矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是工研院先進製造與系統領域環境建構計畫, 技術規格是KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。, 潛力預估是本製程可提升產品良率，降低生產成本.

序號	991
產出年度	94
技術名稱-中文	矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。
技術成熟度	雛型
可應用範圍	壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估	本製程可提升產品良率，降低生產成本
聯絡人員	羅政
電話	06-3847128
傳真	06-3847294
電子信箱	chenglo@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	alignment mask design / anisotropic wet etching

序號

991

產出年度

技術名稱-中文

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院先進製造與系統領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。

技術成熟度

雛型

可應用範圍

壓力感測器,加速器等感測器或致動器。

潛力預估

本製程可提升產品良率，降低生產成本

聯絡人員

羅政

電話

06-3847128

傳真

06-3847294

電子信箱

chenglo@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才

alignment mask design / anisotropic wet etching

根據名稱矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術找到的相關資料

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

@ 技術司可移轉技術資料集

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

@ 技術司可移轉技術資料集

[ 搜尋所有 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術 ... ]

根據電話 06-3847128 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 06-3847128 ...)

微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程 @ 技術司可移轉技術資料集
無線生理訊號感測模組設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) \| 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... @ 技術司可移轉技術資料集
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。 @ 技術司可移轉技術資料集
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 \| 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 @ 技術司可移轉技術資料集
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress \| 潛力預估: 穩定可量產 @ 技術司可移轉技術資料集
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_；蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 \| 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。 @ 技術司可移轉技術資料集
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。 @ 技術司可移轉技術資料集
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ；薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。 @ 技術司可移轉技術資料集

[ 搜尋所有 06-3847128 ... ]

在『技術司可移轉技術資料集』資料集內搜尋:

與矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術同分類的技術司可移轉技術資料集

微結構光學膜片製造技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)柱間隔5μm~100μm，棱柱高度5μm ~100μm，棱柱角度30o~150o (2)透鏡直徑2 μm～500μm，透鏡高度2 μm～100μm，最小透鏡間隙 0 μm \| 潛力預估: 目前平面顯示器相關產品需求非常大而且未來照明產業的相關應用也將非常廣泛
SOI晶圓製程技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)全域厚度變異≦3μm / ψ150mm，表面粗糙度Ra≦5 A (2)絕緣層厚度 0.5μm~2μm，絕緣層膜厚均勻性≦5% (3)元件層厚度≧8μm (4)元件層厚度均勻性 ±5% \| 潛力預估: SOI應用領域相當廣泛，如：微機電元件、High Power IC、光通訊元件等。以SOI晶圓取代目前微機電相關製程技術，可大幅提升產品競爭力，因此，預估在未來3年內SOI晶圓市場將會有爆炸性之成長
奈米微粒製造技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)研磨分散設備：研磨槽容積：1.6L，切線速度：15m/s，研磨介質粒徑：0.1mm（最小） (2)高壓均質設備：最大壓力：280MPa，流量：25L/hr \| 潛力預估: 奈米微粒製造技術開發完成奈米微粒研磨分散設備及高壓均質設備，針對奈米等級微粒粉碎、分散、乳化等濕式製程均可適用，是奈米產業發展的重要設備技術。本技術完成後，可提供國內具備價格、彈性、和性能等優勢的製造...
模組化高剛性平台	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 不放大振動之頻寬為0-200Hz，剛性大於8×108 N/m（地板為完全剛性之狀況） \| 潛力預估: 模組化精密高剛性平台技術之開發及應用，可以取代目前重量較重之花崗岩平台或鋼筋混凝土平台，經由平台之減重並維持更高之剛性，可以減輕廠房結構之負擔，增加廠房之使用率。適用於12吋半導體製程及平面顯示器產業...
奈米機械隔振模組技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1-400Hz以內均有減振之效果，其中垂直方向在6Hz以上之減振能力為-14dB（80%），水平方向在6Hz以上之減振能力為-12dB（75%） \| 潛力預估: 隨著奈米科技及相關技術之不斷提昇，使得相關之奈米級檢測設備之應用更為普及。對於小型之奈米檢測設備如SPM及AFM，本模組可有效地與檢測設備結合，以取代大型之光學桌及氣墊隔振系統，並且能在低頻提供更好的...
線型馬達高速切削加工機技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: X/Y/Z行程：800×600×500mm X/Y/Z‧??? 最大進給速度：120m/min X/Y/Z‧??? 最大進給加速度：2G‧???主軸最高轉速：24,000rpm \| 潛力預估: 近年來高速切削之相關技術蓬勃發展，其應用範圍已從早期侷限於航太業鋁合金切削擴充至汽車業、模具業、電子業，切削材料除傳統的鋁合金切削外，亦包括鑄鐵、合金鋼、複合材料與高硬度材料。高速切削具有高切削量、低...
串列網路伺服運動控制應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ??? 串列網路伺服軸：8軸(Mitsubishi SSCNET)，可擴充至16軸/泛用開迴路：4軸/泛用閉迴路：1軸，可擴充至5軸/數位轉類比：2組(16 bits)，可擴充至6組/類比轉數位：2組... \| 潛力預估: 可實現高速、高精度的定位控制，及多軸即時同步運動控制，在不用增加控制母板下，硬體軸數與IO點數擴充彈性大，為國內光電半導體設備與CNC工具機業，提供了一個降低系統配線複雜度與維護簡單化的有效解決方案。
光通訊TO-Can雷射銲接機	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 雷射束數目：3/雷射型式：Nd:YAG/功率：20 W/視覺與雷射頭分離/X1 軸行程: 50mm, 定位精度: 5μm, 解析度: 0.2μm/Y1軸 (手動) \| 潛力預估: 高
光隔絕器自動對光與自動錫銲固著技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧??? 自動對光技術：單光束自動對光 < 3 分鐘/自動錫銲技術：錫銲固著後，插入損失小於0.2dB \| 潛力預估: 自動對光技術為光電元件構裝相關產業之關鍵技術，未來具有廣大的市場發展潛力。自動錫銲技術可以較高的品質及穩定性來取代人工，除已被廣為使用的電子產業外，於新興的光電產業亦具有高度發產空間
平面光波導自動構裝系統	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 光通訊多通道元件對光技術對光型式：Fiber Array to Fiber Array/‧ 通道數：8 \| 潛力預估: 以光通訊元件的發展趨勢來看，均朝向模組化、高頻寬、多通道數、低成本、小體積發展，所以平面光波導將會是未來光通訊網路中相當重要的元件。目前日本及歐美等國正極力促成光通訊網路的建立，因此未來平面光波導元件...
晶片/晶圓鍵合技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 晶片/晶圓鍵合精度：±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )/大面積加熱板溫度控制技術：250± 1℃/瞬間加熱板溫度控制技術：500± 5℃/視覺對位技... \| 潛力預估: 熱超音波覆晶技術具高效率及綠色製程特性，將成為覆晶技術主流製程之一/高速取放技術有效提昇設備競爭力/精密定位系統大幅提昇設備製程良率/製程設備整合開發，提供使用者統和解決方案/掌握關鍵模組開發能力，縮...
晶圓液相沉積金屬薄膜技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 6吋晶圓，凸塊厚度18μm，電鍍均勻性< 4％，TIR平均值< 1μm/8吋晶圓，凸塊厚度18μm，電鍍均勻性< 5％，TIR平均值< 1μm \| 潛力預估: Multi-cup電鍍模組可整合成不同型式量產機台，並具備即時電壓/電流監測功能，確保晶圓電鍍之品質
高速大面積電漿光阻剝離技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 基板尺寸：620×750 mm，第3.5代LCD面板尺寸/製程溫度：≦250℃/‧ 去光阻速度：2μm/min \| 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (第5代LCD面板尺寸)/高速大面積電漿蝕刻、灰化等相關技術應用
切割模組	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 劃線寬度：3~5 μm/劃線深度：3~5 μm/晶圓厚度量測精度：± 1 μm/劃線力量：5~100g，解析度0.3g \| 潛力預估: 可因應未來生醫晶片、微機電晶片及覆晶片等薄型晶片，在切割預留寬度(street)由50μm期望下降到20μm的產品需求及無碎屑切割裂片技術
脆硬材料裂片裝置	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 適用晶圓尺寸：6吋/Z軸行程：3mm (可程式控制)/Z軸速度：0.2sec (最快)/Z1軸行程：0.8mm (可程式控制)/Z1軸速度速度：0.3sec (最快)/裂片氣壓缸速度：0.15sec ... \| 潛力預估: 本裝置可整合於鐳射劃線機或鑽石尖點劃線機進行精密的自動劃線裂片製程而廣泛運用於光電與半導體產業