碳奈米管表面改質與分散技術
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技術名稱-中文碳奈米管表面改質與分散技術的執行單位是工研院材化所, 產出年度是97, 計畫名稱是精密化學材料技術及應用開發四年計畫, 技術規格是碳奈米管表面改質與分散液, 潛力預估是應用在電子產品、強力纖維或運動器材等領域.

序號	2808
產出年度	97
技術名稱-中文	碳奈米管表面改質與分散技術
執行單位	工研院材化所
產出單位	(空)
計畫名稱	精密化學材料技術及應用開發四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本項碳管改質與分散技術，包含奈米碳管機能性掌握、改質劑和分散劑結構設計與分散設備和製程建立，開發奈米碳管分散液，可控制分散再現性與均勻性，並簡化產業製程與降低奈米商品化成本。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	碳奈米管表面改質與分散液
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	機械補強材料添加，提升複合材料之韌性、強度及抗震能力。或作為導電添加提升材料抗電磁波、抗靜電或靜電消散之功能
潛力預估	應用在電子產品、強力纖維或運動器材等領域
聯絡人員	黃淑娟
電話	03-5732437
傳真	03-5732346
電子信箱	AmyHuang@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	加熱與加熱迴流裝置、氣體流量計、攪拌器、玻璃或不銹鋼反應槽
需具備之專業人才	化工、化學或材料相關

序號

2808

產出年度

技術名稱-中文

碳奈米管表面改質與分散技術

執行單位

工研院材化所

產出單位

(空)

計畫名稱

精密化學材料技術及應用開發四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本項碳管改質與分散技術，包含奈米碳管機能性掌握、改質劑和分散劑結構設計與分散設備和製程建立，開發奈米碳管分散液，可控制分散再現性與均勻性，並簡化產業製程與降低奈米商品化成本。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

碳奈米管表面改質與分散液

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

機械補強材料添加，提升複合材料之韌性、強度及抗震能力。或作為導電添加提升材料抗電磁波、抗靜電或靜電消散之功能

潛力預估

應用在電子產品、強力纖維或運動器材等領域

聯絡人員

黃淑娟

電話

03-5732437

傳真

03-5732346

電子信箱

AmyHuang@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

加熱與加熱迴流裝置、氣體流量計、攪拌器、玻璃或不銹鋼反應槽

需具備之專業人才

化工、化學或材料相關

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奈米結晶二氧化鈦膠體製程技術	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 固含量10wt%以上奈米結晶光觸媒的懸浮溶液，結晶粒徑5nm，晶相為銳鈦礦，可塗布形成透明之光催化薄膜，具備有除臭、抗菌抑霉、自潔與除污的效果。 \| 潛力預估: 本技術用於相關機能性民生材料，包括抗菌自潔之家具、衛浴設備、室內外磁磚、建材或汽車玻璃、去除VOC、醛類與殺菌之空氣清淨設備以及潔淨水處理設備等。未來預估相關產品產值將達新台幣50億元。 @ 技術司可移轉技術資料集
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官能化奈米碳材的方法專利授權	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 接枝環氧基、胺基、烷基等於奈米碳材表面的方法，中華民國專利申請案號：97127102 \| 潛力預估: 導電、導熱或機械補強之分散液或高分子母液，潛力應用領域包括抗靜電／抗電磁波的塗料及複合材料、運動器材(碳纖維複材)、3C外殼等 @ 技術司可移轉技術資料集

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低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ；薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。
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基板內藏元件整合設計與模型庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工作頻段：2.4GHz；新材料(εr≧38 \| 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等
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迴路型熱管散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域：45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小)；傳輸距離30 cm \| 潛力預估: 以真空硬銲方式接合，外觀與強度符合所需，蒸發端與冷凝端均為平面構造，易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步
無鉛製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 \| 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...
增益型晶圓級晶方尺度構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: *Die size:1010mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or...** \| 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應...
銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_；Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_；UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... \| 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線，銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗，尤其當線寬愈來愈窄的時候，其對高頻的影響愈來愈大，被視為下一代高速積體電路的明星製程，然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術，而國內...
銅晶片打線接合構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Test Vehicle：Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定，並由電子所與合作廠商共同 \| 潛力預估: Filing two patents for copper chip package_x000D_，Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_，Wire bond qua...
Flip Chip CSP 設計與構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 球間距(Ball Pitch)：0.8mm BGA_x000D_；球陣列(Ball Array)：6-8 I/O_x000D_；構裝尺寸(Package Size)：6mm-9mm_x000D_；構裝... \| 潛力預估: 整個技術環節的重點，會緊扣在低構裝成本和高電氣操作性能的訴求上，以期與現存的構裝型態在市場上有一較長短的實力，同時提供台灣構裝業界實現技術升級創造競爭力的宏大目標。
Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝：接合積層基板覆晶構裝（間距：250μm、I/O接點腳數達4300），增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝（熱傳增益達30%左右） \| 潛力預估: 接合有機基板覆晶構裝：接合積層基板覆晶構裝（間距：250μm、I/O接點腳數達4300），增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝（熱傳增益達50%左右）
散熱及電性增益型之錫球陣列塑膠構裝	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: TE-PBGA (JEDEC PBGA Standard）；散熱增益 35~40%，電性電感增益 10~20%_x000D_ \| 潛力預估: 符合PBGA的標準製程_x000D_，獲得中華民國、美國、日本多國專利保護。
電腦輔助熱傳設計分析技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪（94﹪ 信賴度） \| 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包
IC及LED熱阻量測技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 依循JEDEC Standard、SEMI Standard \| 潛力預估: 主要設備，均是國內自行開發完成，價格較國外節省30%。