微鰭片散熱技術
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技術名稱-中文微鰭片散熱技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是微奈米系統應用技術四年計畫, 技術規格是Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35, 潛力預估是應用潛力中.

序號654
產出年度93
技術名稱-中文微鰭片散熱技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍散熱模組上之鰭片結構。
潛力預估應用潛力中
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.jsp
所須軟硬體設備須建廠, 並符合相關環保法規。
需具備之專業人才微機電製程,機械背景人才

序號

654

產出年度

93

技術名稱-中文

微鰭片散熱技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

微奈米系統應用技術四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

散熱模組上之鰭片結構。

潛力預估

應用潛力中

聯絡人員

楊倉錄

電話

03-5914393

傳真

03-5820412

電子信箱

yangtl@itri.org.tw

參考網址

http://itrijs.itri.org.tw/main/select.jsp

所須軟硬體設備

須建廠, 並符合相關環保法規。

需具備之專業人才

微機電製程,機械背景人才

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電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

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鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

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矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

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室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)畫面速率 30Hz (2)視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等

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低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

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利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

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矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

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類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材質:矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格:3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

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電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

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鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

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矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

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室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)畫面速率 30Hz (2)視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等

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低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

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利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

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矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

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類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材質:矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格:3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

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精密慣導系統元件技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻導航系統市場,極具市場潛力

鈦合金進氣道

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 通過AMS-STD-2219銲接X-RAY之A級檢驗要求 | 潛力預估: 可搶攻國際航太工業,極具市場淺力

精密高強度鍛造技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 鍛造件幾何精度須達到幾何公差.15mm,須通過AMS 4079C 機械性能及超音波MIL- STD–2154 Class AA檢驗規範 | 潛力預估: 可搶攻航太工業及核電工程結構零組件市場

數位驅動控制器

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.迴授精度線性:± 0.5%。2.機械行程:50 ± 2 Degrees。3.電氣行程:45±2 Degrees。4..操作電壓:18 ~ 32V。5.標準操作電壓值:24V。6.無載速度:130 ... | 潛力預估: 可進入軍品市場,取代進口。

火鶴軍用小靶機設計

執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 翼展2.5米、全長2.8米、高度0.6米空重≦75公斤、最大總重≦90公斤最大飛行速度150節飛行升限≦10,000英呎續航時間≦1.5小時、導控距離≦50公里採彈射及滑行起飛等需求規格設計 | 潛力預估: 可進入軍品市場,取代進口。

數位飛控電腦模組設計、製造

執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 最大尺寸25×15×15公分、重量約3公斤震動符合MIL-HDBK-5400 PARA.4.6.2.5.1儲存溫度:-55 ~ +85℃操作環境:-40 ~ +55℃;+70℃至少30分鐘可靠度 MT... | 潛力預估: 可進入軍品市場,取代進口。

共用型軍用發射系統

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術,傳輸率1Mbits/S。2.機電系統整合技術,自測度達90%,故障隔離度達85%。3.電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場,進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會

低溫共燒陶瓷微波高密度構裝

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: *構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格 *輸出入端折返損耗:>15dB*介入損耗:<0.5 Db | 潛力預估:

S-頻段單晶低雜訊放大器

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: *頻段:S-頻段 *增益:>15dB *P1dB:>16dBm *N.F:<2dB | 潛力預估:

直接數位訊號(DDS)合成電路設計開發

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB | 潛力預估:

低頻高增益帶通濾波器設計開發

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB | 潛力預估:

InSb 320X256紅外線偵檢元件模組

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Format : 320X256 Pitch : 30um RoA > 1.E5Ohm-cm2 漏電流 < 1nA (負偏壓250mV) 接合良率 > 99.9% 操作率 > 99% | 潛力預估: 96-115年:新增需求之年產值為5億元以上,而後勤維修補保之年產值為3億元以上

InSb 320X256冷卻偵檢單元 (RDU)

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Structure : IDCA RDU Life time > 5年 Cool-down time < 6分鐘 Vacuum < 1.E-8 Torr (下機) | 潛力預估: 96-115年:新增需求之年產值為5億元以上,而後勤維修補保之年產值為3億元以上

InSb 320X256熱像機

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 偵測波段 : 3-5um 量子效率 > 50% NETD < 30mK IDCA RDU 致冷器冷卻能力 > 0.5W MTBF > 4000小時 訊號處理電路 : 具驅動、補償(兩點)及成像功能 輸... | 潛力預估: 96-115年:新增需求之年產值為5億元以上,而後勤維修補保之年產值為3億元以上

雷射預警系統組裝、測試及維修

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 可判別雷射測距儀、雷射乘波導引及雷射指標器等威脅源種類。 | 潛力預估: 96-100年:陸軍規劃採購總價高達10億元(約1,000套) 。

精密慣導系統元件技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻導航系統市場,極具市場潛力

鈦合金進氣道

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 通過AMS-STD-2219銲接X-RAY之A級檢驗要求 | 潛力預估: 可搶攻國際航太工業,極具市場淺力

精密高強度鍛造技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 鍛造件幾何精度須達到幾何公差.15mm,須通過AMS 4079C 機械性能及超音波MIL- STD–2154 Class AA檢驗規範 | 潛力預估: 可搶攻航太工業及核電工程結構零組件市場

數位驅動控制器

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.迴授精度線性:± 0.5%。2.機械行程:50 ± 2 Degrees。3.電氣行程:45±2 Degrees。4..操作電壓:18 ~ 32V。5.標準操作電壓值:24V。6.無載速度:130 ... | 潛力預估: 可進入軍品市場,取代進口。

火鶴軍用小靶機設計

執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 翼展2.5米、全長2.8米、高度0.6米空重≦75公斤、最大總重≦90公斤最大飛行速度150節飛行升限≦10,000英呎續航時間≦1.5小時、導控距離≦50公里採彈射及滑行起飛等需求規格設計 | 潛力預估: 可進入軍品市場,取代進口。

數位飛控電腦模組設計、製造

執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 最大尺寸25×15×15公分、重量約3公斤震動符合MIL-HDBK-5400 PARA.4.6.2.5.1儲存溫度:-55 ~ +85℃操作環境:-40 ~ +55℃;+70℃至少30分鐘可靠度 MT... | 潛力預估: 可進入軍品市場,取代進口。

共用型軍用發射系統

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術,傳輸率1Mbits/S。2.機電系統整合技術,自測度達90%,故障隔離度達85%。3.電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場,進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會

低溫共燒陶瓷微波高密度構裝

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: *構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格 *輸出入端折返損耗:>15dB*介入損耗:<0.5 Db | 潛力預估:

S-頻段單晶低雜訊放大器

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: *頻段:S-頻段 *增益:>15dB *P1dB:>16dBm *N.F:<2dB | 潛力預估:

直接數位訊號(DDS)合成電路設計開發

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB | 潛力預估:

低頻高增益帶通濾波器設計開發

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB | 潛力預估:

InSb 320X256紅外線偵檢元件模組

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Format : 320X256 Pitch : 30um RoA > 1.E5Ohm-cm2 漏電流 < 1nA (負偏壓250mV) 接合良率 > 99.9% 操作率 > 99% | 潛力預估: 96-115年:新增需求之年產值為5億元以上,而後勤維修補保之年產值為3億元以上

InSb 320X256冷卻偵檢單元 (RDU)

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Structure : IDCA RDU Life time > 5年 Cool-down time < 6分鐘 Vacuum < 1.E-8 Torr (下機) | 潛力預估: 96-115年:新增需求之年產值為5億元以上,而後勤維修補保之年產值為3億元以上

InSb 320X256熱像機

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 偵測波段 : 3-5um 量子效率 > 50% NETD < 30mK IDCA RDU 致冷器冷卻能力 > 0.5W MTBF > 4000小時 訊號處理電路 : 具驅動、補償(兩點)及成像功能 輸... | 潛力預估: 96-115年:新增需求之年產值為5億元以上,而後勤維修補保之年產值為3億元以上

雷射預警系統組裝、測試及維修

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 可判別雷射測距儀、雷射乘波導引及雷射指標器等威脅源種類。 | 潛力預估: 96-100年:陸軍規劃採購總價高達10億元(約1,000套) 。

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