導電高分子固態電容器材料及製程技術及其專利群組授權
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文導電高分子固態電容器材料及製程技術及其專利群組授權的執行單位是工研院材化所, 產出年度是96, 計畫名稱是電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫, 技術規格是1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸成膜技術及封裝技術，並使其電容量、損失角、ESR符合商規標準。((驗證規格470F/4V，D3L ..., 潛力預估是因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗....

序號	1977
產出年度	96
技術名稱-中文	導電高分子固態電容器材料及製程技術及其專利群組授權
執行單位	工研院材化所
產出單位	(空)
計畫名稱	電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之相關材料及其製程技術，包含其導電性高分子材料及其含浸成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸成膜技術及封裝技術，並使其電容量、損失角、ESR符合商規標準。((驗證規格470F/4V，D3L Size(7.3mm X 4.3mm X2.8mm)，M規格，ESR達15m@100KHz，LC＜0.1CV，DF＜10%))
技術成熟度	雛型
可應用範圍	目前高階主機板由以往使用的傳統鋁質電解電容，均改為耐高溫且壽命長的固態電容，在應用面大增下，固態電容成為未來被動元件中最具成長力道零組件產品。材料所利用自組裝技術及應用抑制劑成功操控導電高分子之聚合速率，並開發得高導電率之導電高分子材料，使導電高分子以1000倍的導電率，取代原有的液態電解液電容器，成為下世代新興之被動元件。
潛力預估	因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員	蔡麗端
電話	03-5915310
傳真	03-5820442
電子信箱	LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才	材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上

序號

1977

產出年度

技術名稱-中文

導電高分子固態電容器材料及製程技術及其專利群組授權

執行單位

工研院材化所

產出單位

(空)

計畫名稱

電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之相關材料及其製程技術，包含其導電性高分子材料及其含浸成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸成膜技術及封裝技術，並使其電容量、損失角、ESR符合商規標準。((驗證規格470F/4V，D3L Size(7.3mm X 4.3mm X2.8mm)，M規格，ESR達15m@100KHz，LC＜0.1CV，DF＜10%))

技術成熟度

雛型

可應用範圍

目前高階主機板由以往使用的傳統鋁質電解電容，均改為耐高溫且壽命長的固態電容，在應用面大增下，固態電容成為未來被動元件中最具成長力道零組件產品。材料所利用自組裝技術及應用抑制劑成功操控導電高分子之聚合速率，並開發得高導電率之導電高分子材料，使導電高分子以1000倍的導電率，取代原有的液態電解液電容器，成為下世代新興之被動元件。

潛力預估

因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。

聯絡人員

蔡麗端

電話

03-5915310

傳真

03-5820442

電子信箱

LiDuanTsai@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。

需具備之專業人才

材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上

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導電高分子固態電容器及其製造方法	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞10S/cm，並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達8... \| 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值，除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外，全球的需求呈現穩定而大幅的成長， 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之... @ 技術司可移轉技術資料集
電高分子鋁晶片電容器之電極組合設計及其封裝技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立鋁晶片電容器之電極積層化封裝技術，電容量達220μF/2V(7.3x4.3x2.8mm3)，ESR達25mΩ(100 kHz)，耐漣波電流能力達2.3Arms。並建立晶片電容老化製程條件，使LC \| 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值， 2005年預測之全球銷售金額可達5.5億美金，Paumanok同時預測此項產品至2010年止平均年成長率超過25﹪，產值達10億美元。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心... @ 技術司可移轉技術資料集
提升觸媒利用率之組合物、複合體與方法	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 可攜式電能技術研究四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電極漿料之穩定度達24小時、觸媒漿料分散的顆粒小於200nm以下。 \| 潛力預估: 本技術利用增加觸媒漿料的分散、穩定以及開發精密之塗佈模具設計技術與塗佈技術，可提昇漿料塗佈的良率，減少製程材料成本，並可達到量產化的要求，以降低DMFC膜電極組之研發製作成本，協助國內膜電極相關產業建... @ 技術司可移轉技術資料集
鋁晶片電容器單元電極技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 目前市場上最常用的導電高分子晶片電容器規格為D3(7.3x4.3x2.8 mm3)，其所使用之鋁箔單元電極大小約為4 mm x 3mm，厚度約為150~200m，D3電容器至少需積層化6-8層，為... \| 潛力預估: 本計畫預期將在國內推動2~3家廠商投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，預期三年內將可促進投資達6億元，量產後將可增加電容器年產值達12億元。而在鋁晶片電容器之投產後，國內導電高分子產業將邁向新的里... @ 技術司可移轉技術資料集
導電高分子固態電容器材料及製程技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸... \| 潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦... @ 技術司可移轉技術資料集
多孔性結構電極成型及其燒結技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立高CV晶片固態電容器用電極材料70KCV/g之多孔性結構電極成型及其燒結技術，電容量達470μF/2.5V(D3L)。 \| 潛力預估: 台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊... @ 技術司可移轉技術資料集
晶片電容器單元電極技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80... \| 潛力預估: 導電高分子固態電容器為全球眾所矚目之新世代電容器（被動元件之當紅炸子雞），同時也是尖端先進的電容器代名詞，市場之年成長率達25%以上，2005年預估鋁固態電容器全球市場達5.25億美元，鉭固態電容器全... @ 技術司可移轉技術資料集
直接甲醇燃料電池(DMFC)用之膜電極組(MEA)製程技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 可攜式電能技術研究四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.直接甲醇燃料電池之電極漿料配方、漿料分散及電極塗布技術。_x000D_2.膜電極組(MEA)之結構設計及製程技術，MEA膜電極組峰值功率達100±5mW/cm2@60℃。 \| 潛力預估: 本技術乃開發燃料電極之膜電極組技術，此膜電極組技術不僅可應用於直接甲醇燃料電池（DMFC）之膜電極組技術，同時也可應用於質子交換膜型燃料電池（PEMFC）之膜電極組技術。在技術未來性上此技術只要針對終... @ 技術司可移轉技術資料集

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矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ；薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。
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基板內藏元件整合設計與模型庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工作頻段：2.4GHz；新材料(εr≧38 \| 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等
射頻內藏被動元件之模型程式庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... \| 潛力預估: 基板內藏被動元件，可以取代傳統SMD元件，市場上具有龐大的商業潛力，依據市場知名市調公司PRISMARK預估，西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上，商機需求逐年擴增；且係通訊產品高...
3D基板式堆疊構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_；一步成型式導通孔技術 \| 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展，除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小，提升電子產品縮小化的效率外，更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中，而以最有效益的方式，達到System in Packa...
迴路型熱管散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域：45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小)；傳輸距離30 cm \| 潛力預估: 以真空硬銲方式接合，外觀與強度符合所需，蒸發端與冷凝端均為平面構造，易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步
無鉛製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 \| 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...
增益型晶圓級晶方尺度構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: *Die size:1010mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or...** \| 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應...
銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_；Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_；UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... \| 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線，銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗，尤其當線寬愈來愈窄的時候，其對高頻的影響愈來愈大，被視為下一代高速積體電路的明星製程，然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術，而國內...
銅晶片打線接合構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Test Vehicle：Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定，並由電子所與合作廠商共同 \| 潛力預估: Filing two patents for copper chip package_x000D_，Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_，Wire bond qua...
Flip Chip CSP 設計與構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 球間距(Ball Pitch)：0.8mm BGA_x000D_；球陣列(Ball Array)：6-8 I/O_x000D_；構裝尺寸(Package Size)：6mm-9mm_x000D_；構裝... \| 潛力預估: 整個技術環節的重點，會緊扣在低構裝成本和高電氣操作性能的訴求上，以期與現存的構裝型態在市場上有一較長短的實力，同時提供台灣構裝業界實現技術升級創造競爭力的宏大目標。
Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝：接合積層基板覆晶構裝（間距：250μm、I/O接點腳數達4300），增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝（熱傳增益達30%左右） \| 潛力預估: 接合有機基板覆晶構裝：接合積層基板覆晶構裝（間距：250μm、I/O接點腳數達4300），增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝（熱傳增益達50%左右）
散熱及電性增益型之錫球陣列塑膠構裝	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: TE-PBGA (JEDEC PBGA Standard）；散熱增益 35~40%，電性電感增益 10~20%_x000D_ \| 潛力預估: 符合PBGA的標準製程_x000D_，獲得中華民國、美國、日本多國專利保護。
電腦輔助熱傳設計分析技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪（94﹪ 信賴度） \| 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包