多點影音播放系統
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技術名稱-中文多點影音播放系統的執行單位是工研院電通所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院通訊與光電領域環境建構計畫, 技術規格是1.Video Codec : MPEG-1/2/4 WMV 2.Audio Codec : MP2/3 AAC AC3, 潛力預估是隨著數位家庭的成熟，影音播放的DMA相關產品將成為主要的消費產品.

序號	228
產出年度	93
技術名稱-中文	多點影音播放系統
執行單位	工研院電通所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院通訊與光電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	使用者可選取喜歡的音樂或影片至 Playing List，由 Server 做Multicast 播送，可用於音樂或影音廣播，Client 端播放器可以是Media Adaptor或其他Multimedia Device。此種應用目前國際Show展上已可見到相關產品。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	1.Video Codec : MPEG-1/2/4 WMV 2.Audio Codec : MP2/3 AAC AC3
技術成熟度	雛型
可應用範圍	音樂廣播，視訊廣播
潛力預估	隨著數位家庭的成熟，影音播放的DMA相關產品將成為主要的消費產品
聯絡人員	許力行
電話	03-5914800
傳真	03-5820240
電子信箱	russell@itri.org.tw
參考網址	http://www.ccl.itri.org.tw
所須軟硬體設備	一般PC環境
需具備之專業人才	軟體程式設計

序號

228

產出年度

技術名稱-中文

多點影音播放系統

執行單位

工研院電通所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院通訊與光電領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

使用者可選取喜歡的音樂或影片至 Playing List，由 Server 做Multicast 播送，可用於音樂或影音廣播，Client 端播放器可以是Media Adaptor或其他Multimedia Device。此種應用目前國際Show展上已可見到相關產品。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.Video Codec : MPEG-1/2/4 WMV 2.Audio Codec : MP2/3 AAC AC3

技術成熟度

雛型

可應用範圍

音樂廣播，視訊廣播

潛力預估

隨著數位家庭的成熟，影音播放的DMA相關產品將成為主要的消費產品

聯絡人員

許力行

電話

03-5914800

傳真

03-5820240

電子信箱

russell@itri.org.tw

參考網址

http://www.ccl.itri.org.tw

所須軟硬體設備

一般PC環境

需具備之專業人才

軟體程式設計

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MPEG-4 Video Codec IP	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合ISO/IEC 14496-2 Simpl Profile標準 \| 潛力預估: 非常有潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
遠距智慧型監控系統	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: MPEG-4 \| 潛力預估: 非常有潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
支援多影音格式之串流平台	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 符合RFC標準 2. 支援多種播放器及平台 \| 潛力預估: 視訊串流技術幾乎無所不在，以IP為base的多媒體應用，可提供各式各樣的multimedia services，目前家庭網路的成熟及以客廳為娛樂中心的概念之形成，使得家庭影音串流平台成為當下的發展重... @ 技術司可移轉技術資料集
iB3G數位電視即時串流錄影選台	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Protocol : RTSP/HTTP \| 潛力預估: 即時視訊為行動影音最有吸引力的服務，使用者可看到即時新聞或球賽，對於網路服務業者來說，存在著很大的商機 @ 技術司可移轉技術資料集
網際網路多點視訊會議控制器 (Internet Video MCU)	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: H.323 V.2 Protocol_x000D_；H.324 Chair Control_x000D_；T.120 Protocol_x000D_；MCU Cascading_x000D_；Lite... \| 潛力預估: 此技術完全為自行研發，技術掌握度極高，可應用於POTS或ISDN視訊電話。 @ 技術司可移轉技術資料集
符合MGCP / SIP 協定之Video Phone 技術	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Following MGCP/SIP Protocol Standard_x000D_；Audio Codec:G.711(A/μ law)、G.729A、G.726、G.727、G.723.1(5.... \| 潛力預估: 關鍵技術自行研發：Voice over IP、Video over IP_x000D_、MGCP/SIP通訊協定_x000D_、RTP/RTCP通訊協定_x000D_ @ 技術司可移轉技術資料集
符合OpenCable 標準之數位纜線機上盒(Digital Cable Set-Top Box)	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: OpenCable Standard Compliance_x000D_；Cable In(F)_x000D_；Ethernet Interface：10BaseT(RJ-45)；Audio Inte... \| 潛力預估: 關鍵應用技術自行研發 @ 技術司可移轉技術資料集
ＤOCSIS 1.1纜線數據機傳收器(Cable Modem Transceiver)	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 64/256 QAM Receiver；QPSK/16QAM Transmitter；Media Access Controls_x000D_ \| 潛力預估: 國內無完整Cable Modem和Residential Gateway的關鍵零組件技術，此技術可提升國內廠商國際競爭力，縮短與國際廠商的差距。 @ 技術司可移轉技術資料集

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微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低
毛細管電泳晶片技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... \| 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序，在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後，微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例，2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...
單石微陣列噴墨晶片技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率 \| 潛力預估: 針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利
散熱模組熱阻快速量測系統	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 \| 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法，本技術是現今唯一可於3~5分鐘內，精確量測出散熱模組熱性能之方法，並已申請專利。
無線生理訊號感測模組設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... \| 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...
光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver ．850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) ．2.5Gbps資料傳輸能力．100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) ．150... \| 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用，2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術，也是市場的主流。據IEK的資料顯示，預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...
超臨界點抗黏著乾燥技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length \| 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress \| 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大
應變矽CMOS元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% \| 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術