LINEAR EVAPORATION APPARATUS FOR IMPROVING UNIFORMITY OF THIN FILMS AND UTILIZATION OF EVAPORATION M
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文LINEAR EVAPORATION APPARATUS FOR IMPROVING UNIFORMITY OF THIN FILMS AND UTILIZATION OF EVAPORATION MATERIALS的核准國家是美國, 執行單位是中科院飛彈火箭研究所, 產出年度是105, 專利性質是發明, 計畫名稱是大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫, 專利發明人是梁仕昌、黃偉傑、魏肇男、倪國裕、薄慧雲, 證書號碼是領證中.

序號	18545
產出年度	105
領域別	綠能科技
專利名稱-中文	LINEAR EVAPORATION APPARATUS FOR IMPROVING UNIFORMITY OF THIN FILMS AND UTILIZATION OF EVAPORATION MATERIALS
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱	大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人	梁仕昌、黃偉傑、魏肇男、倪國裕、薄慧雲
核准國家	美國
獲證日期	105/12/30
證書號碼	領證中
專利期間起	105/12/30
專利期間訖	124/12/30
專利性質	發明
技術摘要-中文	A linear evaporation apparatus includes a thermal insulation chamber, and crucibles, evaporation material heaters and a mixing chamber installed in the thermal insulation chamber. The mixing chamber includes a flow limiting and adjusting layer, a flow channel adjusting member, a mixed layer and a linear evaporation layer. The flow limiting and adjusting layer is a rectangular sheet with flow limit holes corresponsive to the crucibles respectively; the flow channel adjusting member is an interconnected structure having at least one flow inlet corresponsive to some of the flow limit holes and at least one flow outlet, and the mixed layer is a substantially I-shaped sheet structure, and the linear evaporation layer is a rectangular sheet having a linear source evaporation opening tapered from both ends to the middle, so as to improve the uniformity of the thin film and the utilization of the evaporation materials.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	吳政翰
電話	03-4712201#357052
傳真	03-4713318
電子信箱	otrolkimo@yahoo.com.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)
同步更新日期	2023-07-05

序號

18545

產出年度

105

領域別

綠能科技

專利名稱-中文

LINEAR EVAPORATION APPARATUS FOR IMPROVING UNIFORMITY OF THIN FILMS AND UTILIZATION OF EVAPORATION MATERIALS

執行單位

中科院飛彈火箭研究所

產出單位

中科院飛彈火箭研究所

計畫名稱

大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

專利發明人

梁仕昌、黃偉傑、魏肇男、倪國裕、薄慧雲

核准國家

美國

獲證日期

105/12/30

證書號碼

領證中

專利期間起

105/12/30

專利期間訖

124/12/30

專利性質

發明

技術摘要-中文

A linear evaporation apparatus includes a thermal insulation chamber, and crucibles, evaporation material heaters and a mixing chamber installed in the thermal insulation chamber. The mixing chamber includes a flow limiting and adjusting layer, a flow channel adjusting member, a mixed layer and a linear evaporation layer. The flow limiting and adjusting layer is a rectangular sheet with flow limit holes corresponsive to the crucibles respectively; the flow channel adjusting member is an interconnected structure having at least one flow inlet corresponsive to some of the flow limit holes and at least one flow outlet, and the mixed layer is a substantially I-shaped sheet structure, and the linear evaporation layer is a rectangular sheet having a linear source evaporation opening tapered from both ends to the middle, so as to improve the uniformity of the thin film and the utilization of the evaporation materials.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

吳政翰

電話

03-4712201#357052

傳真

03-4713318

電子信箱

otrolkimo@yahoo.com.tw

參考網址

(空)

備註

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特殊情形

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同步更新日期

2023-07-05

根據識別碼領證中找到的相關資料

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# 領證中於經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號	18537
產出年度	105
領域別	綠能科技
專利名稱-中文	助燃器
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱	大型鋰電池元件與儲電技術
專利發明人	杲中興; 謝旭明; 翁仲毅; 郭彥隆
核准國家	中華民國
獲證日期	105/12/30
證書號碼	領證中
專利期間起	105/12/30
專利期間訖	124/12/30
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種助燃器，係搭配燃燒爐使用，助燃器包含錐體、中空套管、錐狀套件、底板以及支撐部。透過上述助燃器之結構，使燃燒熱空氣可均勻穩定，強化助燃器維持燃燒爐體內部之高溫，產生完全燃燒效果，進而降低煙塵排放量。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	余若君
電話	03-4712201#352013
傳真	03-4713318
電子信箱	june8527962@gmail.com
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號: 18537

產出年度: 105

領域別: 綠能科技

專利名稱-中文: 助燃器

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所

產出單位: 中科院飛彈火箭研究所

計畫名稱: 大型鋰電池元件與儲電技術

專利發明人: 杲中興; 謝旭明; 翁仲毅; 郭彥隆

核准國家: 中華民國

獲證日期: 105/12/30

證書號碼: 領證中

專利期間起: 105/12/30

專利期間訖: 124/12/30

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 一種助燃器，係搭配燃燒爐使用，助燃器包含錐體、中空套管、錐狀套件、底板以及支撐部。透過上述助燃器之結構，使燃燒熱空氣可均勻穩定，強化助燃器維持燃燒爐體內部之高溫，產生完全燃燒效果，進而降低煙塵排放量。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 余若君

電話: 03-4712201#352013

傳真: 03-4713318

電子信箱: june8527962@gmail.com

參考網址: (空)

備註: (空)

特殊情形: (空)

# 領證中於經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號	18539
產出年度	105
領域別	綠能科技
專利名稱-中文	循環乾燥裝置
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱	高功率光纖雷射關鍵模組開發計畫
專利發明人	陳志鵬、林柏伸、謝維昇
核准國家	中華民國
獲證日期	105/12/30
證書號碼	領證中
專利期間起	105/12/30
專利期間訖	124/12/30
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明係提供一種用於濕食用物料乾燥作業的循環乾燥裝置，本發明係使用一內部可產生氣體循環流場之快速流化床，可使濕物料懸空浮起，在快速流化床內部循環流動，濕物料因水份分離轉變為質量較小之乾物料，再從出料口流出、儲存。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	陳志鵬
電話	0952797196
傳真	034713318
電子信箱	0238cpc@gmail.com
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號: 18539

產出年度: 105

領域別: 綠能科技

專利名稱-中文: 循環乾燥裝置

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所

產出單位: 中科院飛彈火箭研究所

計畫名稱: 高功率光纖雷射關鍵模組開發計畫

專利發明人: 陳志鵬、林柏伸、謝維昇

核准國家: 中華民國

獲證日期: 105/12/30

證書號碼: 領證中

專利期間起: 105/12/30

專利期間訖: 124/12/30

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 本發明係提供一種用於濕食用物料乾燥作業的循環乾燥裝置，本發明係使用一內部可產生氣體循環流場之快速流化床，可使濕物料懸空浮起，在快速流化床內部循環流動，濕物料因水份分離轉變為質量較小之乾物料，再從出料口流出、儲存。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 陳志鵬

電話: 0952797196

傳真: 034713318

電子信箱: 0238cpc@gmail.com

參考網址: (空)

備註: (空)

特殊情形: (空)

# 領證中於經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號	18544
產出年度	105
領域別	綠能科技
專利名稱-中文	一種原子層磊晶系統之進氣管路陣列
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱	大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人	"李文傑、梁仕昌、魏肇男、倪國裕、薄慧雲、蕭銘華、林俊霆、柯志忠、余友軒
核准國家	中華民國
獲證日期	105/12/30
證書號碼	領證中
專利期間起	105/12/30
專利期間訖	124/12/30
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明提出一種原子層磊晶系統之進氣管路陣列，將前驅物注入口與排氣口陣列式排列，用以縮短前驅物入口-基板-抽氣口之距離，達成快速移除沉積反應後剩餘氣體之目的。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	吳政翰
電話	03-4712201#357052
傳真	03-4713318
電子信箱	otrolkimo@yahoo.com.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號: 18544

產出年度: 105

領域別: 綠能科技

專利名稱-中文: 一種原子層磊晶系統之進氣管路陣列

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所

產出單位: 中科院飛彈火箭研究所

計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

專利發明人: "李文傑、梁仕昌、魏肇男、倪國裕、薄慧雲、蕭銘華、林俊霆、柯志忠、余友軒

核准國家: 中華民國

獲證日期: 105/12/30

證書號碼: 領證中

專利期間起: 105/12/30

專利期間訖: 124/12/30

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 本發明提出一種原子層磊晶系統之進氣管路陣列，將前驅物注入口與排氣口陣列式排列，用以縮短前驅物入口-基板-抽氣口之距離，達成快速移除沉積反應後剩餘氣體之目的。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 吳政翰

電話: 03-4712201#357052

傳真: 03-4713318

電子信箱: otrolkimo@yahoo.com.tw

參考網址: (空)

備註: (空)

特殊情形: (空)

# 領證中於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號	4408
產出年度	99
技術名稱-中文	光電材料技術(清華大學化學所/院)
執行單位	學界科專辦公室
產出單位	(空)
計畫名稱	學界科專計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	為雙極性主體材料，具有carbazole與phenyl phosphphine oxide的官能團，對於紅綠藍三色的磷光元件都具有很好的效率，為目前表現最好的廣用型主體材料。並已獲得專利。(專利名稱：發光材料以及包括此發光材料之有機發光二極體，台灣：申請中；美國：領證中)
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	雙極性主體材料BCPO，其HOMO為5.76 eV、LUMO為2.19 eV，三重態能階為3.01 eV。搭配FIrpic，可將最大外部量子放光效率提升至23.5%、CIE座標(0.14,0.30)且最大能量效率為40.6lm/W、最大電流效率=45.1cd/A。綠色磷光元件，其最大電流效率=83.4cd/A、CIE(0.28,0.65)，已達技術指標，且其最大外部量子放光效率為21.6%、最大能量效率=87.5lm/W。紅色磷光元件，其最大電流效率=19.4cd/A、CIE(0.67,0.33)，已達技術指標，且其最大外部量子放光效率為17.0%、最大能量效率=20.4lm/W。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	有機光電材料相關產業，如面板、照明、能源產業
潛力預估	提供高效率之元件表現，並且量產容易，可應用於目前最具瓶頸的藍色磷光元件中、面板或白光照明及能源相關產業上
聯絡人員	周鶴修博後
電話	03-5715131#35654
傳真	03-5724698
電子信箱	hhchou@mx.nthu.edu.tw
參考網址	http://thor.nthu.edu.tw
所須軟硬體設備	合成設備實驗室、昇華純化設備與高真空蒸鍍設備
需具備之專業人才	化學、化工、材料與光電專業人員

序號: 4408

產出年度: 99

技術名稱-中文: 光電材料技術(清華大學化學所/院)

執行單位: 學界科專辦公室

產出單位: (空)

計畫名稱: 學界科專計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 為雙極性主體材料，具有carbazole與phenyl phosphphine oxide的官能團，對於紅綠藍三色的磷光元件都具有很好的效率，為目前表現最好的廣用型主體材料。並已獲得專利。(專利名稱：發光材料以及包括此發光材料之有機發光二極體，台灣：申請中；美國：領證中)

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 雙極性主體材料BCPO，其HOMO為5.76 eV、LUMO為2.19 eV，三重態能階為3.01 eV。搭配FIrpic，可將最大外部量子放光效率提升至23.5%、CIE座標(0.14,0.30)且最大能量效率為40.6lm/W、最大電流效率=45.1cd/A。綠色磷光元件，其最大電流效率=83.4cd/A、CIE(0.28,0.65)，已達技術指標，且其最大外部量子放光效率為21.6%、最大能量效率=87.5lm/W。紅色磷光元件，其最大電流效率=19.4cd/A、CIE(0.67,0.33)，已達技術指標，且其最大外部量子放光效率為17.0%、最大能量效率=20.4lm/W。

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 有機光電材料相關產業，如面板、照明、能源產業

潛力預估: 提供高效率之元件表現，並且量產容易，可應用於目前最具瓶頸的藍色磷光元件中、面板或白光照明及能源相關產業上

聯絡人員: 周鶴修博後

電話: 03-5715131#35654

傳真: 03-5724698

電子信箱: hhchou@mx.nthu.edu.tw

參考網址: http://thor.nthu.edu.tw

所須軟硬體設備: 合成設備實驗室、昇華純化設備與高真空蒸鍍設備

需具備之專業人才: 化學、化工、材料與光電專業人員

# 領證中於經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號	4379
產出年度	97
領域別	(空)
專利名稱-中文	自動水平穩定調整機構
執行單位	中科院飛彈所
產出單位	(空)
計畫名稱	光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫
專利發明人	呂志偉黃湫鑌賴俊佑林宜遠顏意珍柯明闊
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	領證中
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	(空)
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	(空)
電話	(空)
傳真	(空)
電子信箱	(空)
參考網址	(空)
備註	0
特殊情形	(空)

序號: 4379

產出年度: 97

領域別: (空)

專利名稱-中文: 自動水平穩定調整機構

執行單位: 中科院飛彈所

產出單位: (空)

計畫名稱: 光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫

專利發明人: 呂志偉黃湫鑌賴俊佑林宜遠顏意珍柯明闊

核准國家: 中華民國

獲證日期: (空)

證書號碼: 領證中

專利期間起: (空)

專利期間訖: (空)

專利性質: 發明

技術摘要-中文: (空)

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: (空)

電話: (空)

傳真: (空)

電子信箱: (空)

參考網址: (空)

備註: 0

特殊情形: (空)

# 領證中於經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號	4380
產出年度	97
領域別	(空)
專利名稱-中文	機器人重心及姿態調整複合型機構
執行單位	中科院飛彈所
產出單位	(空)
計畫名稱	光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫
專利發明人	呂志偉曾文豪石世雄游欽宏林宜遠鄭博升顏意珍
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	領證中
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	(空)
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	(空)
電話	(空)
傳真	(空)
電子信箱	(空)
參考網址	(空)
備註	0
特殊情形	(空)

序號: 4380

產出年度: 97

領域別: (空)

專利名稱-中文: 機器人重心及姿態調整複合型機構

執行單位: 中科院飛彈所

產出單位: (空)

計畫名稱: 光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫

專利發明人: 呂志偉曾文豪石世雄游欽宏林宜遠鄭博升顏意珍

核准國家: 中華民國

獲證日期: (空)

證書號碼: 領證中

專利期間起: (空)

專利期間訖: (空)

專利性質: 發明

技術摘要-中文: (空)

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: (空)

電話: (空)

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提升硒化物薄膜成長品質之蒸鍍裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫 \| 專利發明人: 梁仕昌、黃偉傑、魏肇男、倪國裕、薄慧雲 \| 證書號碼: I485276 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
可提升蒸鍍材料使用率之線性蒸鍍裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫 \| 專利發明人: 梁仕昌、黃偉傑、魏肇男、倪國裕、薄慧雲 \| 證書號碼: M507432 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
穩定蒸鍍均勻性薄膜之方法及其裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 \| 產出年度: 105 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫 \| 專利發明人: 梁仕昌、黃偉傑、魏肇男、倪國裕、薄慧雲 \| 證書號碼: I523962 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

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根據電話 03-4712201 357052 找到的相關資料

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# 03-4712201 357052 於經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號	18542
產出年度	105
領域別	綠能科技
專利名稱-中文	製備高品質平整過渡層之方法及其產物
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱	大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人	鍾德儒、梁仕昌、魏肇男、倪國裕、薄慧雲、蔡篤承、薛富盛
核准國家	中華民國
獲證日期	105/05/01
證書號碼	I532206
專利期間起	105/05/01
專利期間訖	123/12/18
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明係提出一種製備高品質平整過渡層之方法及其產物，其方法係針對一薄膜型太陽能電池以製備一平整過渡層，該薄膜型太陽能電池具有一光學吸收層，並沉積一反應層於該光學吸收層上，而後提供一反應氣氛以針對該反應層進行快速熱退火製程，使該反應氣氛與該反應層交互擴散而形成該平整過渡層，並與該光學吸收層之間形成平整之一p-n接面，其特徵在於：進行快速熱退火製程時，將工作壓力控制於1×10-4Torr至300Torr之間，且該平整過渡層並非利用將另一具有高活性和高蒸氣壓之層體與該反應層互相結合而形成。如此便可使該平整過渡層與p型半導體間形成較佳之p-n接面特性，以降低元件漏電效應。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	吳政翰
電話	03-4712201#357052
傳真	03-4713318
電子信箱	otrolkimo@yahoo.com.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號: 18542

產出年度: 105

領域別: 綠能科技

專利名稱-中文: 製備高品質平整過渡層之方法及其產物

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所

產出單位: 中科院飛彈火箭研究所

計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

專利發明人: 鍾德儒、梁仕昌、魏肇男、倪國裕、薄慧雲、蔡篤承、薛富盛

核准國家: 中華民國

獲證日期: 105/05/01

證書號碼: I532206

專利期間起: 105/05/01

專利期間訖: 123/12/18

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 本發明係提出一種製備高品質平整過渡層之方法及其產物，其方法係針對一薄膜型太陽能電池以製備一平整過渡層，該薄膜型太陽能電池具有一光學吸收層，並沉積一反應層於該光學吸收層上，而後提供一反應氣氛以針對該反應層進行快速熱退火製程，使該反應氣氛與該反應層交互擴散而形成該平整過渡層，並與該光學吸收層之間形成平整之一p-n接面，其特徵在於：進行快速熱退火製程時，將工作壓力控制於1×10-4Torr至300Torr之間，且該平整過渡層並非利用將另一具有高活性和高蒸氣壓之層體與該反應層互相結合而形成。如此便可使該平整過渡層與p型半導體間形成較佳之p-n接面特性，以降低元件漏電效應。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 吳政翰

電話: 03-4712201#357052

傳真: 03-4713318

電子信箱: otrolkimo@yahoo.com.tw

參考網址: (空)

備註: (空)

特殊情形: (空)

# 03-4712201 357052 於經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號	18543
產出年度	105
領域別	綠能科技
專利名稱-中文	I-III-VI族化合物薄膜太陽能電池製造方法
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱	大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
專利發明人	梁仕昌、鍾德儒、魏肇男、倪國裕、薄慧雲
核准國家	中華民國
獲證日期	105/05/01
證書號碼	I532204
專利期間起	105/05/01
專利期間訖	123/12/04
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明係提出一種I-III-VI族化合物薄膜太陽能電池製造方法，其中關於太陽能電池中之p-n接面的製造方法，其特徵在於：係以物理氣相沉積法製作製作一反應層薄膜，接著再以快速退火方法於p型半導體層上形成n型半導體層，此時該n型半導體層與p型半導體層間即具有一p-n接面特性。藉此製成之太陽能電池，可在生產線上達製程一貫性且免除化學水浴製程存在大量廢液回收問題，同時對此製造方法因具備表面蝕刻效果，故可藉此達到縮減製程道次之優勢來提高產能與降低成本，且其太陽能電池亦可維持優良之光電轉換效率。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	吳政翰
電話	03-4712201#357052
傳真	03-4713318
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序號: 18543

產出年度: 105

領域別: 綠能科技

專利名稱-中文: I-III-VI族化合物薄膜太陽能電池製造方法

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所

產出單位: 中科院飛彈火箭研究所

計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

專利發明人: 梁仕昌、鍾德儒、魏肇男、倪國裕、薄慧雲

核准國家: 中華民國

獲證日期: 105/05/01

證書號碼: I532204

專利期間起: 105/05/01

專利期間訖: 123/12/04

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 本發明係提出一種I-III-VI族化合物薄膜太陽能電池製造方法，其中關於太陽能電池中之p-n接面的製造方法，其特徵在於：係以物理氣相沉積法製作製作一反應層薄膜，接著再以快速退火方法於p型半導體層上形成n型半導體層，此時該n型半導體層與p型半導體層間即具有一p-n接面特性。藉此製成之太陽能電池，可在生產線上達製程一貫性且免除化學水浴製程存在大量廢液回收問題，同時對此製造方法因具備表面蝕刻效果，故可藉此達到縮減製程道次之優勢來提高產能與降低成本，且其太陽能電池亦可維持優良之光電轉換效率。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 吳政翰

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與LINEAR EVAPORATION APPARATUS FOR IMPROVING UNIFORMITY OF THIN FILMS AND UTILIZATION OF EVAPORATION M同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

套管式平均動壓量測管	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃建平, 唐思維 \| 證書號碼: 242689
雙管式平均動壓測量裝置	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃建平 \| 證書號碼: ZL03249005.4
雙管式平均動壓量測管	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃建平 \| 證書號碼: M245405
移動式負壓隔離艙	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陸忠憲, 黃建平, 林慶峰, 吳振榮, 許又仁 \| 證書號碼: M248423
旋轉乾燥造粒裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃嘉宏, 黃家銘, 賴重光, 蔡啟明, 張贊淵, 黃珧玲, 鄧瑞琴, 曾善訓, 陳政澤 \| 證書號碼: 209043
單人進出通行管制系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 林國照, 賴加勳, 劉健偉 \| 證書號碼: 196399
抗爆貨櫃強化門	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院系統中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王明忠, 王豐賀, 安超群, 滕步旭 \| 證書號碼: 215835
微形抓取夾結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院系統中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張凱程, 范光錢 \| 證書號碼: 216640
防回吸型牙鑽手機	核准國家: 德國 \| 執行單位: 工研院系統中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 郭啟榮, 魏增武, 張嘉揚 \| 證書號碼: 202004002873.5
振動式環形陀螺儀的環體及支承結構	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院系統中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李國驤, 林松濤, 李世平, 張明暐, 李漢州, 許銘修, 粘金重 \| 證書號碼: ZL03264106.0
振動式環形陀螺儀之環體及支撐結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院系統中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李國驤, 林松濤, 李世平, 張明暐, 李漢州, 許銘修, 粘金重 \| 證書號碼: 219609
可撓式基板之微型超音波換能器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院系統中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張明暐, 鄧澤民, 樊天柱, 賴志敏, 李國驤, 邱家麟 \| 證書號碼: 219612
黏稠液吸出裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院系統中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 何無忌 \| 證書號碼: 220186
氣動工具之渦輪馬達	核准國家: 德國 \| 執行單位: 工研院系統中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 郭啟榮, 吳嘉瑞, 張嘉揚, 王大維, 廖榮皇 \| 證書號碼: 202004005998.3
應用光學干涉計之科氏力型流量計	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院系統中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 范政文, 粘金重, 郭忠柱, 朱高弘 \| 證書號碼: I220157

LINEAR EVAPORATION APPARATUS FOR IMPROVING UNIFORMITY OF THIN FILMS AND UTILIZATION OF EVAPORATION M - 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

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LINEAR EVAPORATION APPARATUS FOR IMPROVING UNIFORMITY OF THIN FILMS AND UTILIZATION OF EVAPORATION M
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