具有序化結構鐵鉑合金膜的磁記錄媒體及其製作方法(國立清華大學材料所)
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技術名稱-中文具有序化結構鐵鉑合金膜的磁記錄媒體及其製作方法(國立清華大學材料所)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是藉由Cu3Si的形成，引入底層應力，使鐵鉑合金之序化溫序降低至300℃，且矯頑場增加量高達250%, 潛力預估是鐵鉑合金之發展已趨成熟，但仍需與記錄媒體之結構進行整合，故仍有相當長一段路要走。.

序號	4814
產出年度	99
技術名稱-中文	具有序化結構鐵鉑合金膜的磁記錄媒體及其製作方法(國立清華大學材料所)
執行單位	學界科專辦公室
產出單位	(空)
計畫名稱	學界科專計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	鐵鉑合金擁有很高的磁晶體異向性能，被視為是下世代超高密度記錄媒體之記錄層的材料。一般鐵鉑合金需要經過高於500℃的高溫退火程序，才能顯現其磁性質。但是在經過如此高溫的熱處理後會造成晶粒成長，使得磁頭讀取信號時的雜訊增加。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	藉由Cu3Si的形成，引入底層應力，使鐵鉑合金之序化溫序降低至300℃，且矯頑場增加量高達250%
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	磁記錄媒體
潛力預估	鐵鉑合金之發展已趨成熟，但仍需與記錄媒體之結構進行整合，故仍有相當長一段路要走。
聯絡人員	賴志煌先生
電話	(03)-5715131 ex:33822
傳真	(03)-5722366
電子信箱	chlai@mx.nthu.edu.tw
參考網址	http://www.mse.nthu.edu.tw/~chlai/
所須軟硬體設備	真空濺鍍系統
需具備之專業人才	真空技術、磁性材料、材料研發與分析能力
同步更新日期	2019-07-24

序號

4814

產出年度

技術名稱-中文

具有序化結構鐵鉑合金膜的磁記錄媒體及其製作方法(國立清華大學材料所)

執行單位

學界科專辦公室

產出單位

(空)

計畫名稱

學界科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

鐵鉑合金擁有很高的磁晶體異向性能，被視為是下世代超高密度記錄媒體之記錄層的材料。一般鐵鉑合金需要經過高於500℃的高溫退火程序，才能顯現其磁性質。但是在經過如此高溫的熱處理後會造成晶粒成長，使得磁頭讀取信號時的雜訊增加。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

藉由Cu3Si的形成，引入底層應力，使鐵鉑合金之序化溫序降低至300℃，且矯頑場增加量高達250%

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

磁記錄媒體

潛力預估

鐵鉑合金之發展已趨成熟，但仍需與記錄媒體之結構進行整合，故仍有相當長一段路要走。

聯絡人員

賴志煌先生

電話

(03)-5715131 ex:33822

傳真

(03)-5722366

電子信箱

chlai@mx.nthu.edu.tw

參考網址

http://www.mse.nthu.edu.tw/~chlai/

所須軟硬體設備

真空濺鍍系統

需具備之專業人才

真空技術、磁性材料、材料研發與分析能力

同步更新日期

2019-07-24

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增加穿隧磁阻變化率的方法(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藉由離子佈植的方法，可使穿隧磁阻變化率增加至30%以上 \| 潛力預估: 隨著穿隧磁阻變化率的提升，磁性記憶體之發展已有雛型，但因整體結構與既有之記憶體差異甚大，故仍需加以改善。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
磁性記錄裝置的製造方法(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藉由離子佈植的方法，使磁性記錄層形成多數間隔排列之非磁區域區與獨立的序化區域，且有效地降低鐵鉑合金之序化溫度 \| 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
磁性記錄裝置及其製造方法(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藉由離子佈植的方法，使膜間粗糙化，藉以改善記錄層之垂直異向性與矯頑場 \| 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
垂直記錄媒體(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: Tb中間層的引入可使垂直／水平矯頑場之比例由2.2大幅增加至21.4 \| 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
垂直記錄媒體(國立清華大學材料所／和喬科技股份有限公司)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 交互耦合層造成之矯頑場下降量達15%，去磁態翻轉場下降量達17% \| 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
磁記錄媒體及其製作方法(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藉由錳鉑底層膜的引入，可使鐵鉑合金之序化溫度降至300℃，並使矯頑場增加達17% \| 潛力預估: 鐵鉑合金之發展已趨成熟，但仍需與記錄媒體之結構進行整合，故仍有相當長一段路要走。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

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4"奈米碳管場發射顯射器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 \| 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力
AMOLED畫素與驅動電路設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce \| 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力
合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。
磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: MR>50%, RA \| 潛力預估: Embedded 記憶體
相變化記憶體元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... \| 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。
微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程
無線生理訊號感測模組設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... \| 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 \| 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress \| 潛力預估: 穩定可量產
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本
微氣體感測器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 \| 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_；蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 \| 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/mi \| 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ；薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。