可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於導光板油墨
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技術名稱-中文可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於導光板油墨的執行單位是工研院材化所, 產出年度是99, 計畫名稱是精密化學材料技術及應用開發四年計畫, 技術規格是可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於導光板油墨,授權專利號:中華民國專利證號:207302, 潛力預估是彩色色膏、顏料、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印.

序號4053
產出年度99
技術名稱-中文可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於導光板油墨
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱精密化學材料技術及應用開發四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本專利提供一種可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物,其組成包括:水、顏料、可光硬化成份及反應型界面活性劑。極具有傳統網印墨取代性。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於導光板油墨,授權專利號:中華民國專利證號:207302
技術成熟度試量產
可應用範圍彩色色膏、彩色數位墨水、顏料色膏、PVC、PC、PET基材、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印。
潛力預估彩色色膏、顏料、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印
聯絡人員張信貞
電話03-5732778
傳真03-5732348
電子信箱jennychang@itri.org.tw
參考網址-
所須軟硬體設備一般合成反應器、樹脂合成設備
需具備之專業人才化工、化學或材料相關

序號

4053

產出年度

99

技術名稱-中文

可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於導光板油墨

執行單位

工研院材化所

產出單位

(空)

計畫名稱

精密化學材料技術及應用開發四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本專利提供一種可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物,其組成包括:水、顏料、可光硬化成份及反應型界面活性劑。極具有傳統網印墨取代性。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於導光板油墨,授權專利號:中華民國專利證號:207302

技術成熟度

試量產

可應用範圍

彩色色膏、彩色數位墨水、顏料色膏、PVC、PC、PET基材、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印。

潛力預估

彩色色膏、顏料、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印

聯絡人員

張信貞

電話

03-5732778

傳真

03-5732348

電子信箱

jennychang@itri.org.tw

參考網址

-

所須軟硬體設備

一般合成反應器、樹脂合成設備

需具備之專業人才

化工、化學或材料相關

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Y, M, C,K紫外線交聯顏料微粒化分散技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 顏料種類:Y, M, C, K 顏料分散粒徑(D50)≦80nm 顏料含量≧20wt% 通過安定性測試,40℃,三天 | 潛力預估: 可應用於噴印在金屬、塑膠、橡膠、陶瓷、木材等不吸墨基材。

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UV交聯型顏料微粒化分散技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 顏料分散液顏料平均粒徑(D50):洋紅、黃色、藍色≦100 nm,黑色≦120 nm‧ 顏料分散液顏料含量≧15 wt%‧ 顏料分散液黏度≦70 cps‧ 經40℃、30天後,顏料粒徑變化小於30... | 潛力預估: Non-Volatile UV curable 顏料分散沒含溶劑,黏度低、高安定分散,微粒化分散粒徑

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光硬化之彩色濾光片用數位墨水組合物

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 藉由噴墨適性及CF特性評估微調墨水配方完成色域:完成3”×3”雛型LCD-TV CF、噴印TV-CF Sub-Pixel width 87.74mm、墨水成膜透光率:YR:21.014,YG:52.... | 潛力預估: 顏料分散液可應用於高值塗料與油墨中,提升色彩品質;具高透光度及高色彩飽和度更可應用於高價值之彩色噴墨列印、texteile印刷、彩色濾光片等光電應用。

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黑色數位墨水-可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: "黑色數位墨水-可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物 授權專利號:中華民國專利證號:207302" | 潛力預估: 彩色色膏、顏料、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印

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YMCK顏料型UV交聯墨水-可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 31007 | 潛力預估: 彩色色膏、彩色數位墨水、顏料色膏、PVC、PC、PET基材、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印。

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可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於水性繪筆黑色墨水

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於水性繪筆黑色墨水,授權專利號:中華民國專利證號:207302 | 潛力預估: 彩色色膏、顏料、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印

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超微粒子分散研磨方法專利授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 超微粒子分散研磨方法專利授權,授權專利號:中華民國專利證號:198449 | 潛力預估: 電子及3C產業

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水性奈米銀分散安定化/分散液安定性量化評估技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.TEM、UV-Vis、Zeta電位等掌握金屬銀微粉表面特性 2.分散劑與分散方法篩選建立金屬銀微粉分散安定化技術 3.溶解度參數等建立系統安定性廣度(耐化性)指標/範圍 | 潛力預估: 協助廠商建立金屬銀微粉高分散安定化技術,提供分散液應用前之快速安定性驗證,減少因分散液本身不安定造成應用配製之浪費與損失;將可縮短開發時程、增加產品安定性,加速奈米粉體應用產出速度及多樣化,提升產業競...

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Y, M, C,K紫外線交聯顏料微粒化分散技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 顏料種類:Y, M, C, K 顏料分散粒徑(D50)≦80nm 顏料含量≧20wt% 通過安定性測試,40℃,三天 | 潛力預估: 可應用於噴印在金屬、塑膠、橡膠、陶瓷、木材等不吸墨基材。

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UV交聯型顏料微粒化分散技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 顏料分散液顏料平均粒徑(D50):洋紅、黃色、藍色≦100 nm,黑色≦120 nm‧ 顏料分散液顏料含量≧15 wt%‧ 顏料分散液黏度≦70 cps‧ 經40℃、30天後,顏料粒徑變化小於30... | 潛力預估: Non-Volatile UV curable 顏料分散沒含溶劑,黏度低、高安定分散,微粒化分散粒徑

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光硬化之彩色濾光片用數位墨水組合物

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 藉由噴墨適性及CF特性評估微調墨水配方完成色域:完成3”×3”雛型LCD-TV CF、噴印TV-CF Sub-Pixel width 87.74mm、墨水成膜透光率:YR:21.014,YG:52.... | 潛力預估: 顏料分散液可應用於高值塗料與油墨中,提升色彩品質;具高透光度及高色彩飽和度更可應用於高價值之彩色噴墨列印、texteile印刷、彩色濾光片等光電應用。

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黑色數位墨水-可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: "黑色數位墨水-可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物 授權專利號:中華民國專利證號:207302" | 潛力預估: 彩色色膏、顏料、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印

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YMCK顏料型UV交聯墨水-可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 31007 | 潛力預估: 彩色色膏、彩色數位墨水、顏料色膏、PVC、PC、PET基材、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印。

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可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於水性繪筆黑色墨水

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於水性繪筆黑色墨水,授權專利號:中華民國專利證號:207302 | 潛力預估: 彩色色膏、顏料、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印

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超微粒子分散研磨方法專利授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 超微粒子分散研磨方法專利授權,授權專利號:中華民國專利證號:198449 | 潛力預估: 電子及3C產業

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水性奈米銀分散安定化/分散液安定性量化評估技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.TEM、UV-Vis、Zeta電位等掌握金屬銀微粉表面特性 2.分散劑與分散方法篩選建立金屬銀微粉分散安定化技術 3.溶解度參數等建立系統安定性廣度(耐化性)指標/範圍 | 潛力預估: 協助廠商建立金屬銀微粉高分散安定化技術,提供分散液應用前之快速安定性驗證,減少因分散液本身不安定造成應用配製之浪費與損失;將可縮短開發時程、增加產品安定性,加速奈米粉體應用產出速度及多樣化,提升產業競...

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4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_;2.2T1C畫素結構_x000D_;3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場,極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”;Pixel Size 90um x3x360um;Resolution VGA;Voltage Compensation_x000D_;LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場,極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳:與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳:與CMOS製程相容。

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 穩定可量產

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率,降低生產成本

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_; 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_;蝕刻垂直度 > 89度;深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um(比雷射加工50 um要小很多);深寬比可達20。

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_;Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構,本製程技術為其解決方法。

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ;薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_;2.2T1C畫素結構_x000D_;3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場,極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”;Pixel Size 90um x3x360um;Resolution VGA;Voltage Compensation_x000D_;LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場,極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳:與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳:與CMOS製程相容。

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 穩定可量產

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率,降低生產成本

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_; 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_;蝕刻垂直度 > 89度;深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um(比雷射加工50 um要小很多);深寬比可達20。

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_;Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構,本製程技術為其解決方法。

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ;薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。

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