玻璃模造硬膜製程技術
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技術名稱-中文玻璃模造硬膜製程技術的執行單位是工研院光電所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院通訊與光電領域環境建構計畫, 技術規格是可承受模造溫度570℃以下,模造次數為2,700至5,000次。, 潛力預估是因硬膜壽命的增加將可大幅降低模造玻璃鏡片的成本,提高產品的市場競爭力。.

序號39
產出年度93
技術名稱-中文玻璃模造硬膜製程技術
執行單位工研院光電所
產出單位(空)
計畫名稱工研院通訊與光電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用磁控濺鍍機將電漿中的正離子轟擊固體的表面,將固體原子撞出表面的一種過程,利用這種過程進行貴金屬薄膜披覆在加工完成的模仁表面上,增加模仁的使用壽命,增加產品競爭力。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格可承受模造溫度570℃以下,模造次數為2,700至5,000次。
技術成熟度光電所已具備鍍貴金屬膜的製程能力,硬膜壽命目前為2,700至5,000次模次。
可應用範圍披覆於模造玻璃鏡片的模仁表面。
潛力預估因硬膜壽命的增加將可大幅降低模造玻璃鏡片的成本,提高產品的市場競爭力。
聯絡人員沈志明
電話03-5918315
傳真03-5833190
電子信箱jimshen@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備具有光學系統及相關機構開發生產經驗之廠商。
需具備之專業人才光電相關背景

序號

39

產出年度

93

技術名稱-中文

玻璃模造硬膜製程技術

執行單位

工研院光電所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院通訊與光電領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

利用磁控濺鍍機將電漿中的正離子轟擊固體的表面,將固體原子撞出表面的一種過程,利用這種過程進行貴金屬薄膜披覆在加工完成的模仁表面上,增加模仁的使用壽命,增加產品競爭力。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

可承受模造溫度570℃以下,模造次數為2,700至5,000次。

技術成熟度

光電所已具備鍍貴金屬膜的製程能力,硬膜壽命目前為2,700至5,000次模次。

可應用範圍

披覆於模造玻璃鏡片的模仁表面。

潛力預估

因硬膜壽命的增加將可大幅降低模造玻璃鏡片的成本,提高產品的市場競爭力。

聯絡人員

沈志明

電話

03-5918315

傳真

03-5833190

電子信箱

jimshen@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

具有光學系統及相關機構開發生產經驗之廠商。

需具備之專業人才

光電相關背景

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精密光學-玻璃模造硬膜製程技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 可承受模造溫度600℃以下,模造次數為2,700至5,000次。 | 潛力預估: 提升玻璃模造用模仁壽命至5,000次以上,大幅降低模造鏡片製造成本;光電所已具備鍍貴金屬膜的製程能力,硬膜壽命目前為2,700至5,000次模次。

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玻璃模造硬膜製程技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 可承受模造溫度580℃以下,模造次數為2,700至5,000次。 | 潛力預估: 掌握模造玻璃鏡片的關鍵製程技術、可進行硬膜壽命測試、可進行硬膜特性分析

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精密光學-玻璃模造硬膜製程技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 可承受模造溫度600℃以下,模造次數為2,700至5,000次。 | 潛力預估: 提升玻璃模造用模仁壽命至5,000次以上,大幅降低模造鏡片製造成本;光電所已具備鍍貴金屬膜的製程能力,硬膜壽命目前為2,700至5,000次模次。

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玻璃模造硬膜製程技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 可承受模造溫度580℃以下,模造次數為2,700至5,000次。 | 潛力預估: 掌握模造玻璃鏡片的關鍵製程技術、可進行硬膜壽命測試、可進行硬膜特性分析

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DVD讀取頭之分光繞射元件

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 線寬: 10mm;分光比:I1:I0:I1=1:5:1@650nm_x000D_;平整度:玻璃蝕刻RMS=0.004mm_x000D_、電鑄鎳版RMS=0.021mm_x000D_ 、塑膠射出RMS | 潛力預估:

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DVD讀取分光鏡技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 線寬: 10mm;分光比:I1:I0:I1=1:5:1@650nm;平整度:玻璃蝕刻RMS=0.004mm;電鑄鎳版RMS=0.021mm;塑膠射出RMS | 潛力預估: 繞射元件輕薄短小;高精密繞射元件製程;精密電鑄翻模;光學級平度、低收縮率。

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XGA液晶投影顯示器光學引擎

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 採用Dichroic Prism type設計及120W Lamp,照明輸出1000 Lumens以上,投影均勻度85%,投影畫面尺寸40至200英吋,投影影像解析度可至XGA等級。 | 潛力預估: 提供國內LCD投影機所需關鍵之光學引擎,建立液晶投影顯示光學引擎上下游產業結構,達到光學元件、光機元件100% 自製率,可降低進口依賴度。

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單片式彩色LCOS背投影原型機

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 最高光學解析度:1280x720 ‧ 燈源:150W UHP ‧ 面板:單片反射式液晶板(LCOS) ‧ 面板尺寸: 0.82英吋以下均適用 ‧ 畫面尺寸: 50英吋 | 潛力預估: 單片式LCOS背投影電視原型機,相較於目前使用三片LCOS面板的背投影電視,由於物料節省約1/3,加上結構較簡單,因此平價化、大畫面、高畫質背投電視將成為主流產品,若以目前市價而言,50吋單片式LCO...

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液晶立體影像顯示器製作技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 外觀尺寸:40cm(W)×50cm(D)×45cm(H)。 ‧ 影像解析度:XGA。 ‧ INPUT:VGA訊號。 ‧ 螢幕尺寸:15"diag。 ‧ 觀看距離:60~130cm,80cm最佳。 ... | 潛力預估: 在娛樂業深具市場潛力。

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非球面鏡片玻璃模造成型技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 外徑尺寸:φ2~30mm±0.02mm;中心厚±0.03mm;曲率半徑:球面2.5<R<∞(mm);非球面曲率半徑>3mm;鏡片表面形狀精度:球面形狀 | 潛力預估: 非球面玻璃鏡片可應用在高畫質的數位相機及影像手機的取像鏡頭,其市場需求量將會逐年升高。

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精密塑膠鏡片射出成形技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 依鏡片大小與功能訂定,以DVD pick-up head lens為例: ‧ 外徑尺寸:φ5.5mm±0.02mm;中心厚2.1mm±0.01mm。 ‧ 曲率半徑:非球面設計,近似曲率半徑>2.5... | 潛力預估: 此技術可應用在量產高精度的非球面塑膠鏡片如光碟機中讀取頭的物鏡,讀取頭的產量預估每年約4.5億顆。

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精密非球面模仁加工技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 加工範圍: - 軸對稱元件:外徑 | 潛力預估: 各種非球面鏡片皆需使用非球面的模仁方有可能達到量產的目的。所以,此製程技術可說是精密光學元件製程技術的必備技術。

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DVD讀取頭之分光繞射元件

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 線寬: 10mm;分光比:I1:I0:I1=1:5:1@650nm_x000D_;平整度:玻璃蝕刻RMS=0.004mm_x000D_、電鑄鎳版RMS=0.021mm_x000D_ 、塑膠射出RMS | 潛力預估:

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DVD讀取分光鏡技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 線寬: 10mm;分光比:I1:I0:I1=1:5:1@650nm;平整度:玻璃蝕刻RMS=0.004mm;電鑄鎳版RMS=0.021mm;塑膠射出RMS | 潛力預估: 繞射元件輕薄短小;高精密繞射元件製程;精密電鑄翻模;光學級平度、低收縮率。

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XGA液晶投影顯示器光學引擎

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 採用Dichroic Prism type設計及120W Lamp,照明輸出1000 Lumens以上,投影均勻度85%,投影畫面尺寸40至200英吋,投影影像解析度可至XGA等級。 | 潛力預估: 提供國內LCD投影機所需關鍵之光學引擎,建立液晶投影顯示光學引擎上下游產業結構,達到光學元件、光機元件100% 自製率,可降低進口依賴度。

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單片式彩色LCOS背投影原型機

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 最高光學解析度:1280x720 ‧ 燈源:150W UHP ‧ 面板:單片反射式液晶板(LCOS) ‧ 面板尺寸: 0.82英吋以下均適用 ‧ 畫面尺寸: 50英吋 | 潛力預估: 單片式LCOS背投影電視原型機,相較於目前使用三片LCOS面板的背投影電視,由於物料節省約1/3,加上結構較簡單,因此平價化、大畫面、高畫質背投電視將成為主流產品,若以目前市價而言,50吋單片式LCO...

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液晶立體影像顯示器製作技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 外觀尺寸:40cm(W)×50cm(D)×45cm(H)。 ‧ 影像解析度:XGA。 ‧ INPUT:VGA訊號。 ‧ 螢幕尺寸:15"diag。 ‧ 觀看距離:60~130cm,80cm最佳。 ... | 潛力預估: 在娛樂業深具市場潛力。

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非球面鏡片玻璃模造成型技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 外徑尺寸:φ2~30mm±0.02mm;中心厚±0.03mm;曲率半徑:球面2.5<R<∞(mm);非球面曲率半徑>3mm;鏡片表面形狀精度:球面形狀 | 潛力預估: 非球面玻璃鏡片可應用在高畫質的數位相機及影像手機的取像鏡頭,其市場需求量將會逐年升高。

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精密塑膠鏡片射出成形技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 依鏡片大小與功能訂定,以DVD pick-up head lens為例: ‧ 外徑尺寸:φ5.5mm±0.02mm;中心厚2.1mm±0.01mm。 ‧ 曲率半徑:非球面設計,近似曲率半徑>2.5... | 潛力預估: 此技術可應用在量產高精度的非球面塑膠鏡片如光碟機中讀取頭的物鏡,讀取頭的產量預估每年約4.5億顆。

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精密非球面模仁加工技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 加工範圍: - 軸對稱元件:外徑 | 潛力預估: 各種非球面鏡片皆需使用非球面的模仁方有可能達到量產的目的。所以,此製程技術可說是精密光學元件製程技術的必備技術。

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MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等,涵蓋所有消費性家電,市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計,包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證,內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫,提供客戶設計階段導入應用之服務,提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS

加強型行動終端應用程式發展平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發,包括下列各項軟體技術: 行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... | 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台,提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發,具備完整的原始碼,除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外,將來更可作為其它個人電...

行動服務交付平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... | 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口,降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能,以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求,進行客製化設計

行動終端垂直應用平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: J2ME JSR180 SIP API:1.Support peer-to-peer model、2.protocol for communication services;Responsive KV... | 潛力預估: 提升本國Smart Mobile IP Phone製造商之嵌入式軟體自製率3%,降低5%的生產成本,縮短10%的Time-to-market,提升產品出貨量達3%。

行動影音傳輸整合工具

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 受限於頻寬與行動裝置的能力,多媒體內容在行動裝置上的應用一直受限,目前警局限於靜態圖片與語音資料。本技術提供有效率、高畫質之行動裝置多媒體solution,保含多媒體簡訊、視訊壓縮、視訊轉碼、視訊串流... | 潛力預估: 協助技轉廠商運用MPEG4影音技術研發成果,開發視訊會議、視訊編輯、PDA軟體、手機線上遊戲等多媒體軟體及視訊晶片產品,自主掌握關鍵技術,降低國內廠商產品開發成本。

行動終端平台3D線上互動引擎

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 行動終端平台 3D 場景漸進載入技術、行動終端平台 3D 物件場景管理技術、行動終端平台自動貼圖資源管理技術、行動網路環境 3D 內容下載技術、行動網路環境線上多互動 SESSION 管理技術、行動終... | 潛力預估: 應用行動終端平台3D線上互動引擎可加速內容廠商開發時程,降低開發成本,並帶起新的手機應用程式及新一代的界面,有利國內手機廠推行其獨特的手機,提供在世界上的市佔率。

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等,涵蓋所有消費性家電,市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計,包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證,內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫,提供客戶設計階段導入應用之服務,提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS

加強型行動終端應用程式發展平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發,包括下列各項軟體技術: 行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... | 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台,提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發,具備完整的原始碼,除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外,將來更可作為其它個人電...

行動服務交付平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... | 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口,降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能,以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求,進行客製化設計

行動終端垂直應用平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: J2ME JSR180 SIP API:1.Support peer-to-peer model、2.protocol for communication services;Responsive KV... | 潛力預估: 提升本國Smart Mobile IP Phone製造商之嵌入式軟體自製率3%,降低5%的生產成本,縮短10%的Time-to-market,提升產品出貨量達3%。

行動影音傳輸整合工具

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 受限於頻寬與行動裝置的能力,多媒體內容在行動裝置上的應用一直受限,目前警局限於靜態圖片與語音資料。本技術提供有效率、高畫質之行動裝置多媒體solution,保含多媒體簡訊、視訊壓縮、視訊轉碼、視訊串流... | 潛力預估: 協助技轉廠商運用MPEG4影音技術研發成果,開發視訊會議、視訊編輯、PDA軟體、手機線上遊戲等多媒體軟體及視訊晶片產品,自主掌握關鍵技術,降低國內廠商產品開發成本。

行動終端平台3D線上互動引擎

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 行動終端平台 3D 場景漸進載入技術、行動終端平台 3D 物件場景管理技術、行動終端平台自動貼圖資源管理技術、行動網路環境 3D 內容下載技術、行動網路環境線上多互動 SESSION 管理技術、行動終... | 潛力預估: 應用行動終端平台3D線上互動引擎可加速內容廠商開發時程,降低開發成本,並帶起新的手機應用程式及新一代的界面,有利國內手機廠推行其獨特的手機,提供在世界上的市佔率。

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