相變化記憶體元件與製程技術 @ 政府開放資料
相變化記憶體元件與製程技術 - 搜尋結果總共有 31 筆政府開放資料，以下是 1 - 20 [第 1 頁]。
相變化記憶體元件與製程技術 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
相變化記憶體元件製程技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
相變化薄膜製程技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
改善相變化記憶體特性之方法及結構 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王文翰 | 證書號碼: I273703 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
電阻式記憶體技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧可變電阻單元其特性最大操作電流 < 200 uA ‧最大操作電壓 < 3V ‧Retention: > 10 years @ 85°C ‧Cycling: >106 ‧高低電阻比: > 3 ‧Rep... | 潛力預估: 研發團隊所開發的RRAM元件，其優異特性使其成為下世代記憶體中最熱門的技術，這不僅讓工研院在發展RRAM取得領先的地位，也讓工研院掌握下世代記憶體發展的關鍵技術。因此這個技術的開發，將有助於本國記憶體... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
自旋記憶體 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 領域: | 技術規格: 垂直式自旋傳輸元件:MR> 60%, RA < 15Ωµm2, Ic < 200μA, Eb > 60kBT@RT, Write time < 20 ns, Endurance > 109... | 潛力預估: 已開發出垂直磁化自旋記憶體元件製程技術，提升自旋磁性記憶體量產可行性：開發dual hard mask以及spacer結構for p-MTJ製程技術。搭配e-beam litho以及蝕刻最佳化參數可得... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
電阻式記憶體技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10 yrs 85℃, Max current < 100 µA, Voltage < 3.3V , Forming time | 潛力預估: 提升元件應用於90nm 邏輯製程的可能性：成功的導入緩衝層Ta可降低元件的操作電流至20uA以下，與第一次重置電流至50uA以下，提升元件應用於90nm 邏輯製程的可能性，有利於完全取代Embedde... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
可應用於三維堆疊式架構之固態記憶體技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: 1. MTJ CD≦50nm，Switching≦50ns，Vc≦0.6V，Ic≦80uA 2. I(V)/I(V/2) ≧100，I≦100uA，Cell size≦4F^2，Half pitch... | 潛力預估: 1. 垂直式自旋磁性記憶體技術」(MRAM)成功解決元件變小時容易導致記憶體失效的技術瓶頸，具有非揮發性、讀寫速度快、無限次讀寫、低耗能等優點，是工研院為台灣ICT產業在記憶體技術保留的火種之一，將協... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
電阻式記憶體技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: ‧最大操作電流 3 | 潛力預估: 雖然電阻式記憶體目前仍有許多問題尚待克服，包括電性穩定度與高溫可靠度相關問題，但很多人認為他將是取代快閃記憶體的不錯方案。國際大廠大多也是這一兩年才投入相關的研究，所以IP的佈局仍有很大的空間。而國內... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
電阻式記憶體技術 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: ‧最大操作電流 3 | 潛力預估: 雖然電阻式記憶體目前仍有許多問題尚待克服，包括電性穩定度與高溫可靠度相關問題，但很多人認為他將是取代快閃記憶體的不錯方案。國際大廠大多也是這一兩年才投入相關的研究，所以IP的佈局仍有很大的空間。而國內... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高介電值閘極介電物技術 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
秀惠拼布工房 | 名稱: 周秀惠 | 開放時間: 每日11:00~18:00，須先預約，人數無上限 | 電話: 05-7732099 | 地址: 雲林縣北港鎮武德街25號 @ 工藝中心臺灣工藝之家 |
台灣菸葉耕種時業改進社 | 1 | 開放時間: 週一至週五，上午9點半至11點半 | 現狀: 建築狀況尚可。 | 歷史沿革: 日治中期總督府於各地劃分菸草栽培區，經政府的推廣後，八卦山一帶逐漸成為中部地區菸草的主要種植區域，尤其田中普興、二水鼻仔頭等地因土質適合菸葉栽植，菸草品質佳，因此吸引不少農民申請菸草種植。隨著菸農與菸... @ 文資局歷史建築 |
增益型晶圓級晶方尺度構裝技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
下淡水溪鐵橋（高屏溪舊鐵橋） | 級別名稱: 國定古蹟 | 所屬主管機關: 文化部 | 指定登錄理由: 1、具歷史、文化、藝術價值（包括重要文物）： (1)下淡水溪鐵橋建於日大正2年（1913年），曾是東亞第一長橋，是二十世紀初重大工程成就。 (2)下淡水溪鐵橋為鋼桁架橋(花樑鐵橋)，展現獨特的結構美學... @ 文資局古蹟 |
新竹縣柿染文化協會 | 類別名稱: 染繡工藝類 | 新竹市 | 地址: 新竹縣新埔鎮旱里4鄰忠孝路120號 @ 工藝中心工藝社區 |
慶東社區發展協會 | 類別名稱: 木竹漆工藝類 | 台中市 | 地址: 臺中市東勢區東關路233 -1附6號 @ 工藝中心工藝社區 |
彰化女中紅樓 | 1 | 開放時間: 預約開放 | 現狀: 外觀則尚稱完整，現為校史館。 | 歷史沿革: 彰化女中的紅樓建於大正13年（西元1924年）左右，現址為彰化縣彰化市光復路62號。 在明治31年（西元1898年），彰化公學校（今中山國小）正式成立，但仍然暫借孔子廟作為宿舍與上課教室之用，後在大... @ 文資局歷史建築 |
陳志昇錫藝工作室 | 名稱: 陳志昇 | 開放時間: 周一至周五 09:00至12:00 14:00至17:00 | 電話: 04-7782877 | 地址: 彰化縣鹿港鎮德興街 23 號 @ 工藝中心臺灣工藝之家 |
2023「策展作為藝術史的方法：論述與實踐」學術研討會 | 國立臺灣美術館、華梵大學、台灣藝術史研究學會 | 活動起始日期: 2023/11/25 | 活動結束日期: 2023/11/26 | 折扣資訊: @ 講座資訊 |
相變化記憶體元件與製程技術執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
相變化記憶體元件製程技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
相變化薄膜製程技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
改善相變化記憶體特性之方法及結構核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王文翰 | 證書號碼: I273703 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
電阻式記憶體技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧可變電阻單元其特性最大操作電流 < 200 uA ‧最大操作電壓 < 3V ‧Retention: > 10 years @ 85°C ‧Cycling: >106 ‧高低電阻比: > 3 ‧Rep... | 潛力預估: 研發團隊所開發的RRAM元件，其優異特性使其成為下世代記憶體中最熱門的技術，這不僅讓工研院在發展RRAM取得領先的地位，也讓工研院掌握下世代記憶體發展的關鍵技術。因此這個技術的開發，將有助於本國記憶體... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
自旋記憶體執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 領域: | 技術規格: 垂直式自旋傳輸元件:MR> 60%, RA < 15Ωµm2, Ic < 200μA, Eb > 60kBT@RT, Write time < 20 ns, Endurance > 109... | 潛力預估: 已開發出垂直磁化自旋記憶體元件製程技術，提升自旋磁性記憶體量產可行性：開發dual hard mask以及spacer結構for p-MTJ製程技術。搭配e-beam litho以及蝕刻最佳化參數可得... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
電阻式記憶體技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10 yrs 85℃, Max current < 100 µA, Voltage < 3.3V , Forming time | 潛力預估: 提升元件應用於90nm 邏輯製程的可能性：成功的導入緩衝層Ta可降低元件的操作電流至20uA以下，與第一次重置電流至50uA以下，提升元件應用於90nm 邏輯製程的可能性，有利於完全取代Embedde... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
可應用於三維堆疊式架構之固態記憶體技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: 1. MTJ CD≦50nm，Switching≦50ns，Vc≦0.6V，Ic≦80uA 2. I(V)/I(V/2) ≧100，I≦100uA，Cell size≦4F^2，Half pitch... | 潛力預估: 1. 垂直式自旋磁性記憶體技術」(MRAM)成功解決元件變小時容易導致記憶體失效的技術瓶頸，具有非揮發性、讀寫速度快、無限次讀寫、低耗能等優點，是工研院為台灣ICT產業在記憶體技術保留的火種之一，將協... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
電阻式記憶體技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: ‧最大操作電流 3 | 潛力預估: 雖然電阻式記憶體目前仍有許多問題尚待克服，包括電性穩定度與高溫可靠度相關問題，但很多人認為他將是取代快閃記憶體的不錯方案。國際大廠大多也是這一兩年才投入相關的研究，所以IP的佈局仍有很大的空間。而國內... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
電阻式記憶體技術執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: ‧最大操作電流 3 | 潛力預估: 雖然電阻式記憶體目前仍有許多問題尚待克服，包括電性穩定度與高溫可靠度相關問題，但很多人認為他將是取代快閃記憶體的不錯方案。國際大廠大多也是這一兩年才投入相關的研究，所以IP的佈局仍有很大的空間。而國內... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高介電值閘極介電物技術執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
秀惠拼布工房名稱: 周秀惠 | 開放時間: 每日11:00~18:00，須先預約，人數無上限 | 電話: 05-7732099 | 地址: 雲林縣北港鎮武德街25號 @ 工藝中心臺灣工藝之家 |
台灣菸葉耕種時業改進社1 | 開放時間: 週一至週五，上午9點半至11點半 | 現狀: 建築狀況尚可。 | 歷史沿革: 日治中期總督府於各地劃分菸草栽培區，經政府的推廣後，八卦山一帶逐漸成為中部地區菸草的主要種植區域，尤其田中普興、二水鼻仔頭等地因土質適合菸葉栽植，菸草品質佳，因此吸引不少農民申請菸草種植。隨著菸農與菸... @ 文資局歷史建築 |
增益型晶圓級晶方尺度構裝技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
下淡水溪鐵橋（高屏溪舊鐵橋）級別名稱: 國定古蹟 | 所屬主管機關: 文化部 | 指定登錄理由: 1、具歷史、文化、藝術價值（包括重要文物）： (1)下淡水溪鐵橋建於日大正2年（1913年），曾是東亞第一長橋，是二十世紀初重大工程成就。 (2)下淡水溪鐵橋為鋼桁架橋(花樑鐵橋)，展現獨特的結構美學... @ 文資局古蹟 |
新竹縣柿染文化協會類別名稱: 染繡工藝類 | 新竹市 | 地址: 新竹縣新埔鎮旱里4鄰忠孝路120號 @ 工藝中心工藝社區 |
慶東社區發展協會類別名稱: 木竹漆工藝類 | 台中市 | 地址: 臺中市東勢區東關路233 -1附6號 @ 工藝中心工藝社區 |
彰化女中紅樓1 | 開放時間: 預約開放 | 現狀: 外觀則尚稱完整，現為校史館。 | 歷史沿革: 彰化女中的紅樓建於大正13年（西元1924年）左右，現址為彰化縣彰化市光復路62號。 在明治31年（西元1898年），彰化公學校（今中山國小）正式成立，但仍然暫借孔子廟作為宿舍與上課教室之用，後在大... @ 文資局歷史建築 |
陳志昇錫藝工作室名稱: 陳志昇 | 開放時間: 周一至周五 09:00至12:00 14:00至17:00 | 電話: 04-7782877 | 地址: 彰化縣鹿港鎮德興街 23 號 @ 工藝中心臺灣工藝之家 |
2023「策展作為藝術史的方法：論述與實踐」學術研討會國立臺灣美術館、華梵大學、台灣藝術史研究學會 | 活動起始日期: 2023/11/25 | 活動結束日期: 2023/11/26 | 折扣資訊: @ 講座資訊 |