利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
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技術名稱-中文利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件的執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫, 技術規格是結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3, 潛力預估是單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等.

序號	658
產出年度	93
技術名稱-中文	利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估	單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.jsp
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	半導體製程背景人才。

序號

658

產出年度

技術名稱-中文

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

微致動器、微加速度計、微掃瞄器。

潛力預估

單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

聯絡人員

楊倉錄

電話

03-5914393

傳真

03-5820412

電子信箱

yangtl@itri.org.tw

參考網址

http://itrijs.itri.org.tw/main/select.jsp

所須軟硬體設備

微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才

半導體製程背景人才。

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電化學蝕刻停止技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 \| 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
鎳鈷及金微電鑄及製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... \| 潛力預估: 應用潛力高 @ 技術司可移轉技術資料集
微鰭片散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 \| 潛力預估: 應用潛力中 @ 技術司可移轉技術資料集
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高 @ 技術司可移轉技術資料集
室溫熱像儀驅動顯示控制技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 \| 潛力預估: 應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低 @ 技術司可移轉技術資料集
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 \| 潛力預估: 潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
類LIGA電鑄模技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接觸式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... \| 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高 @ 技術司可移轉技術資料集

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輕量化高分子複材先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 塗佈技術規格：模厚40 mm ± 10%,預浸材規格：FAW = 100 g/m2，樹脂含量35~37%，耐衝擊性提升10 % \| 潛力預估: 預估國內複合材料在運動器材之應用需求超過 5000噸 / 年，可增加複材相關產業產值20億台幣以上。輕量化高分子複材，可提升複材之材料性能，提高產品設計之自由度。對應用產品之輕量化及提高附加價值均有...
高應答速度液晶材料先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 其他液晶參數:Δn = 0.1561，γ1 /κ11 =7.8 ，κ11 =1.15 e-11，γ1 = 90，FOM = 3.1，Vth = 1.74 V \| 潛力預估: 建立我國液晶材料配製、光電特性量測、評估技術能力；促成國內液晶顯示器產業垂直整合的完整性、技術開發完成攻佔市場後可搶佔數10億元以上之的收益。
新型配向材料技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 水平pre-tilt photo-tuned 0~10度,垂直pre-tilt photo-tuned 80~90度 \| 潛力預估: 可促進產值達50億元以上
低溫硬化互連導電材料先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 1.高性能要求之電子構裝材料 2.需要特定加工操作溫度之熱硬化塗裝材料
電容去離子奈米複合碳電極材料開發	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米複合碳電極材料具高放電電容量> 100 F/g；CDI去除率> 250 ppm/次 \| 潛力預估: 以商品化電化學電容器碳材為例，其最大放電電容量僅約100 F/g，目前材料所針對商用碳材以奈米一維材料表面修飾，可得一中孔性奈米結構碳材，其電容量可增加25~40%，預期其市場接受性高，且目前並無相...
奈米可見光光觸媒材料技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)摻有奈米氧化鋅粉(0.2wt.%)之大腸桿菌培養液在可見光(波長543nm/強度1500Lux)照射6小時後，細菌數目減少至原來之0.1%以下；(2)根據ASTM G21-96測試對黑麴黴菌(A... \| 潛力預估: 根據日本工業新聞的統計，2000年時日本光觸媒的年產值為70億日圓。預估到2005年時，日本的光觸媒產值將達100億日圓，約有新台幣28億元。使用光觸媒作為殺菌、消臭、防污的觀念，在日本已經十分普...
超薄型塗佈技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 乾膜厚度￡0.5μm、厚度均勻度395%, 塗佈寬度3300mm \| 潛力預估: 本技術可增進國內廠商建立上游材料的製作技術，建立如觸控面板、增亮膜、廣試角膜、抗反射膜、抗炫膜與其他光學補償膜等等，如果本土材料產業成功的話，可提供下游就近的材料提供與成本競爭力，預期可以有很大的產業...
計量式精密塗佈技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 乾膜厚度介於1~100μm之間、厚度均勻度395% \| 潛力預估: 舉凡各種光學膜，如彩色光阻、廣視角膜、增亮膜、偏光膜、補償膜、擴散片、塑膠基板及電池極板之製作，皆與「精密塗佈技術」為核心之關鍵技術互相牽連在一起，如有相關技術之建立,可促成工業供應鏈的齊全
奈米纖維材料製造與應用技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 複合奈米金屬線/纖維寬徑≦100nm，線/纖維長度≧20μm，長度/寬徑比(aspect ratio)> 200 \| 潛力預估: 開發複合奈米纖維材料製造技術及應用評估，以應用於儲能、微感測器、場發射平面顯示器上的材料使用，本技術包括奈米中空管、奈米金屬纖維、複合奈米金屬纖維之製造技術
奈米模板合成技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: AAO模板的均勻孔洞直徑為最小可達50 nm，最大可達120nm, 模板厚度10 mm以上；AAO模板的面積可以達到200 mm x 200 mm \| 潛力預估: LCD、OLED、LED產業
功能性奈米粉體製造及應用技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 粉體之平均粒徑可操控在10 ~ 200 nm間，比表面積可高達240 m2/g以上，而粉體形狀可操控為球狀、棒狀或四足錐狀。遮蔽UV(>85%)及IR(>30%)光、可見光照射下抗菌(A>2)、疏水... \| 潛力預估: 根據美國SRI Consulting報告，2001年全球使用奈米粉體材料總價值已達31億美元。未來十年，市場規模會隨應用領域之開拓而急劇增加
奈米檢測技術-表面分析檢測技術應用先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 以微區ESCA技術分析表面/薄膜深度可 \| 潛力預估: 可應用在DLED開發高亮度、高發光效率
奈米導電粉體製造技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米導電/磁性粉體粒徑小於30奈米，其外披覆有機殼層而呈核殼結構 \| 潛力預估: 電磁波遮蔽與高頻磁性應用之奈米粉體材料國內市場潛力約在新台幣24億元規模
軟凝態奈米混成材料分散及流變技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 塗膜厚度均勻性>90%，邊際效益< 2mm；3C放電容量維持率達94% \| 潛力預估: 自2005年起鋰電池電極板需求量激增，保守估計國內每月需求量9萬米平方產值約1.3億NT$
材料高頻電磁特性量測技術開發先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高頻測試治具與測試標準評估與開發，其電氣特性符合:測試頻率：< 65 GHz, K Value：1 \| 潛力預估: 可提升廠商之高頻量測技術能力，強化對產品設計及特性之掌握度，加速產品進入市場的速度，提高競爭力