼: 191581

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序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

技術摘要-中文

技術摘要-英文

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穩定蒸鍍均勻性薄膜之方法及其裝置
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