用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技
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技術名稱-中文用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技的執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是奈米電子關鍵技術四年計畫, 技術規格是電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Frequency, fT)：> 120 GHz · 最大操作頻率(Maxima operation fr..., 潛力預估是以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。.

序號	676
產出年度	93
技術名稱-中文	用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵技術四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本計劃利用SiGe異質接面的材料特性，來製作超高速的雙載子電晶體(hetero junction bipolar transistor)，進一步應用在光偵測器(optical detector)上，以迎接光通訊時代的來臨。利用SiGe材料成本低，可整合現有BiCMOS製程且可大量生產的優勢，致力於製作出速度達160GHz的SiGe HBT。此高速雙載子電晶體特為射頻前端模組設計，可製作為單晶積體化電路或分立式電晶體，其製作採取單複晶非自我對準(Single-Poly Non-Self-Aligned)結構
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Frequency, fT)：> 120 GHz · 最大操作頻率(Maxima operation frequency) ：> 40 GHz · 射集極穿透電壓(Emitter-Collector Breakdown Voltage, BVCEO)：> 3.5 Volt.
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	矽鍺薄膜成長技術(SiGeC epitaxy growth technique) · 射頻積體電路(RFIC)：應用於無線通訊系統與高速區域網路系統，提供如前端晶片組、PLL等高頻高速ICs產品製程技術 · 雙載子-金氧半積體電路(Bi-CMOS) · 光偵測器，光收發模組…等光電IC(opto-electric ICs)
潛力預估	以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。
聯絡人員	張順賢
電話	03-5913917
傳真	03-5917690
電子信箱	shchang@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1345
所須軟硬體設備	具矽元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才	CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。

序號

676

產出年度

技術名稱-中文

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵技術四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本計劃利用SiGe異質接面的材料特性，來製作超高速的雙載子電晶體(hetero junction bipolar transistor)，進一步應用在光偵測器(optical detector)上，以迎接光通訊時代的來臨。利用SiGe材料成本低，可整合現有BiCMOS製程且可大量生產的優勢，致力於製作出速度達160GHz的SiGe HBT。此高速雙載子電晶體特為射頻前端模組設計，可製作為單晶積體化電路或分立式電晶體，其製作採取單複晶非自我對準(Single-Poly Non-Self-Aligned)結構

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Frequency, fT)：> 120 GHz · 最大操作頻率(Maxima operation frequency) ：> 40 GHz · 射集極穿透電壓(Emitter-Collector Breakdown Voltage, BVCEO)：> 3.5 Volt.

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

矽鍺薄膜成長技術(SiGeC epitaxy growth technique) · 射頻積體電路(RFIC)：應用於無線通訊系統與高速區域網路系統，提供如前端晶片組、PLL等高頻高速ICs產品製程技術 · 雙載子-金氧半積體電路(Bi-CMOS) · 光偵測器，光收發模組…等光電IC(opto-electric ICs)

潛力預估

以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

03-5917690

電子信箱

shchang@itri.org.tw

參考網址

http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1345

所須軟硬體設備

具矽元件開發能力之半導體廠

需具備之專業人才

CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。

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相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I338392 \| 專利期間起: 100/03/01 \| 專利期間訖: 118/04/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,888,155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7888155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 技術司可移轉技術資料集
應變矽CMOS元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% \| 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集

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無排氣側管35W高壓氙氣金屬鹵化物燈放電管製程技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電弧室內容積 ~ 0.1c.c，電級間距經機械定位後的距離6  1mm，放電管總長＜55 mm，發光效率68 lm/W，Warm-up Time ~ 6sec，初始光衰~ 92%。 \| 潛力預估: 提昇國內投射燈具照明業界的產品附加價值，並提昇投射燈具照明業界的設計能力及其產品的多樣性，最重要者為此項產品貼近汽車照明使用規範，因而此此項技術將會導引投射燈具照明業界轉型走上高附加價值之汽車照明設計...
壓鑄非晶質合金技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.塊狀非晶質鐵基合金材料: 2φ×20mmL 棒材或OD=10, ID=6, T=1mm T- core環型鐵芯，飽和磁化強度>1T。2.塊狀非晶質鋯基合金材料: 3mmt×50mmw×90mmL板... \| 潛力預估: 可創造出低成本、高性能、高附加價值及多樣化的新材料，有利於新產業版圖的開拓與機會的創造。
高密度電漿鍍膜技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 多層奈米複合薄膜之薄膜表面硬度值＞ 40 GPa，薄膜表面平均粗糙度Ra＜0.05μm。 \| 潛力預估: 改良磁濾式電弧離子被覆法蒸鍍多層氮化物薄膜製程技術可應用於PCB高速精密加工之微細鑽頭表面，此外並應用此技術製作高品質鑄幣印花模具表面之多層氮化物薄膜，磨耗壽命與傳統之電鍍硬鉻法處理相當。此物理氣相蒸...
太陽能電池極高純度矽精煉及純化技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 冶金級矽經過此一製程技術之後，其純度將由原先之99.5%到達99.999%以上。 \| 潛力預估: 以單價1 USD/Kg之冶金級矽（純度99.5%）作為原料，透過製粉、浸蝕、方向性凝固等純化製程，成為30 USD/Kg高附加價值的太陽電池級多晶矽原料（純度99.999%）。
電鑄網版技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電鑄技術開發複合式網板製作技術，面積20×20cm，金屬箔厚度10~50μm，不鏽鋼網為325mesh，接合後開孔率為原開孔率的70%以上。 \| 潛力預估: 可提供電鑄厚度10μm~5mm電鑄箔及複合網板，並可進行技術與設備整合輸出作業。
金屬電化製程技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 銅箔強度（～75kg/mm2）、延展性（～5.5%）、耐疲勞（～2200 cycle）、表面粗度（Rz＜2μm）。 \| 潛力預估: 以脈衝電化學電鍍技術開發5~9μm超薄銅箔與銅箔分離層製程，技術特性是完全由國內自主開發，技術均已達國際商品等級，其銅箔成長速度遠高於國際領導業者專利。
高純度電子用鋁素箔製程技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 250V以下鋁電解電容器陽極板用鋁箔之鑄胚連鑄、99.8→99.99%鋁純化、軋延至100μm製程技術 \| 潛力預估: 品質與日系商品箔相當。
高精細金屬精密蝕刻技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: OLED用金屬罩規格為具有最小孔距0.03mm與0.225mm×0.070mm開口之超高精細度網罩。 \| 潛力預估: 開發出獨特並具有專利智權的Dynode強化場發射照明或顯示系統元件與其相關材料技術，並建立自主之CDT網罩製作技術、OLED熱蒸鍍Metal Mask製作技術、平面顯示器高精度電子增益零件製作技術等...
塑膠光纖單芯雙向連接器設計	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 單蕊雙向塑膠光纖連接器收發模組，中心主波長為650nm，傳輸量在200Mbps。包括收發電路、光學機構及整合等工作。 \| 潛力預估: 在國內寬頻產業逐漸萌芽之際，連接器產業若能藉由此計劃建立產業之塑膠光纖連接器之設計技術，適時切入市場技術，對產業在未來寬頻光纖連接器產品之發開技術上，將大有助益。
高導熱碳纖維強化鋁基複合材料成形技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 碳纖維強化碳基複合材料, 熱傳導率可達654 W/m.K(纖維方向)以上高於純銅, 密度在1.75 g/cm3左右，熱膨脹係數則在6.65 ppm/K(纖維方向)，其中碳纖維強化的體積分率達63%。利... \| 潛力預估: 高導熱碳纖維複合材料可解決未來熱管理產業對高導熱散熱材料的需求, 同時達到輕量化小型化及構裝上低熱膨脹係數的設計需求，協助國內散熱產業切入中高階的散熱模組市場，擴大市場規模。
多元高熵合金熔鑄與鍛壓技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.設計5-7元高熵合金組成配方，以大氣感應熔煉(IF)開發10kg級鑄胚。 2.以Gleeble熱加工模擬研究最佳固熔化與熱鍛溫度(RA%>40) 3.開模鍛造可鍛造量>50% 4.冷壓可壓延量>... \| 潛力預估: 可製成高強度、耐磨、耐溫、耐蝕之刀工具、模具、機件等所用新一代合金材料。
駐極體材料技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 直徑：＜ 50mm, Response Frequency：＞10kHz, Response Sensitivity ：＞80dB \| 潛力預估: 建立駐電型複合材料結構相關製程加工技術及駐極体材料評估分析方法，以提昇電聲產品之性能以增加產品附加價值，促使我國產業能深入3C產品領域。
超高機能表面材料先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 基板尺寸24”x24” \| 潛力預估: 增加廠商相關技術之進步，並提昇其產品之良率與國際競爭力。
輕量化高分子複材先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 塗佈技術規格：模厚40 mm ± 10%,預浸材規格：FAW = 100 g/m2，樹脂含量35~37%，耐衝擊性提升10 % \| 潛力預估: 預估國內複合材料在運動器材之應用需求超過 5000噸 / 年，可增加複材相關產業產值20億台幣以上。輕量化高分子複材，可提升複材之材料性能，提高產品設計之自由度。對應用產品之輕量化及提高附加價值均有...
高應答速度液晶材料先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 其他液晶參數:Δn = 0.1561，γ1 /κ11 =7.8 ，κ11 =1.15 e-11，γ1 = 90，FOM = 3.1，Vth = 1.74 V \| 潛力預估: 建立我國液晶材料配製、光電特性量測、評估技術能力；促成國內液晶顯示器產業垂直整合的完整性、技術開發完成攻佔市場後可搶佔數10億元以上之的收益。