KVM-Based 嵌入式軟體開發環境(KVM-based Development Environment for Embedded Systems)(國立清華大學)
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文KVM-Based 嵌入式軟體開發環境(KVM-based Development Environment for Embedded Systems)(國立清華大學)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是以昇陽所提供的KVM Java 虛擬機器為基本, 潛力預估是本系統包括一簡單有效的及時編譯(JIT)功能可提升KVM的執行速度。藉由與C語言的緊密結合,本系統亦能降低整合Java 執行環境及特殊系統資源(如多核心架構)等所需的時間。.

序號3815
產出年度99
技術名稱-中文KVM-Based 嵌入式軟體開發環境(KVM-based Development Environment for Embedded Systems)(國立清華大學)
執行單位學界科專辦公室
產出單位(空)
計畫名稱學界科專計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文支援Java 執行環境已經成為現今嵌入式系統如 PDA, 手機等的重要技術指標之一,而發展能滿足嵌入式系統的效能與功率限制的Java 虛擬機器費時費力。本技術以昇陽所提供的KVM Java 虛擬機器為基本,提出一軟體開發系統,用以降低發展嵌入式Java 執行環境所需時間。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格以昇陽所提供的KVM Java 虛擬機器為基本
技術成熟度雛形
可應用範圍嵌入式系統之 JAVA執行環境及應用程式發展
潛力預估本系統包括一簡單有效的及時編譯(JIT)功能可提升KVM的執行速度。藉由與C語言的緊密結合,本系統亦能降低整合Java 執行環境及特殊系統資源(如多核心架構)等所需的時間。
聯絡人員劉晏君小姐
電話03-5742311
傳真03-5623630
電子信箱bettyliu@pllab.cs.nthu.edu.tw
參考網址http://pllab.cs.nthu.edu.tw/moeapac/
所須軟硬體設備
需具備之專業人才Java 虛擬機器, 編譯器, 系統程式

序號

3815

產出年度

99

技術名稱-中文

KVM-Based 嵌入式軟體開發環境(KVM-based Development Environment for Embedded Systems)(國立清華大學)

執行單位

學界科專辦公室

產出單位

(空)

計畫名稱

學界科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

支援Java 執行環境已經成為現今嵌入式系統如 PDA, 手機等的重要技術指標之一,而發展能滿足嵌入式系統的效能與功率限制的Java 虛擬機器費時費力。本技術以昇陽所提供的KVM Java 虛擬機器為基本,提出一軟體開發系統,用以降低發展嵌入式Java 執行環境所需時間。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

以昇陽所提供的KVM Java 虛擬機器為基本

技術成熟度

雛形

可應用範圍

嵌入式系統之 JAVA執行環境及應用程式發展

潛力預估

本系統包括一簡單有效的及時編譯(JIT)功能可提升KVM的執行速度。藉由與C語言的緊密結合,本系統亦能降低整合Java 執行環境及特殊系統資源(如多核心架構)等所需的時間。

聯絡人員

劉晏君小姐

電話

03-5742311

傳真

03-5623630

電子信箱

bettyliu@pllab.cs.nthu.edu.tw

參考網址

http://pllab.cs.nthu.edu.tw/moeapac/

所須軟硬體設備

需具備之專業人才

Java 虛擬機器, 編譯器, 系統程式

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適用於嵌入式多工數位訊號處理應用之輕量型環境切換(國立清華大學)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: Dual-Core/Many-Core | 潛力預估: 可推廣至雙核心或多核心平台設計廠商

@ 技術司可移轉技術資料集

Multihreaded Coprocessor Interface for Multi-Core Multimedia SoC(國立清華大學)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: Host Processor Interface (HPI) | 潛力預估: 可推廣至雙核心或多核心平台設計廠商

@ 技術司可移轉技術資料集

支援多核心架構之H.264解碼器(國立清華大學)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 可調式執行緒數目及跨平台技術 | 潛力預估: 可推廣至適用於數位訊號處理器廠商

@ 技術司可移轉技術資料集

Efficient DCT and IDCT techniques on PACDSP(國立清華大學)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 8x8 DCT and PACDSP | 潛力預估: 可推廣至擬使用PACDSP做DCT-based video coding or decoding之機構

@ 技術司可移轉技術資料集

PMRME(國立清華大學)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: for H.264 HDTV | 潛力預估: H.264 HDTV Codec IP Devloper

@ 技術司可移轉技術資料集

MPEG-4 object-based decoding technology for PACDSP dual-core platform(國立清華大學)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: PAC DSP MPEG-4 video | 潛力預估: 可推廣至擬使用PACDSP做MPEG-4 video decoding之機構

@ 技術司可移轉技術資料集

MPEG-4 object-based encoding technology for PACDSP dual-core platform(國立清華大學)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: PAC DSP MPEG-4 video | 潛力預估: 可推廣至擬使用PACDSP做MPEG-4 video decoding之機構

@ 技術司可移轉技術資料集

MPEG-4 frame-based decoding technology for PACDSP(國立清華大學)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: PAC DSP MPEG-4 video | 潛力預估: 可推廣至擬使用PACDSP做MPEG-4 video decoding之機構

@ 技術司可移轉技術資料集

適用於嵌入式多工數位訊號處理應用之輕量型環境切換(國立清華大學)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: Dual-Core/Many-Core | 潛力預估: 可推廣至雙核心或多核心平台設計廠商

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Multihreaded Coprocessor Interface for Multi-Core Multimedia SoC(國立清華大學)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: Host Processor Interface (HPI) | 潛力預估: 可推廣至雙核心或多核心平台設計廠商

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支援多核心架構之H.264解碼器(國立清華大學)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 可調式執行緒數目及跨平台技術 | 潛力預估: 可推廣至適用於數位訊號處理器廠商

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Efficient DCT and IDCT techniques on PACDSP(國立清華大學)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 8x8 DCT and PACDSP | 潛力預估: 可推廣至擬使用PACDSP做DCT-based video coding or decoding之機構

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PMRME(國立清華大學)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: for H.264 HDTV | 潛力預估: H.264 HDTV Codec IP Devloper

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MPEG-4 object-based decoding technology for PACDSP dual-core platform(國立清華大學)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: PAC DSP MPEG-4 video | 潛力預估: 可推廣至擬使用PACDSP做MPEG-4 video decoding之機構

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MPEG-4 object-based encoding technology for PACDSP dual-core platform(國立清華大學)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: PAC DSP MPEG-4 video | 潛力預估: 可推廣至擬使用PACDSP做MPEG-4 video decoding之機構

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MPEG-4 frame-based decoding technology for PACDSP(國立清華大學)

執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: PAC DSP MPEG-4 video | 潛力預估: 可推廣至擬使用PACDSP做MPEG-4 video decoding之機構

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多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場,極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_;2.2T1C畫素結構_x000D_;3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場,極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”;Pixel Size 90um x3x360um;Resolution VGA;Voltage Compensation_x000D_;LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場,極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳:與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳:與CMOS製程相容。

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 穩定可量產

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率,降低生產成本

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_; 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_;蝕刻垂直度 > 89度;深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um(比雷射加工50 um要小很多);深寬比可達20。

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_;Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構,本製程技術為其解決方法。

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場,極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_;2.2T1C畫素結構_x000D_;3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場,極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”;Pixel Size 90um x3x360um;Resolution VGA;Voltage Compensation_x000D_;LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場,極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳:與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳:與CMOS製程相容。

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 穩定可量產

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率,降低生產成本

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_; 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_;蝕刻垂直度 > 89度;深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um(比雷射加工50 um要小很多);深寬比可達20。

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_;Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構,本製程技術為其解決方法。

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