金屬玻璃超塑性成形製程參數與設備系統
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文金屬玻璃超塑性成形製程參數與設備系統的執行單位是金屬中心, 產出年度是96, 計畫名稱是輕量/高值化金屬零組件關鍵技術開發三年計畫, 技術規格是(1)熱壓鎂基金屬玻璃面積達25mmx50mm、厚度1mm。(2)熱擠鎂基金屬玻璃直徑1mm，長度大於150mm之線材。_x000D_, 潛力預估是可替代一般結晶金屬在應用上的不足，應用在將嚴苛的環境下。_x000D_.

序號	2284
產出年度	96
技術名稱-中文	金屬玻璃超塑性成形製程參數與設備系統
執行單位	金屬中心
產出單位	(空)
計畫名稱	輕量/高值化金屬零組件關鍵技術開發三年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	技術說明:利用金屬玻璃熱加工參數資料庫，發展高強度金屬玻璃超塑形成形製程與成型設備建構_x000D_
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	(1)熱壓鎂基金屬玻璃面積達25mmx50mm、厚度1mm。(2)熱擠鎂基金屬玻璃直徑1mm，長度大於150mm之線材。_x000D_
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	包含精微元件、生醫器材、SC殼件、雙極板等。_x000D_
潛力預估	可替代一般結晶金屬在應用上的不足，應用在將嚴苛的環境下。_x000D_
聯絡人員	葉雅青
電話	07-3513121#2545
傳真	07-3537530
電子信箱	yaching314@mail.mirdc.org.tw
參考網址	http://www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備	硬體設備：金屬玻璃成形設備_x000D_
需具備之專業人才	機械相關背景, 材料相關背景_x000D_
同步更新日期	2023-07-22

序號

2284

產出年度

技術名稱-中文

金屬玻璃超塑性成形製程參數與設備系統

執行單位

金屬中心

產出單位

(空)

計畫名稱

輕量/高值化金屬零組件關鍵技術開發三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

技術說明:利用金屬玻璃熱加工參數資料庫，發展高強度金屬玻璃超塑形成形製程與成型設備建構_x000D_

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

(1)熱壓鎂基金屬玻璃面積達25mmx50mm、厚度1mm。(2)熱擠鎂基金屬玻璃直徑1mm，長度大於150mm之線材。_x000D_

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

包含精微元件、生醫器材、SC殼件、雙極板等。_x000D_

潛力預估

可替代一般結晶金屬在應用上的不足，應用在將嚴苛的環境下。_x000D_

聯絡人員

葉雅青

電話

07-3513121#2545

傳真

07-3537530

電子信箱

yaching314@mail.mirdc.org.tw

參考網址

http://www.mirdc.org.tw

所須軟硬體設備

硬體設備：金屬玻璃成形設備_x000D_

需具備之專業人才

機械相關背景, 材料相關背景_x000D_

同步更新日期

2023-07-22

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# 07-3513121 2545 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號	3296
產出年度	98
技術名稱-中文	CAE輔助模具幾何與製程設計技術
執行單位	金屬中心
產出單位	(空)
計畫名稱	金屬中心機械與自動化環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	CAE輔助模具幾何與製程設計技術應用於擠型製程模擬分析，負荷模擬分析準確度達70%，可協助業者在實際開模試作前，透過模擬掌握模具與製程設計之可行性，加速設計優化，降低成本。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	‧CAE負荷分析準確度70%以上
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	擠型
潛力預估	創造產值0.3億元/年；促進投資400萬元/年。
聯絡人員	蔡秉訓
電話	07-3513121#2545
傳真	07-3537530
電子信箱	MID@mail.mirdc.org.tw
參考網址	http://www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備	DEFORM-3D軟體設備
需具備之專業人才	機械設計、機械製造相關背景

序號: 3296

產出年度: 98

技術名稱-中文: CAE輔助模具幾何與製程設計技術

執行單位: 金屬中心

產出單位: (空)

計畫名稱: 金屬中心機械與自動化環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: CAE輔助模具幾何與製程設計技術應用於擠型製程模擬分析，負荷模擬分析準確度達70%，可協助業者在實際開模試作前，透過模擬掌握模具與製程設計之可行性，加速設計優化，降低成本。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: ‧CAE負荷分析準確度70%以上

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 擠型

潛力預估: 創造產值0.3億元/年；促進投資400萬元/年。

聯絡人員: 蔡秉訓

電話: 07-3513121#2545

傳真: 07-3537530

電子信箱: MID@mail.mirdc.org.tw

參考網址: http://www.mirdc.org.tw

所須軟硬體設備: DEFORM-3D軟體設備

需具備之專業人才: 機械設計、機械製造相關背景

# 07-3513121 2545 於經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號	6186
產出年度	98
領域別	(空)
專利名稱-中文	精密非晶合金元件快速成形裝置及方法
執行單位	金屬中心
產出單位	(空)
計畫名稱	金屬積層板及複合製程高值應用關鍵技術研究三年計畫
專利發明人	周金龍、鄭憲清、葉雅青、蔡秉訓
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	I314883
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	1.利用本專利的設備的高速升溫爐有助於避免升溫過程中結晶化的發生及可降低超 _x000B_ 塑性成形的流體黏度，並提供非晶質合金在軟化溫度熱壓成形的恆溫環境。 2.設備中的惰性氣體噴射裝置，在工件成形後，使工件快速降溫，提高工件成形_x000B_ 後的降溫速度，有助於維持非晶狀態及降低取件時間。 3.設備的下部開啟式油壓鎖定及氣壓頂出裝置，有助於模具的改變及更換，可大_x000B_ 幅提高設備使用範圍及產品產出類型。可將油壓頂出裝置卸下，並搭配適當的_x000B_ 擠型模具設計，即可製作連續性的棒材或異型材。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	蔡秉訓
電話	07-3513121-2545
傳真	07-3537530
電子信箱	MID@mail.mirdc.org.tw
參考網址	(空)
備註	20101452-Joanne
特殊情形	(空)

序號: 6186

產出年度: 98

領域別: (空)

專利名稱-中文: 精密非晶合金元件快速成形裝置及方法

執行單位: 金屬中心

產出單位: (空)

計畫名稱: 金屬積層板及複合製程高值應用關鍵技術研究三年計畫

專利發明人: 周金龍、鄭憲清、葉雅青、蔡秉訓

核准國家: 中華民國

獲證日期: (空)

證書號碼: I314883

專利期間起: (空)

專利期間訖: (空)

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 1.利用本專利的設備的高速升溫爐有助於避免升溫過程中結晶化的發生及可降低超 _x000B_ 塑性成形的流體黏度，並提供非晶質合金在軟化溫度熱壓成形的恆溫環境。 2.設備中的惰性氣體噴射裝置，在工件成形後，使工件快速降溫，提高工件成形_x000B_ 後的降溫速度，有助於維持非晶狀態及降低取件時間。 3.設備的下部開啟式油壓鎖定及氣壓頂出裝置，有助於模具的改變及更換，可大_x000B_ 幅提高設備使用範圍及產品產出類型。可將油壓頂出裝置卸下，並搭配適當的_x000B_ 擠型模具設計，即可製作連續性的棒材或異型材。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 蔡秉訓

電話: 07-3513121-2545

傳真: 07-3537530

電子信箱: MID@mail.mirdc.org.tw

參考網址: (空)

備註: 20101452-Joanne

特殊情形: (空)

# 07-3513121 2545 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號	503
產出年度	93
技術名稱-中文	金屬超細線材靜液壓擠伸成形模具及製程系統技術
執行單位	金屬中心
產出單位	(空)
計畫名稱	金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	單道次斷面減縮率>80%，線徑17mm~50mm最大可控之擠伸成形速度300m/min，線徑17mm~50mm最大捲取速度300 m/min，捲繞長度大於1,000m。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	‧單道次斷面減縮率>80%。 ‧f17mm~50mm最大可控之擠伸成形速度300m/min。 ‧捲繞長度大於1,000m。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	晶圓切割線、放電加工線、封裝用導線等。
潛力預估	針對高附加價值線材，推動策略聯盟加速國內高功能性精細線材產業之發展，每年預計可取代進口的產值約2億元，創造產值4億元，是業者未來非常大的潛在商機。
聯絡人員	李少濠
電話	07-3513121轉2545
傳真	07-3537530
電子信箱	leish@mail.mirdc.org.tw
參考網址	http://www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備	靜液壓設備、精密模治具、高精度捲繞設備。
需具備之專業人才	成形製程、模具及機電控制相關背景。

序號: 503

產出年度: 93

技術名稱-中文: 金屬超細線材靜液壓擠伸成形模具及製程系統技術

執行單位: 金屬中心

產出單位: (空)

計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 單道次斷面減縮率>80%，線徑17mm~50mm最大可控之擠伸成形速度300m/min，線徑17mm~50mm最大捲取速度300 m/min，捲繞長度大於1,000m。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: ‧單道次斷面減縮率>80%。 ‧f17mm~50mm最大可控之擠伸成形速度300m/min。 ‧捲繞長度大於1,000m。

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 晶圓切割線、放電加工線、封裝用導線等。

潛力預估: 針對高附加價值線材，推動策略聯盟加速國內高功能性精細線材產業之發展，每年預計可取代進口的產值約2億元，創造產值4億元，是業者未來非常大的潛在商機。

聯絡人員: 李少濠

電話: 07-3513121轉2545

傳真: 07-3537530

電子信箱: leish@mail.mirdc.org.tw

參考網址: http://www.mirdc.org.tw

所須軟硬體設備: 靜液壓設備、精密模治具、高精度捲繞設備。

需具備之專業人才: 成形製程、模具及機電控制相關背景。

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LTPS光罩Reduction技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 \| 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接...
輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。
具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 \| 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用
軟性液晶顯示器連續式製程開發	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 基板寬度>30cm \| 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術
直接沈積多晶矽製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 \| 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞，又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引...
20" 奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Size:20” 均勻度 \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分，現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...
CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度 \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本，背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力，與現有CCFL...
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole \| 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源，可先期驗證新材料之適用性，取代目前材料受限於單一廠商之獨占性，協助新技術中關鍵材料之驗證，以取得未來技術蓬勃發展時之商機。
OTFT device development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，如開發完成，未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。
OTFT OLED development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質，預期有互補性且製程相通，開發完成後，可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm \| 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化，增加市場競爭力
電化學蝕刻停止技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 \| 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等
鎳鈷及金微電鑄及製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... \| 潛力預估: 應用潛力高
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 應用潛力中
微鰭片散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 \| 潛力預估: 應用潛力中