應變矽CMOS元件與製程技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文應變矽CMOS元件與製程技術的執行單位是工研院院本部, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 技術規格是矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60%, 潛力預估是本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術.

序號	680
產出年度	93
技術名稱-中文	應變矽CMOS元件與製程技術
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	在同一世代技術上應變矽CMOS (Strained-Si CMOS)可克服載子移動率劣化的課題，具有提昇性能的特性，主要克服目前技術瓶頸 - 高品質矽鍺虛擬基材的形成技術、全面與局部形變的元件結構設計及製程整合技術，以建立起CMOS製程與元件技術平台，提昇載子移動率和元件效能，使其可應用於高階CMOS SoC產品上。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60%
技術成熟度	雛型
可應用範圍	高效能CMOS製程技術 - 高階產品, e.g.: CPU, 繪圖晶片
潛力預估	本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術
聯絡人員	張順賢
電話	03-5913917
傳真	03-5917690
電子信箱	hchang@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1839
所須軟硬體設備	具CMOS元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才	CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
同步更新日期	2019-07-24

序號

680

產出年度

技術名稱-中文

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

在同一世代技術上應變矽CMOS (Strained-Si CMOS)可克服載子移動率劣化的課題，具有提昇性能的特性，主要克服目前技術瓶頸 - 高品質矽鍺虛擬基材的形成技術、全面與局部形變的元件結構設計及製程整合技術，以建立起CMOS製程與元件技術平台，提昇載子移動率和元件效能，使其可應用於高階CMOS SoC產品上。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60%

技術成熟度

雛型

可應用範圍

高效能CMOS製程技術 - 高階產品, e.g.: CPU, 繪圖晶片

潛力預估

本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

03-5917690

電子信箱

hchang@itri.org.tw

參考網址

http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1839

所須軟硬體設備

具CMOS元件開發能力之半導體廠

需具備之專業人才

CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力

同步更新日期

2019-07-24

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相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN \| 證書號碼: I338392 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN \| 證書號碼: 7,888,155 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
應變矽製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 \| 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

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2公升規模重組腺相關病毒 (rAAV)基因載體製程與品質分析技術	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估:
5公升規模重組腺病毒 (rAd)基因載體製程與品質分析技術	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 可作為防禦性疫苗、癌症藥物
基因藥物重組腺相關病毒小動物模式治療先天性心臟衰竭	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估:
零排放生物淨化技術	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: HRT 48hour,pH=10.5-12.5,活性碳填充率50% \| 潛力預估: 淨化後回收之水玻璃可再生回用至營造業、建材業，而淨化後回收之水資源可回用作為清潔用水並可節省水玻璃污泥運費
污染偵測用生物微感測器開發	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 感測器重量小於0.5kg；可在偵測時間小於10分鐘的情況下，偵測極限達10ppb。 \| 潛力預估: 農藥殘留是一般大眾極度關切的問題，因此偵測商品市場極為龐大。尤其當相關平台技術用於重金屬及戴奧辛等偵測器的開發時，其市場潛力更是難以預估。
環境荷爾蒙生物檢測產品開發	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 在14小時內可偵測0.2 ppb 17-β-estradiol ,0.2ppm之diehtyl phthalate及benzo (a)pyrene，另外對市面上4種清潔劑其偵測度為106的稀釋度。 \| 潛力預估: 同前述
水處理用生物監測與調控技術	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可在微生物代謝污染物的工作中提昇其代謝效率達100%以上，同時可望縮短污染物的代謝時程達原時程的50%。節省處理污染物的時程和經費。 \| 潛力預估: 可有效控制微生物處理污染物的能力，使微生物發揮最適切之處理效能
污泥中重金屬生物回收技術	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 所開發重金屬生物溶出系統之SRT 6天，銅之溶出率為65%、鎳之溶出率為30%及鉛為20%，重金屬含量降低，污泥之毒性下降，此固體廢棄物對環境之友善度相對提升，因此可達到工業永續經營之目的。 \| 潛力預估: 可有效分離污泥中之銅含量，若將溶出之重金屬加以回收再利用，可達事業永續經營。
重金屬結合與固定化技術	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 所開發peptide對鎘吸附力為90ug/mg protein，含鎘60ppm之重金屬廢水去鎘除率有95%以上，peptide三次重複使用吸附力維持90%以上。 \| 潛力預估: 歐美之生物技術公司利用生物性重金屬吸附蛋白發展一系列的製劑，提供了一個有效且快速的解決工具。2002年美國Ohio州立大學Sayre博士估計每年這類的製劑全球市場值約為13億美元。
污染物生物降解活性偵測技術	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可於24小時內快速檢測污染場址或水體中之微生物族群分佈及安全性，快速進行處理應變措施。 \| 潛力預估: 未來可應用於環境污染風險及生物復育、生物處理監測。
高濃度重金屬廢水生物處理技術	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 處理用微生物菌群可耐受銅濃度300 mg/L以上；可有效去除人工合成廢水中銅金屬50 %以上；可去除實際工業化學銅廢水中銅50 %以上。 \| 潛力預估: 開發印刷電路板、電鍍產業廢水處理技術，提昇環保設備製造業，環工顧問業，環境工程業技術水準；預估未來10年將有10廠家使用，產值可達1,500萬。
工業原料暨高價值輔?再生系統	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 脫氫酵素活性達100IU/ protei \| 潛力預估: 減少開發酵素製程成本與減少製程廢棄物處理成本
奈米材料綠色生產技術	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立的生物系統具有高度的多樣性，產生的金奈米之特性依微生物種類之不同而不同，目前已可產出不同粒徑規格的產品，最小之粒徑可達7 nM。 \| 潛力預估: 有效擴展奈米材料之來源，提供生物奈米材料特有之性質。
奈米級生物礦材開發	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立磁礦菌微氧控制發酵生產系統，生產條件PH7.0、溶氧50ppb、溫度25℃，磁礦材產率7.0mg/L/day \| 潛力預估: 磁礦材可以最作為民生化工分離回收程序之載體, 作為環境污染檢測感測器載體。
有機廢水生物淨化技術	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 有機負荷1500mg/L,水力停留時間24小時,廢水COD去除效率達到90%以上. \| 潛力預估: 可徹底解決光電/半導體產業有機廢水問題，提升該產業水回收再利用比例