R.G.B. 菲系電激發光高分子聚合與純化技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文R.G.B. 菲系電激發光高分子聚合與純化技術的執行單位是工研院化工所, 產出年度是94, 計畫名稱是特化與奈米化工技術開發四年計畫, 技術規格是紅藍綠三色菲系電激發光高分子:‧ 分子量 > 100 K‧ 溶解度 > 1 wt.%/ml ﹙甲苯溶劑﹚‧ 藍光 EL & PL :420 ~ 450 nm‧ 綠光 EL & PL : 520 ~ 550 nm‧ 紅光 EL & PL : 620 ~ 650 nm, 潛力預估是本產品可應用於低成本FPD與平面光源,相關材料技術亦可應用於一般有機光電元件,如:太陽能電池、塑膠IC、感測元件…等。預估技術衍生之相關應用產品產值可達新台幣 50 億以上。.

序號951
產出年度94
技術名稱-中文R.G.B. 菲系電激發光高分子聚合與純化技術
執行單位工研院化工所
產出單位(空)
計畫名稱特化與奈米化工技術開發四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文透過能帶理論與 p-n 平衡原理,設計RGB全光域電激發光高分子分子結構。並利用有機金屬偶合技術,合成高聚合度高分子材料。搭配溶劑組成,可穩定的以液態製程製作全彩高分子電激發光二極體元件。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格紅藍綠三色菲系電激發光高分子:‧ 分子量 > 100 K‧ 溶解度 > 1 wt.%/ml ﹙甲苯溶劑﹚‧ 藍光 EL & PL :420 ~ 450 nm‧ 綠光 EL & PL : 520 ~ 550 nm‧ 紅光 EL & PL : 620 ~ 650 nm
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍可應用於高分子光電元件,如:電激發光二極體平面顯示器、各類平面發光源、太陽能電池、塑膠IC、感測元件等。
潛力預估本產品可應用於低成本FPD與平面光源,相關材料技術亦可應用於一般有機光電元件,如:太陽能電池、塑膠IC、感測元件…等。預估技術衍生之相關應用產品產值可達新台幣 50 億以上。
聯絡人員段啟聖
電話03-5732497
傳真03-5732844
電子信箱unny_tuan@iri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備1. 化學合成實驗室﹙潔淨等級>10000﹚2. 純化相關設備﹙萃取、昇華…﹚3. 相關檢測儀器﹙NMR、HPLC、GPC、Fluorescence meter…﹚
需具備之專業人才1. 具有化學合成基礎2. 具有化學分析基礎
同步更新日期2023-07-22

序號

951

產出年度

94

技術名稱-中文

R.G.B. 菲系電激發光高分子聚合與純化技術

執行單位

工研院化工所

產出單位

(空)

計畫名稱

特化與奈米化工技術開發四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

透過能帶理論與 p-n 平衡原理,設計RGB全光域電激發光高分子分子結構。並利用有機金屬偶合技術,合成高聚合度高分子材料。搭配溶劑組成,可穩定的以液態製程製作全彩高分子電激發光二極體元件。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

紅藍綠三色菲系電激發光高分子:‧ 分子量 > 100 K‧ 溶解度 > 1 wt.%/ml ﹙甲苯溶劑﹚‧ 藍光 EL & PL :420 ~ 450 nm‧ 綠光 EL & PL : 520 ~ 550 nm‧ 紅光 EL & PL : 620 ~ 650 nm

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

可應用於高分子光電元件,如:電激發光二極體平面顯示器、各類平面發光源、太陽能電池、塑膠IC、感測元件等。

潛力預估

本產品可應用於低成本FPD與平面光源,相關材料技術亦可應用於一般有機光電元件,如:太陽能電池、塑膠IC、感測元件…等。預估技術衍生之相關應用產品產值可達新台幣 50 億以上。

聯絡人員

段啟聖

電話

03-5732497

傳真

03-5732844

電子信箱

unny_tuan@iri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

1. 化學合成實驗室﹙潔淨等級>10000﹚2. 純化相關設備﹙萃取、昇華…﹚3. 相關檢測儀器﹙NMR、HPLC、GPC、Fluorescence meter…﹚

需具備之專業人才

1. 具有化學合成基礎2. 具有化學分析基礎

同步更新日期

2023-07-22

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# 03-5732497 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號551
產出年度93
技術名稱-中文新型OLED藍色發光材料及其合成技術
執行單位工研院化工所
產出單位(空)
計畫名稱精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文有機電激發光顯示技術發展至今已成為下世代顯示技術主流,其中的關鍵技術之一便是發展同時具有高效率與高載子傳輸效率的發光材料與載子傳輸材料。目前我們已經發展一系列的新型菲系化合物合成技術,此外將這些菲系化合物應用於多層元件的發光層可製備出高效率的藍光元件,除了可得到不同色度的藍光,其效率也高達 9.49cd/A。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格最終材料產品,產率 > 45 %。 光激發與電激發光譜範圍:380 ~ 470nm。 玻璃轉移溫度 > 120 ℃。 裂解溫度 > 430 ℃。
技術成熟度試量產
可應用範圍可應用於高分子光電元件,如:電激發光二極體平面顯示器、各類平面發光源、太陽能電池、塑膠IC、感測元件…等。
潛力預估本產品可應用於低成本FPD與平面光源,相關材料技術亦可應用於一般有機光電元件,如:太陽能電池、塑膠IC、感測元件…等。預估技術衍生之相關應用產品產值可達新台幣 50 億以上。
聯絡人員段啟聖
電話03-5732497
傳真03-5732844
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所須軟硬體設備化學合成實驗室﹙潔淨等級>10000﹚ 純化相關設備﹙萃取、昇華…﹚ 相關檢測儀器﹙NMR、HPLC、CV、DSC、TGA、Fluorescence meter…﹚ 手套箱
需具備之專業人才具有化學合成基礎及具有化學分析基礎
序號: 551
產出年度: 93
技術名稱-中文: 新型OLED藍色發光材料及其合成技術
執行單位: 工研院化工所
產出單位: (空)
計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 有機電激發光顯示技術發展至今已成為下世代顯示技術主流,其中的關鍵技術之一便是發展同時具有高效率與高載子傳輸效率的發光材料與載子傳輸材料。目前我們已經發展一系列的新型菲系化合物合成技術,此外將這些菲系化合物應用於多層元件的發光層可製備出高效率的藍光元件,除了可得到不同色度的藍光,其效率也高達 9.49cd/A。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 最終材料產品,產率 > 45 %。 光激發與電激發光譜範圍:380 ~ 470nm。 玻璃轉移溫度 > 120 ℃。 裂解溫度 > 430 ℃。
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 可應用於高分子光電元件,如:電激發光二極體平面顯示器、各類平面發光源、太陽能電池、塑膠IC、感測元件…等。
潛力預估: 本產品可應用於低成本FPD與平面光源,相關材料技術亦可應用於一般有機光電元件,如:太陽能電池、塑膠IC、感測元件…等。預估技術衍生之相關應用產品產值可達新台幣 50 億以上。
聯絡人員: 段啟聖
電話: 03-5732497
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所須軟硬體設備: 化學合成實驗室﹙潔淨等級>10000﹚ 純化相關設備﹙萃取、昇華…﹚ 相關檢測儀器﹙NMR、HPLC、CV、DSC、TGA、Fluorescence meter…﹚ 手套箱
需具備之專業人才: 具有化學合成基礎及具有化學分析基礎

# 03-5732497 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號1965
產出年度96
技術名稱-中文新型OLED藍色發光材料及其合成技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱精密化學材料技術及應用開發四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文2007年底,Sony正式發表OLED TV,確定了OLED FPD為下一代FPD之趨勢。同時由於有機磷光分子摻雜於OLED的應用,大幅提昇白光OLED的發光效率,使得OLED亦為未來照明的潛力產品。無論是FPD或照明應用,OLED最關鍵之材料即為可當作藍光或磷光分子母體之高能隙、高載子傳輸之藍光材料,本技術已完成此類材料之開發,並申請專利,廠商未來生產此材料將不受國際專利所箝制。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格PL & EL 光譜;350 ~ 480nm,ΔEg = 2.9~3.5e,玻璃轉移溫度>120 ℃。,裂解溫度>430℃,可當Ir-dye & 小分子dye 主體材料(host)
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍OLED FPD & Lighting 之藍光母材
潛力預估可應用於OLED顯示器與平面光源,為下一代光電材料之關鍵原料
聯絡人員段啟聖
電話03-5732497
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所須軟硬體設備一般合成反應器、昇華純化裝置與無塵室
需具備之專業人才有機合成
序號: 1965
產出年度: 96
技術名稱-中文: 新型OLED藍色發光材料及其合成技術
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 2007年底,Sony正式發表OLED TV,確定了OLED FPD為下一代FPD之趨勢。同時由於有機磷光分子摻雜於OLED的應用,大幅提昇白光OLED的發光效率,使得OLED亦為未來照明的潛力產品。無論是FPD或照明應用,OLED最關鍵之材料即為可當作藍光或磷光分子母體之高能隙、高載子傳輸之藍光材料,本技術已完成此類材料之開發,並申請專利,廠商未來生產此材料將不受國際專利所箝制。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: PL & EL 光譜;350 ~ 480nm,ΔEg = 2.9~3.5e,玻璃轉移溫度>120 ℃。,裂解溫度>430℃,可當Ir-dye & 小分子dye 主體材料(host)
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: OLED FPD & Lighting 之藍光母材
潛力預估: 可應用於OLED顯示器與平面光源,為下一代光電材料之關鍵原料
聯絡人員: 段啟聖
電話: 03-5732497
傳真: 03-5732844
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所須軟硬體設備: 一般合成反應器、昇華純化裝置與無塵室
需具備之專業人才: 有機合成

# 03-5732497 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號1972
產出年度96
技術名稱-中文導電高分子聚合與線路技術研究
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱精密化學材料技術及應用開發四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文共軛高分子經由酸摻雜可達到導電之目的,目前已大量用於電容、電池上。然而更大的應用潛力在於透明電極與軟性電子/光電產品。本技術將開發導電高分子聚合與酸摻雜技術,同時探討其製作薄膜與線路之應用技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格電導度 > 10 S/cm,膜厚均勻度 < + 10 %
技術成熟度概念
可應用範圍被動元件、軟性電子產品,PLED,PCB軟板…等。
潛力預估為軟性電子/光電產品之關鍵材料,亦可應用於固態電解質,未來產值超過10億元。
聯絡人員段啟聖
電話03-5732497
傳真03-5732844
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所須軟硬體設備一般有機合成反應器與電性測試設備
需具備之專業人才有機合成
序號: 1972
產出年度: 96
技術名稱-中文: 導電高分子聚合與線路技術研究
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 共軛高分子經由酸摻雜可達到導電之目的,目前已大量用於電容、電池上。然而更大的應用潛力在於透明電極與軟性電子/光電產品。本技術將開發導電高分子聚合與酸摻雜技術,同時探討其製作薄膜與線路之應用技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 電導度 > 10 S/cm,膜厚均勻度 < + 10 %
技術成熟度: 概念
可應用範圍: 被動元件、軟性電子產品,PLED,PCB軟板…等。
潛力預估: 為軟性電子/光電產品之關鍵材料,亦可應用於固態電解質,未來產值超過10億元。
聯絡人員: 段啟聖
電話: 03-5732497
傳真: 03-5732844
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參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 一般有機合成反應器與電性測試設備
需具備之專業人才: 有機合成

# 03-5732497 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號6688
產出年度103
技術名稱-中文數位噴印實心導線工程技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院環境建構總計畫
領域智慧科技
已申請專利之國家
已獲得專利之國家
技術現況敘述-中文印刷電子市場在未來十年將可增長到超過 500億美元的規模,但不論為何種元件,印刷導線皆為最基本之平台架構。而製程又以噴印技術可達到高精度、快速生產之要求。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格完成噴印導線於陶瓷或塑膠基板製程技術開發, 噴印精度 pitch < 200 μm,導線上可進行後加工化鍍製程,片電阻 < 10 mΩ / □
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍應用於手機天線、LED陶瓷基板、觸控面板Traces導線…等,取代現用雷雕製程技術,可大幅降低生產成本與製程時間。
潛力預估(1)使國內廠商建立自有手機或LED基板噴印導線製程技術(2)使國內廠商可以依產品特性,設計導線製程,增加接單能力(3)提昇導線製程效率並降低成本,增加國際競爭力
聯絡人員段啟聖
電話03-5732497
傳真03-57348
電子信箱Sunny_Tuan@itri.org.tw
參考網址
所須軟硬體設備廠商具有金屬導線製作與量測設備
需具備之專業人才化學、化工及電子/光電元件相關背景人才
序號: 6688
產出年度: 103
技術名稱-中文: 數位噴印實心導線工程技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院環境建構總計畫
領域: 智慧科技
已申請專利之國家:
已獲得專利之國家:
技術現況敘述-中文: 印刷電子市場在未來十年將可增長到超過 500億美元的規模,但不論為何種元件,印刷導線皆為最基本之平台架構。而製程又以噴印技術可達到高精度、快速生產之要求。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 完成噴印導線於陶瓷或塑膠基板製程技術開發, 噴印精度 pitch < 200 μm,導線上可進行後加工化鍍製程,片電阻 < 10 mΩ / □
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 應用於手機天線、LED陶瓷基板、觸控面板Traces導線…等,取代現用雷雕製程技術,可大幅降低生產成本與製程時間。
潛力預估: (1)使國內廠商建立自有手機或LED基板噴印導線製程技術(2)使國內廠商可以依產品特性,設計導線製程,增加接單能力(3)提昇導線製程效率並降低成本,增加國際競爭力
聯絡人員: 段啟聖
電話: 03-5732497
傳真: 03-57348
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參考網址:
所須軟硬體設備: 廠商具有金屬導線製作與量測設備
需具備之專業人才: 化學、化工及電子/光電元件相關背景人才

# 03-5732497 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號7532
產出年度104
技術名稱-中文白色色漿研磨分散品質管制技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院環境建構總計畫
領域智慧科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文在環保與產品外觀精緻化的訴求下,UV或水性白色墨水市場成長快速。但是因為TiO2白色色漿安定性不足且製程穩定性差,因此配製出的白色噴印墨水遮蔽率與白度不夠,無法加值高值化產品。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.TiO2含量: 40 + 2% 2. 粒徑分佈:200 + 30 nm 3.60℃ x 7天,△D < 35 nm;△η< 20 c
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍可應用於其它高值功能粉體噴墨用漿料生產,例如:高值外觀件噴印墨水、3C外殼裝飾墨水、導電墨水、功能性噴塗塗料…等配製。
潛力預估建立國內漿料/油墨業界製程品管技術及,提升國內業界漿料品質,並進軍高值化油墨
聯絡人員段啟聖
電話03-5732497
傳真03-5732348
電子信箱Sunny_Tuan@itri.org.tw
參考網址
所須軟硬體設備廠商具有無機粉體研磨分散設備與相關檢測儀器
需具備之專業人才化學、化工相關背景人才
序號: 7532
產出年度: 104
技術名稱-中文: 白色色漿研磨分散品質管制技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院環境建構總計畫
領域: 智慧科技
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 在環保與產品外觀精緻化的訴求下,UV或水性白色墨水市場成長快速。但是因為TiO2白色色漿安定性不足且製程穩定性差,因此配製出的白色噴印墨水遮蔽率與白度不夠,無法加值高值化產品。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.TiO2含量: 40 + 2% 2. 粒徑分佈:200 + 30 nm 3.60℃ x 7天,△D < 35 nm;△η< 20 c
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 可應用於其它高值功能粉體噴墨用漿料生產,例如:高值外觀件噴印墨水、3C外殼裝飾墨水、導電墨水、功能性噴塗塗料…等配製。
潛力預估: 建立國內漿料/油墨業界製程品管技術及,提升國內業界漿料品質,並進軍高值化油墨
聯絡人員: 段啟聖
電話: 03-5732497
傳真: 03-5732348
電子信箱: Sunny_Tuan@itri.org.tw
參考網址:
所須軟硬體設備: 廠商具有無機粉體研磨分散設備與相關檢測儀器
需具備之專業人才: 化學、化工相關背景人才

# 03-5732497 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號8142
產出年度105
技術名稱-中文UV白色色漿研磨分散30Kg級製程可靠度技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院環境建構總計畫
領域智慧科技
已申請專利之國家
已獲得專利之國家
技術現況敘述-中文在環保與產品外觀精緻化的訴求下,UV或水性白色墨水市場成長快速。但是因為TiO2白色色漿安定性不足且製程穩定性差,因此配製出的白色噴印墨水遮蔽率與白度不夠,無法加值高值化產品
技術現況敘述-英文(空)
技術規格?TiO2含量: 41 + 2 wt% ? 粒徑分佈:190 + 20 nm ?60℃ x 7天,△D < 30 nm;△η< 15 c
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍可應用於其它高值功能粉體噴墨用漿料生產,例如:高值外觀件噴印墨水、3C外殼裝飾墨水、導電墨水、功能性噴塗塗料…等配製。
潛力預估?建立國內漿料/油墨業界製程品管技術 ?提升國內業界漿料品質,並進軍高值化油墨
聯絡人員段啟聖
電話03-5732497
傳真
電子信箱Sunny_Tuan@itri.org.tw
參考網址
所須軟硬體設備?廠商具有無機粉體研磨分散設備與相關檢測儀器 ?化學、化工相關背景人才
需具備之專業人才?廠商具有無機粉體研磨分散設備與相關檢測儀器 ?化學、化工相關背景人才
序號: 8142
產出年度: 105
技術名稱-中文: UV白色色漿研磨分散30Kg級製程可靠度技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院環境建構總計畫
領域: 智慧科技
已申請專利之國家:
已獲得專利之國家:
技術現況敘述-中文: 在環保與產品外觀精緻化的訴求下,UV或水性白色墨水市場成長快速。但是因為TiO2白色色漿安定性不足且製程穩定性差,因此配製出的白色噴印墨水遮蔽率與白度不夠,無法加值高值化產品
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: ?TiO2含量: 41 + 2 wt% ? 粒徑分佈:190 + 20 nm ?60℃ x 7天,△D < 30 nm;△η< 15 c
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 可應用於其它高值功能粉體噴墨用漿料生產,例如:高值外觀件噴印墨水、3C外殼裝飾墨水、導電墨水、功能性噴塗塗料…等配製。
潛力預估: ?建立國內漿料/油墨業界製程品管技術 ?提升國內業界漿料品質,並進軍高值化油墨
聯絡人員: 段啟聖
電話: 03-5732497
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電子信箱: Sunny_Tuan@itri.org.tw
參考網址:
所須軟硬體設備: ?廠商具有無機粉體研磨分散設備與相關檢測儀器 ?化學、化工相關背景人才
需具備之專業人才: ?廠商具有無機粉體研磨分散設備與相關檢測儀器 ?化學、化工相關背景人才
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與R.G.B. 菲系電激發光高分子聚合與純化技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

微感測元件製程開發技術

執行單位: 工研院系統中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.六道光罩及八道光罩設計 2.元件尺寸皆<5mm×5mm 3.SMART標準製程 | 潛力預估: 具備低成本、小尺寸、構型簡單、較高靈敏度之功能。極具市場潛力。

微粒子取樣技術

執行單位: 工研院系統中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 系統工程整合應用技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: (l)取樣流量50~500L/min (2)蒐集粒徑1~10μml (3)尺寸大小15×15×15cm | 潛力預估: 微粒子取樣應用於目前各項精密產業,應用範圍廣市場潛力大。

微型電容式超音波換能器結構設計分析與特性模擬

執行單位: 工研院系統中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 利用分析機電耦合特性及等效電路模型,設計參數化模擬分析資料庫,可經由元件薄膜以下特性的最佳化表現找出包含材料機械性質、直流偏壓、交流訊號、結構尺寸與製程預應力等最佳設計參數:(1)最大位移(2)等效機... | 潛力預估: 此項結構分析最佳化設計可降低產品研發成本與提升構型性能,極具競爭潛力。

WLAN SOC 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Clock 40MHz, Data Rate 6, 9, 12, 18, 24, 36, 48, or 54 Mbps 2. Customize MAC layer Interface 3. C... | 潛力預估: 可與 SOC 整合,有更多獲利空間

Optical Electronics SOC-PMD&PMA 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Laser driver:10-100mA bias moudlation TIA:-15dBm sensitivity, 8GHz BW LA:230mV limiting BER | 潛力預估: 國內自製之晶片在10Gbps處於高獲利期即佔有市場

HD-DVD SOC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Group delay variation | 潛力預估: 國內尚未有廠商開發成功,且藍光光碟機尚未普及,現在投入可及早佔有市場,提昇競爭力

DTV RF Tuner IC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Frequency Range:50~860MHz Input Resistance:75Ohm Min. Input power:-80dBm Max. Input power:-20dBm Tot... | 潛力預估: 國內尚未有廠商使用CMOS技術來製作DTV RF Tuner,藉由掌握此關鍵技術,可實現使用行動裝置(手機、PDA、Notebook)收看數位電視的可能,並由顧採用的是CMOS技術,因此可降低IC設...

DSP Architecture&RTL Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Process (Hard IP demo design) : 130 nm – Generic logic process Architecture : Scalar + 4-way VLIW Da... | 潛力預估: 提昇國內關鍵元組件的技術能力與自製率

PAC Architecture&Integration技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Asymmetric dual core architecture 2.Three-layer AHB bus structure (Basic) 3.Flexible and scalable... | 潛力預估: 1. Low-power SoC Platform for portable applications 2. Bi-product: DVFS low-power design solution pa...

Low Power Design Methodology&Environment 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Design Methodology:Multi-Vth,Multi-VDD,DVFS Design, Implementation,and Verification Methodology 2.... | 潛力預估: 廣泛應用於可攜式電子產品SoC,將大幅提升國內IC廠商產品在國際市場之競爭力

Low Power Circuit Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: PLL:12MHz in, 456MHz out, 24Mhz Stepping, RMS Jitter 35ps, P-P Jitter 150ps. MAC: Two 16 bit 2's com... | 潛力預估: 可應用於各種時脈產生,及數位濾波器,及資料暫存設計

高密度通道光譜影像量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)物方視野: 線型 > 6 mm(2) 物方空間解析度: < 250 mm (3) 光譜解析度: < 3 nm (4) 單次量測光譜範圍(free spectral range): 400 nm | 潛力預估: 台灣的LED設備產能相當充足,但製程良率偏低,且檢測速度遠不及產出率,需求快速光譜檢測新一代技術,本技術可直接針對此需求提供服務。

高密度光譜分析技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)掃描範圍:300nm~900nm/1250nm~1650nm | 潛力預估: 可取代目前國外高價產品,可創造產值5億

垂直掃描白光干涉表徵顯微量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 縱向解析度及量程1nm / 100um、橫向解析度及量程 1um / (500um)2 | 潛力預估: 結合單頻相移暨垂直掃描白光干涉功能的顯微檢測儀器,在亞洲市場的產值每年可達數億元,其產值更將隨影像顯示器產業產值的成長而大幅提昇。

3 mil 線寬/線距PCB/FPC 銅箔線路斷路及短路之缺陷檢測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 3 mil 線寬/線距HDI-PCB銅箔線路缺陷檢測探頭,尺寸/形狀空間解析度:8~15μm。(2)機台y-方向移動速度:40 mm/sec.。(3)缺陷檢測演算法可自動檢測出open/sh... | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等,產業頗具規模,因此,製程品質之檢測儀器之需求大。

微感測元件製程開發技術

執行單位: 工研院系統中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.六道光罩及八道光罩設計 2.元件尺寸皆<5mm×5mm 3.SMART標準製程 | 潛力預估: 具備低成本、小尺寸、構型簡單、較高靈敏度之功能。極具市場潛力。

微粒子取樣技術

執行單位: 工研院系統中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 系統工程整合應用技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: (l)取樣流量50~500L/min (2)蒐集粒徑1~10μml (3)尺寸大小15×15×15cm | 潛力預估: 微粒子取樣應用於目前各項精密產業,應用範圍廣市場潛力大。

微型電容式超音波換能器結構設計分析與特性模擬

執行單位: 工研院系統中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 利用分析機電耦合特性及等效電路模型,設計參數化模擬分析資料庫,可經由元件薄膜以下特性的最佳化表現找出包含材料機械性質、直流偏壓、交流訊號、結構尺寸與製程預應力等最佳設計參數:(1)最大位移(2)等效機... | 潛力預估: 此項結構分析最佳化設計可降低產品研發成本與提升構型性能,極具競爭潛力。

WLAN SOC 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Clock 40MHz, Data Rate 6, 9, 12, 18, 24, 36, 48, or 54 Mbps 2. Customize MAC layer Interface 3. C... | 潛力預估: 可與 SOC 整合,有更多獲利空間

Optical Electronics SOC-PMD&PMA 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Laser driver:10-100mA bias moudlation TIA:-15dBm sensitivity, 8GHz BW LA:230mV limiting BER | 潛力預估: 國內自製之晶片在10Gbps處於高獲利期即佔有市場

HD-DVD SOC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Group delay variation | 潛力預估: 國內尚未有廠商開發成功,且藍光光碟機尚未普及,現在投入可及早佔有市場,提昇競爭力

DTV RF Tuner IC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Frequency Range:50~860MHz Input Resistance:75Ohm Min. Input power:-80dBm Max. Input power:-20dBm Tot... | 潛力預估: 國內尚未有廠商使用CMOS技術來製作DTV RF Tuner,藉由掌握此關鍵技術,可實現使用行動裝置(手機、PDA、Notebook)收看數位電視的可能,並由顧採用的是CMOS技術,因此可降低IC設...

DSP Architecture&RTL Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Process (Hard IP demo design) : 130 nm – Generic logic process Architecture : Scalar + 4-way VLIW Da... | 潛力預估: 提昇國內關鍵元組件的技術能力與自製率

PAC Architecture&Integration技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Asymmetric dual core architecture 2.Three-layer AHB bus structure (Basic) 3.Flexible and scalable... | 潛力預估: 1. Low-power SoC Platform for portable applications 2. Bi-product: DVFS low-power design solution pa...

Low Power Design Methodology&Environment 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Design Methodology:Multi-Vth,Multi-VDD,DVFS Design, Implementation,and Verification Methodology 2.... | 潛力預估: 廣泛應用於可攜式電子產品SoC,將大幅提升國內IC廠商產品在國際市場之競爭力

Low Power Circuit Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: PLL:12MHz in, 456MHz out, 24Mhz Stepping, RMS Jitter 35ps, P-P Jitter 150ps. MAC: Two 16 bit 2's com... | 潛力預估: 可應用於各種時脈產生,及數位濾波器,及資料暫存設計

高密度通道光譜影像量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)物方視野: 線型 > 6 mm(2) 物方空間解析度: < 250 mm (3) 光譜解析度: < 3 nm (4) 單次量測光譜範圍(free spectral range): 400 nm | 潛力預估: 台灣的LED設備產能相當充足,但製程良率偏低,且檢測速度遠不及產出率,需求快速光譜檢測新一代技術,本技術可直接針對此需求提供服務。

高密度光譜分析技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)掃描範圍:300nm~900nm/1250nm~1650nm | 潛力預估: 可取代目前國外高價產品,可創造產值5億

垂直掃描白光干涉表徵顯微量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 縱向解析度及量程1nm / 100um、橫向解析度及量程 1um / (500um)2 | 潛力預估: 結合單頻相移暨垂直掃描白光干涉功能的顯微檢測儀器,在亞洲市場的產值每年可達數億元,其產值更將隨影像顯示器產業產值的成長而大幅提昇。

3 mil 線寬/線距PCB/FPC 銅箔線路斷路及短路之缺陷檢測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 3 mil 線寬/線距HDI-PCB銅箔線路缺陷檢測探頭,尺寸/形狀空間解析度:8~15μm。(2)機台y-方向移動速度:40 mm/sec.。(3)缺陷檢測演算法可自動檢測出open/sh... | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等,產業頗具規模,因此,製程品質之檢測儀器之需求大。

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