銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術
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技術名稱-中文銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫, 技術規格是Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_；Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_；UBM: Ti/Cu, Electroless Ni/Au, 潛力預估是比起過去使用的鋁導線，銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗，尤其當線寬愈來愈窄的時候，其對高頻的影響愈來愈大，被視為下一代高速積體電路的明星製程，然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術，而國內下游相關業者，目前尚未有明顯因應之道。值此以銅代鋁的關鍵時刻，電光所構裝技術組發展以銅代鋁的銅....

序號	1003
產出年度	94
技術名稱-中文	銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	於銅晶片上利用濺鍍/電鍍及無電鍍的方式分別製作Ti/Cu及Ni/Au UBM並分別配合錫鉛電鍍及印刷技術來完成覆晶凸塊植球技術。此二種植球技術(電鍍及印刷)已通過高溫儲存及溫度循環等可靠度測試。而後者(無電鍍Ni/Au UBM +錫鉛印刷)又稱為低成本覆晶植球技術，已將其應用於I/O數為81且為周邊排列方式的測試載具上，加以組裝於基板並已通過可靠度測試。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_；Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_；UBM: Ti/Cu, Electroless Ni/Au
技術成熟度	試量產
可應用範圍	以銅導線製程的高階晶片，可應用Chipset、ASIC、CPU等。
潛力預估	比起過去使用的鋁導線，銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗，尤其當線寬愈來愈窄的時候，其對高頻的影響愈來愈大，被視為下一代高速積體電路的明星製程，然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術，而國內下游相關業者，目前尚未有明顯因應之道。值此以銅代鋁的關鍵時刻，電光所構裝技術組發展以銅代鋁的銅晶片構裝技術，以銅為導體，可減少訊號延遲、降低electro-migration產生、增加構裝密度，並提高積體電路整體的速度，是未來構裝產業需投注高度研究的技術。
聯絡人員	溫國城
電話	03-5915654
傳真	03-5820412
電子信箱	kcwen@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	構裝廠、IC廠封裝部門。
需具備之專業人才	機械、材料、化學(化工)

序號

1003

產出年度

技術名稱-中文

銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

於銅晶片上利用濺鍍/電鍍及無電鍍的方式分別製作Ti/Cu及Ni/Au UBM並分別配合錫鉛電鍍及印刷技術來完成覆晶凸塊植球技術。此二種植球技術(電鍍及印刷)已通過高溫儲存及溫度循環等可靠度測試。而後者(無電鍍Ni/Au UBM +錫鉛印刷)又稱為低成本覆晶植球技術，已將其應用於I/O數為81且為周邊排列方式的測試載具上，加以組裝於基板並已通過可靠度測試。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_；Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_；UBM: Ti/Cu, Electroless Ni/Au

技術成熟度

試量產

可應用範圍

以銅導線製程的高階晶片，可應用Chipset、ASIC、CPU等。

潛力預估

比起過去使用的鋁導線，銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗，尤其當線寬愈來愈窄的時候，其對高頻的影響愈來愈大，被視為下一代高速積體電路的明星製程，然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術，而國內下游相關業者，目前尚未有明顯因應之道。值此以銅代鋁的關鍵時刻，電光所構裝技術組發展以銅代鋁的銅晶片構裝技術，以銅為導體，可減少訊號延遲、降低electro-migration產生、增加構裝密度，並提高積體電路整體的速度，是未來構裝產業需投注高度研究的技術。

聯絡人員

溫國城

電話

03-5915654

傳真

03-5820412

電子信箱

kcwen@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

構裝廠、IC廠封裝部門。

需具備之專業人才

機械、材料、化學(化工)

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晶片接合結構及其接合方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I534973 \| 專利期間起: 105/09/07 \| 專利期間訖: 122/03/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光系統所 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 陳尚駿 ,林哲歆 ,顧子琨 @ 技術司專利資料集
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低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress \| 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高 @ 技術司可移轉技術資料集
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增益型晶圓級晶方尺度構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: *Die size:1010mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or...** \| 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應... @ 技術司可移轉技術資料集
銅晶片打線接合構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Test Vehicle：Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定，並由電子所與合作廠商共同 \| 潛力預估: Filing two patents for copper chip package_x000D_，Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_，Wire bond qua... @ 技術司可移轉技術資料集

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複材螺旋槳葉片製造技術	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧完成3D?尺寸纖維預型物技術開發，結合編織套帶及多層多軸向纖維布及發泡蕊材，以提昇纖維補強效率，降低結構重量，可達20%以上。 ‧以螺旋槳引擎之複材動力葉片為載體，旋徑54英吋以上，完成樹脂轉注成型... \| 潛力預估: 可應用於輕航機之螺槳葉片、各式工業用風扇葉片、水下推進器及風力機之複材葉片等項
複材螺旋槳葉片RTM模具製造技術	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 模具表面粗度為63√,零件表面粗度為125√，零件可預先包覆進行成型作業 \| 潛力預估: 可應用於各式複雜複材結構零件的成型模具製作
多層多軸向預浸材料製程技術	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可應用玻璃纖維布於單位重量在200g/m2~1200g/m2之多層多軸向／環氧樹脂預浸材料的含浸作業。 \| 潛力預估: 可應用開發各式玻璃纖維布之環氧樹脂預浸材料，有利航空級、工業級之複材零組件開發
奈米粒子彈性體官能化表面安定處理技術	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米彈性材料原始強度提升200 % ，阻水阻氣提升50 %，抗撕裂強度提升100 % 。 \| 潛力預估: 高壓阻油阻氣、密封性及耐磨耗性等，應用於環保型奈米彈性阻尼材、密封材，例如電子業相關滾筒及輪胎等工業上，達抗磨損，高強度，延壽，環保等需求。
奈米聚氨基甲酸酯材料技術	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提昇彈性材料之性能【彈性材料原始強度增加逾200% ，聚氨基甲酸酯阻斷材料原始強度增加逾50% 】 \| 潛力預估: 具密封性及耐磨耗性等，應用於環保型奈米彈性阻尼材、密封材，例如製鞋工業。
阻斷奈米彈性材料技術	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米彈性材料之性能提昇 Green Strength增加逾200% (聚氨基甲酸酯彈性阻斷材料逾50%)，阻水阻氣性提昇逾40%，耐磨性能提昇逾50%、抗撕裂強度提昇逾50%。 \| 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料，具環境阻斷與抗輻射之優點，可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。
防腐蝕奈米改質壓克力塗料技術	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 塗層材料具UV輻射穿透率改善200％，IR輻射穿透率改善85％，阻水阻氣性提昇逾50%，耐磨性能提昇逾60%、基材附著強度提昇逾100%。 \| 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料，具環境阻斷與抗輻射之優點，可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。
伺服閥系統技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 流量12cis，壓力3000psi \| 潛力預估: 可搶攻高級閥件市場，極具市場潛力
精密慣導系統元件技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 可搶攻導航系統市場，極具市場潛力
鈦合金進氣道	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 通過AMS-STD-2219銲接X-RAY之A級檢驗要求 \| 潛力預估: 可搶攻國際航太工業，極具市場淺力
精密高強度鍛造技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鍛造件幾何精度須達到幾何公差.15mm，須通過AMS 4079C 機械性能及超音波MIL- STD–2154 Class AA檢驗規範 \| 潛力預估: 可搶攻航太工業及核電工程結構零組件市場
數位驅動控制器	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.迴授精度線性：± 0.5%。2.機械行程：50 ± 2 Degrees。3.電氣行程：45±2 Degrees。4..操作電壓：18 ~ 32V。5.標準操作電壓值：24V。6.無載速度：130 ... \| 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。
火鶴軍用小靶機設計	執行單位: 中科院資通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 翼展2.5米、全長2.8米、高度0.6米空重≦75公斤、最大總重≦90公斤最大飛行速度150節飛行升限≦10,000英呎續航時間≦1.5小時、導控距離≦50公里採彈射及滑行起飛等需求規格設計 \| 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。
數位飛控電腦模組設計、製造	執行單位: 中科院資通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 最大尺寸25×15×15公分、重量約3公斤震動符合MIL-HDBK-5400 PARA.4.6.2.5.1儲存溫度：-55 ~ +85℃操作環境：-40 ~ +55℃；+70℃至少30分鐘可靠度 MT... \| 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。
共用型軍用發射系統	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: １．符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術，傳輸率1Mbits/S。２．機電系統整合技術，自測度達90%，故障隔離度達85%。３．電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 \| 潛力預估: 可進入軍品市場，進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會