矽晶片蝕穿技術
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技術名稱-中文矽晶片蝕穿技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是工研院先進製造與系統領域環境建構計畫, 技術規格是矽蝕刻深度 > 525um_x000D_；蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30, 潛力預估是最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。.

序號	993
產出年度	94
技術名稱-中文	矽晶片蝕穿技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	矽蝕刻深度 > 525um_x000D_；蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30
技術成熟度	雛型
可應用範圍	印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估	最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。
聯絡人員	羅政
電話	06-3847128
傳真	06-3847294
電子信箱	chenglo@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	電機,半導體製程背景人才。

序號

993

產出年度

技術名稱-中文

矽晶片蝕穿技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院先進製造與系統領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

矽蝕刻深度 > 525um_x000D_；蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30

技術成熟度

雛型

可應用範圍

印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。

潛力預估

最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。

聯絡人員

羅政

電話

06-3847128

傳真

06-3847294

電子信箱

chenglo@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才

電機,半導體製程背景人才。

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微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程 @ 技術司可移轉技術資料集
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矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。 @ 技術司可移轉技術資料集
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兩軸旋轉主軸頭	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 主軸：功率：15 kW、最大扭力：48 Nm、最高轉速：20,000 rpm、主軸振動：3μm以內；C軸：最大扭力：1,000Nm、行程：±200°；A軸：最大扭力：800 Nm、行程：±95° \| 潛力預估: 直接驅動技術結合兩軸旋轉模組技術、智能型主軸技術等關鍵技術，更進一步提昇高速與複合切削加工技術，領導業界邁向直接驅動高速五軸關聯技術領域，提昇五軸機台品級及其附加價值，增加國際競爭力
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奈米轉印設備技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: H.E./UV Module； Imprinting size：6”； Max. pressure：60 Bar； Max. temperature：250℃； Microwave rapid hea... \| 潛力預估: 奈米轉印技術應用領域相當廣泛，包括生醫元件、光電顯示器、資料儲存媒體以及奈米電子等領域；國際半導體技術藍圖（ITRS）已於2003年正式將轉印微影技術（Imprint Lithography）列為下...
微慣性感測技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 自由度：3維解析度：400CPI \| 潛力預估: 若能達成高解析度的滑鼠開發，將有機會成為電腦輸入裝置的另一種選擇。
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微均熱片	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 均熱片尺寸：30x30x2 mm 可耐熱通密度：100w/cm2 可耐熱功率：>50W \| 潛力預估: 製造技術可完全自行掌握，規格達國際水準，具市場競爭力。
TFT ARRAY製造設備技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 定位精度：±20mm \| 潛力預估: 未來若完成電極圖案新製程設備，可大幅節省設備投資，市場需求大。
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前瞻性顯示器設備技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ 捲繞速度：15~30m/min ‧ 張力誤差： ± 10％ ‧ 速度誤差：± 10％ \| 潛力預估: 軟性顯示器是未來顯示器發展之趨勢，本技術可整合應用於軟板製程設備中，未來市場應用範圍極為廣泛。
平面顯示器瑕疵檢測系統整合應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 檢測物： TFT-LCD彩色濾光片、素玻璃 2. 元件大小： 680 mm X 880 mm 3. 檢測速率： 15000 mm2／秒 4. 最小瑕疵： 20μm \| 潛力預估: 技術應用領域可擴大至LCD其他元件的瑕疵檢測
線切割機工件旋轉軸同步控制應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 旋轉軸同步控制應用技術加工，為利用XYUV與旋轉軸同步控制移動，配合放電切削形成曲面無屑加工方式。 \| 潛力預估: 協助國內WEDM廠商發展智慧型控制器與放電技術，2004年國產CNC 放電加工機產量將達900台，年產值達18億元以上，在市佔率方面逐年成長。本計畫開發具複合化與精度加工性能之線切割放電加工機，並且...
放電加工創成控制器應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 創成放電加工技術間隙伺服控制、放電軌跡路徑加工控制、3D曲面放電加工控制、自動換電極功能、電極尺寸偵測及補償功能及創成放電電源(ON Time=500ns、Ip=0.5A、9段電容選擇)。 \| 潛力預估: 創成放電加工控制技術便提供3D微細放電加工一種技術解決方案，應用於奈米科技、光電通訊、生醫科技在微細加工零組件或模具的需求，使得整機單價可由80萬元提昇至250萬元。
先進構裝機電控制應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 晶片堆疊控制，底部充填自動校正控制 \| 潛力預估: 1.晶片堆疊控制增加設備性能及提高設備附加價值。2.底部充填自動校正控制，適用於覆晶製程點膠製程設備。
精密PCB鑽孔控制技術系統整合應用	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ 鑽孔速度：400孔/分鐘 ‧ 檔案管理 ‧ 座標顯示 ‧ 加工路徑顯示 ‧ 翻、排版指令 ‧ 多次鑽孔功能 ‧ 擴鑽圓孔/長槽擴鑽指令 ‧ 運轉/切削時間顯示 ‧ 從中斷點重新啟動功能 ‧ 斷針... \| 潛力預估: 具備畫面瀏覽器功能，可由機器製造商自由編輯設定顯示畫面以增加系統專有特色功能，提高市場競爭力。