反應型熱熔膠配方研發
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文反應型熱熔膠配方研發的執行單位是中科院化學所, 產出年度是95, 計畫名稱是功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫, 技術規格是NCO含量2~10％，多元醇分子量2000~10000, 潛力預估是提升傳統熱熔膠耐熱性能，取代並開發新應用範圍。.

序號	1748
產出年度	95
技術名稱-中文	反應型熱熔膠配方研發
執行單位	中科院化學所
產出單位	(空)
計畫名稱	功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	選擇適當多元醇及MDI，並研究其製備方法，製備成兩末端為異氰酸酯基之PU預聚物，利用配方技術，調製適當初始黏度及開放時間。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	NCO含量2~10％，多元醇分子量2000~10000
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	反應型PU熱熔膠製程與配方開發
潛力預估	提升傳統熱熔膠耐熱性能，取代並開發新應用範圍。
聯絡人員	楊正乾
電話	03-4458063
傳真	03-4719940
電子信箱	lcc36@tsrp.org.tw
參考網址	http://cs.mnd.gov.tw/
所須軟硬體設備	一般化工反應設備
需具備之專業人才	化學或化工研發與操作人員
同步更新日期	2024-09-03

序號

1748

產出年度

技術名稱-中文

反應型熱熔膠配方研發

執行單位

中科院化學所

產出單位

(空)

計畫名稱

功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

選擇適當多元醇及MDI，並研究其製備方法，製備成兩末端為異氰酸酯基之PU預聚物，利用配方技術，調製適當初始黏度及開放時間。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

NCO含量2~10％，多元醇分子量2000~10000

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

反應型PU熱熔膠製程與配方開發

潛力預估

提升傳統熱熔膠耐熱性能，取代並開發新應用範圍。

聯絡人員

楊正乾

電話

03-4458063

傳真

03-4719940

電子信箱

lcc36@tsrp.org.tw

參考網址

http://cs.mnd.gov.tw/

所須軟硬體設備

一般化工反應設備

需具備之專業人才

化學或化工研發與操作人員

同步更新日期

2024-09-03

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Manufacturing method of ladder-like phosphorous-containing polysilsesquioxanes nanocomposite materia...	核准國家: 美國 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 \| 專利發明人: 楊正乾、馬振基 \| 證書號碼: 7700711B2 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
含乙烯基矽氧烷主鏈劑合成	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 乙烯基：0.01~1.1mmole/g，粘度：0.001~4.0kp(25℃)，比重：0.7~1.1，揮發度：＜2%，顏色：透明 \| 潛力預估: LSR可取代HTV，節省人工、可大量生產，隨著汽車安全氣囊之發展，市場潛力很大 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
高分子型催化劑合成與分析	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 分子量：約1000g/mole，分布度：＜3.0 \| 潛力預估: 高分子型催化劑合成技術大大提高矽酮高分子合成之穩定性及再現性，預期將取代一般催化劑之使用 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
矽酮壓克力改質技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: OH/NCO＝2：1~2.3：1，NCO-Siloxane/acrylic acid/OH-acrylate＝1：0.6：0.4~1：0.4：0.6 \| 潛力預估: 提升壓克力產品性能、增加其副加價值增進產品應用換範圍。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
高透明度及高機械強度矽橡膠製程研究與分析檢測	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 撕裂強度(die C)：>40kgf/cm、伸長率：>750%、抗拉強度：>80kgf/cm2、穿透率(550nm)：~50%(厚度:2mm) \| 潛力預估: 混?強化劑後，提升矽橡膠機能性與功能性，增廣矽橡膠之應用範圍與附加價值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
長效型抗靜電塗料配方評估與分析檢測	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 覆膜厚度50-250nm、表面電阻104~109Ω/sq、透光率＞70％(550nm) \| 潛力預估: 可做為半導體與液晶製程防靜電披覆膜，市場年成長率可達20%。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
聚醇合成與應用研究	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 產物名稱：PEA(polyethylene glycol adipate)_x000D_分子量：2000，酸值：＜1，OH值：＜28，含水量＜1%。 \| 潛力預估: 用於潛水衣、汽車車燈及粘扣帶膠黏劑，取代傳統熱熔膠，產量100噸/月，產值約8千萬元。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
環氧導熱接著劑原材料改質與檢測技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 灰色黏稠狀、黏度80，000±20，000mpa.s/25℃、硬度(Shore D)≧85、導熱係數≧1.80W/m.。k。 \| 潛力預估: 目前台灣仍處於初始階段，尚無高性能產品應市，主要市場產品仍以進口世界大廠牌為主。國內需求殷切，羿望能由國內得到貨源，已成未來趨勢，本產品開發成功估計年產值5000萬元以上，帶動進口品牌降價，節省可觀外... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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軟性液晶顯示器連續式製程開發	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 基板寬度>30cm \| 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術
直接沈積多晶矽製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 \| 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞，又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引...
20" 奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Size:20” 均勻度<±15% \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分，現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...
CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度<35°C。 \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本，背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力，與現有CCFL...
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□ 2. 介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V/... \| 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源，可先期驗證新材料之適用性，取代目前材料受限於單一廠商之獨占性，協助新技術中關鍵材料之驗證，以取得未來技術蓬勃發展時之商機。
OTFT device development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，如開發完成，未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。
OTFT OLED development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage<10V、軟性塑膠基板 \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質，預期有互補性且製程相通，開發完成後，可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm \| 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化，增加市場競爭力
電化學蝕刻停止技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 \| 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等
鎳鈷及金微電鑄及製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... \| 潛力預估: 應用潛力高
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 應用潛力中
微鰭片散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 \| 潛力預估: 應用潛力中
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高
室溫熱像儀驅動顯示控制技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 \| 潛力預估: 應用潛力中等
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

軟性液晶顯示器連續式製程開發

直接沈積多晶矽製程技術

20" 奈米碳管場發射顯示技術

CNT-BLU技術商品化規格驗證

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

反應型熱熔膠配方研發 - 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

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