親水性TPU熔紡加工性評估
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文親水性TPU熔紡加工性評估的執行單位是工研院材化所, 產出年度是100, 計畫名稱是高科技纖維材料技術開發四年計畫, 技術規格是完成負壓治療用親水性TPU-based纖維基材,無細胞毒性,減少50%以上細胞貼附。, 潛力預估是無毒性、醫療用之TPU原料全球年產值約100億台幣,均由國外大廠掌控。可熔紡、無毒性TPU材料為開發醫療用TPU相關纖維織物之基本要求。此技術可協助業者進入高附加價值醫療用TPU原料生產,提升既有TPU原料技術與品質。.

序號4964
產出年度100
技術名稱-中文親水性TPU熔紡加工性評估
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱高科技纖維材料技術開發四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文建立國外商品或業者提供之親水性TPU原料評估技術,及最佳化熔紡加工參數,親水性TPU纖維強度≧1.0 g/d。完成親水性TPU纖維之生物相容性評估。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格完成負壓治療用親水性TPU-based纖維基材,無細胞毒性,減少50%以上細胞貼附。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍醫療用TPU相關纖維織物
潛力預估無毒性、醫療用之TPU原料全球年產值約100億台幣,均由國外大廠掌控。可熔紡、無毒性TPU材料為開發醫療用TPU相關纖維織物之基本要求。此技術可協助業者進入高附加價值醫療用TPU原料生產,提升既有TPU原料技術與品質。
聯絡人員陳毓華
電話03-5732858
傳真03-5732350
電子信箱YuHuaChen@itri.org.tw
參考網址http://-
所須軟硬體設備融熔紡絲機
需具備之專業人才化工及纖維相關背景
同步更新日期2019-07-24

序號

4964

產出年度

100

技術名稱-中文

親水性TPU熔紡加工性評估

執行單位

工研院材化所

產出單位

(空)

計畫名稱

高科技纖維材料技術開發四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

建立國外商品或業者提供之親水性TPU原料評估技術,及最佳化熔紡加工參數,親水性TPU纖維強度≧1.0 g/d。完成親水性TPU纖維之生物相容性評估。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

完成負壓治療用親水性TPU-based纖維基材,無細胞毒性,減少50%以上細胞貼附。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

醫療用TPU相關纖維織物

潛力預估

無毒性、醫療用之TPU原料全球年產值約100億台幣,均由國外大廠掌控。可熔紡、無毒性TPU材料為開發醫療用TPU相關纖維織物之基本要求。此技術可協助業者進入高附加價值醫療用TPU原料生產,提升既有TPU原料技術與品質。

聯絡人員

陳毓華

電話

03-5732858

傳真

03-5732350

電子信箱

YuHuaChen@itri.org.tw

參考網址

http://-

所須軟硬體設備

融熔紡絲機

需具備之專業人才

化工及纖維相關背景

同步更新日期

2019-07-24

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TPU材料紡絲與生物相容性評估

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 高科技纖維材料技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: TPU紡絲速率≧1500m/min,TPU纖維強度≧1g/d | 潛力預估: 無毒性、醫療用之TPU原料全球年產值約100億台幣,均由國外大廠掌控。可熔紡、無毒性TPU材料為開發醫療用TPU相關纖維織物之基本要求。此技術可協助業者進入高附加價值醫療用TPU原料生產,提升既有TP...

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

慢性傷口纖維敷料產品開發

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 高科技纖維材料技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 負壓操作下,TPU纖維敷料之壓差≦20mmHg,排液速率達商品之80%;TPU纖維敷料不具細胞毒性。 | 潛力預估: 負壓治療已逐漸瓜分先進濕式敷料之市場,2008年之全球市場值已達15.4億美元,九成以上由KCI公司獨占。KCI之負壓治療相關專利將於2014年後陸續到期,是國內醫療紡織業者切入之好契機。

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抗菌性水性PU之效能評估技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 高科技纖維材料技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 完成抗菌性水性塗佈於TPU負壓纖維敷料,評估其抗菌效能。抗菌效率≧95% (AATCC100,抗藥性金黃色葡萄球菌與綠膿桿菌)。 | 潛力預估: 抗菌性水性PU塗佈可提升TPU纖維敷材類產品之附加功能及市場價值;抗菌性水性PU塗佈可擴大應用於TPU導管及其他拋棄式耗材,以提升其市場價值。

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水性PU與抗菌劑相容性評估技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 高科技纖維材料技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立水性PU與銀鹽類、雙胍類、及四級銨鹽等三種抗菌劑之相容性評估平台。 | 潛力預估: 促使國內廠商具有水性PU與抗菌劑之相容性評估技術,國內廠商可以依產品需求,設計抗菌性水性PU配方。

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水性PU生醫產品表面處理應用評估技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 高科技纖維材料技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 完成不同來源PUD之物化性質、細胞毒性、及塗佈後性質分析。 | 潛力預估: 協助國內廠商進入高附加價值之水性PU生醫產品表面處理應用開發;並藉由計畫之執行引領國內廠商進入PUD相關醫療器材產業之領域。

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TPU表面抗沾黏處理技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 高科技纖維及醫護材料技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧奈米纖維過濾膜純水通量200 L/m2.h。 | 潛力預估: 本計畫利用奈米纖維3D結構且多孔隙率突破出水量過低的瓶頸,是一具有多功能性之高通量精密過濾材。

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生醫用水性PU分析技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 高科技纖維及醫護材料技術開發四年計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 完成三種水性PU市售商品之性質分析方法建立。 | 潛力預估: 協助廠商建立醫療用水性PU之分析技術,已降低原料批次不穩定之風險,提升成品之良率。

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EVOH之醫療應用性能評估

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 高科技纖維及醫護材料技術開發四年計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 完成EVOH原料/纖維織物在醫療應用之適用性評估。 | 潛力預估: 協助廠商了解EVOH纖維織物之敷料應用可行性,以及原料對γ射線滅菌之耐受性

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TPU材料紡絲與生物相容性評估

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 高科技纖維材料技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: TPU紡絲速率≧1500m/min,TPU纖維強度≧1g/d | 潛力預估: 無毒性、醫療用之TPU原料全球年產值約100億台幣,均由國外大廠掌控。可熔紡、無毒性TPU材料為開發醫療用TPU相關纖維織物之基本要求。此技術可協助業者進入高附加價值醫療用TPU原料生產,提升既有TP...

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慢性傷口纖維敷料產品開發

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 高科技纖維材料技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 負壓操作下,TPU纖維敷料之壓差≦20mmHg,排液速率達商品之80%;TPU纖維敷料不具細胞毒性。 | 潛力預估: 負壓治療已逐漸瓜分先進濕式敷料之市場,2008年之全球市場值已達15.4億美元,九成以上由KCI公司獨占。KCI之負壓治療相關專利將於2014年後陸續到期,是國內醫療紡織業者切入之好契機。

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抗菌性水性PU之效能評估技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 高科技纖維材料技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 完成抗菌性水性塗佈於TPU負壓纖維敷料,評估其抗菌效能。抗菌效率≧95% (AATCC100,抗藥性金黃色葡萄球菌與綠膿桿菌)。 | 潛力預估: 抗菌性水性PU塗佈可提升TPU纖維敷材類產品之附加功能及市場價值;抗菌性水性PU塗佈可擴大應用於TPU導管及其他拋棄式耗材,以提升其市場價值。

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水性PU與抗菌劑相容性評估技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 高科技纖維材料技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立水性PU與銀鹽類、雙胍類、及四級銨鹽等三種抗菌劑之相容性評估平台。 | 潛力預估: 促使國內廠商具有水性PU與抗菌劑之相容性評估技術,國內廠商可以依產品需求,設計抗菌性水性PU配方。

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水性PU生醫產品表面處理應用評估技術

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執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 高科技纖維及醫護材料技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧奈米纖維過濾膜純水通量200 L/m2.h。 | 潛力預估: 本計畫利用奈米纖維3D結構且多孔隙率突破出水量過低的瓶頸,是一具有多功能性之高通量精密過濾材。

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生醫用水性PU分析技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 高科技纖維及醫護材料技術開發四年計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 完成三種水性PU市售商品之性質分析方法建立。 | 潛力預估: 協助廠商建立醫療用水性PU之分析技術,已降低原料批次不穩定之風險,提升成品之良率。

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EVOH之醫療應用性能評估

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 高科技纖維及醫護材料技術開發四年計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 完成EVOH原料/纖維織物在醫療應用之適用性評估。 | 潛力預估: 協助廠商了解EVOH纖維織物之敷料應用可行性,以及原料對γ射線滅菌之耐受性

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矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_;Etching rate: 1~3um/mi | 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構,本製程技術為其解決方法。

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ;薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、桌上型電腦,筆記型電腦、主機板、消...

基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作頻段:2.4GHz;新材料(εr≧38; embedded into BT or other Substrate)與壓合製程驗證;2.4GHz 內藏被動元件的射頻模組為載具之設計量測驗證 ;內藏... | 潛力預估: 資訊電子產品的發展,為提昇效能均已朝向數位高速化、類比高頻化發展;另一方面,消費性電子產品亦走向多功能與輕、薄、短、小之趨勢,特別是可攜式無線通訊之電子產品,其硬體元件均需使用為數眾多之被動元件,依據...

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... | 潛力預估: 基板內藏被動元件,可以取代傳統SMD元件,市場上具有龐大的商業潛力,依據市場知名市調公司PRISMARK預估,西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上,商機需求逐年擴增;且係通訊產品高...

3D基板式堆疊構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_;一步成型式導通孔技術 | 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展,除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小, 提升電子產品縮小化的效率外,更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中,而以最有效益的方式,達到System in Packa...

迴路型熱管散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域:45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小);傳輸距離30 cm | 潛力預估: 以真空硬銲方式接合,外觀與強度符合所需,蒸發端與冷凝端均為平面構造,易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...

增益型晶圓級晶方尺度構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm;Pitch: 0.8mm, 1.0mm;Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_;Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design,。其結構設計,第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝,第二層之應...

銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_;Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_;UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... | 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線,銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗,尤其當線寬愈來愈窄的時候,其對高頻的影響愈來愈大,被視為下一代高速積體電路的明星製程,然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術,而國內...

銅晶片打線接合構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Test Vehicle:Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定,並由電子所與合作廠商共同 | 潛力預估: Filing two patents for copper chip package_x000D_,Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_,Wire bond qua...

Flip Chip CSP 設計與構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 球間距(Ball Pitch):0.8mm BGA_x000D_;球陣列(Ball Array):6-8 I/O_x000D_;構裝尺寸(Package Size):6mm-9mm_x000D_;構裝... | 潛力預估: 整個技術環節的重點,會緊扣在低構裝成本和高電氣操作性能的訴求上,以期與現存的構裝型態在市場上有一較長短的實力,同時提供台灣構裝業界實現技術升級創造競爭力的宏大目標。

Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達30%左右) | 潛力預估: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達50%左右)

散熱及電性增益型之錫球陣列塑膠構裝

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: TE-PBGA (JEDEC PBGA Standard);散熱增益 35~40%,電性電感增益 10~20%_x000D_ | 潛力預估: 符合PBGA的標準製程_x000D_,獲得中華民國、美國、日本多國專利保護。

電腦輔助熱傳設計分析技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪(94﹪ 信賴度) | 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_;Etching rate: 1~3um/mi | 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構,本製程技術為其解決方法。

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ;薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、桌上型電腦,筆記型電腦、主機板、消...

基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作頻段:2.4GHz;新材料(εr≧38; embedded into BT or other Substrate)與壓合製程驗證;2.4GHz 內藏被動元件的射頻模組為載具之設計量測驗證 ;內藏... | 潛力預估: 資訊電子產品的發展,為提昇效能均已朝向數位高速化、類比高頻化發展;另一方面,消費性電子產品亦走向多功能與輕、薄、短、小之趨勢,特別是可攜式無線通訊之電子產品,其硬體元件均需使用為數眾多之被動元件,依據...

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... | 潛力預估: 基板內藏被動元件,可以取代傳統SMD元件,市場上具有龐大的商業潛力,依據市場知名市調公司PRISMARK預估,西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上,商機需求逐年擴增;且係通訊產品高...

3D基板式堆疊構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_;一步成型式導通孔技術 | 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展,除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小, 提升電子產品縮小化的效率外,更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中,而以最有效益的方式,達到System in Packa...

迴路型熱管散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域:45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小);傳輸距離30 cm | 潛力預估: 以真空硬銲方式接合,外觀與強度符合所需,蒸發端與冷凝端均為平面構造,易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...

增益型晶圓級晶方尺度構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm;Pitch: 0.8mm, 1.0mm;Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_;Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design,。其結構設計,第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝,第二層之應...

銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_;Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_;UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... | 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線,銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗,尤其當線寬愈來愈窄的時候,其對高頻的影響愈來愈大,被視為下一代高速積體電路的明星製程,然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術,而國內...

銅晶片打線接合構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Test Vehicle:Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定,並由電子所與合作廠商共同 | 潛力預估: Filing two patents for copper chip package_x000D_,Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_,Wire bond qua...

Flip Chip CSP 設計與構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 球間距(Ball Pitch):0.8mm BGA_x000D_;球陣列(Ball Array):6-8 I/O_x000D_;構裝尺寸(Package Size):6mm-9mm_x000D_;構裝... | 潛力預估: 整個技術環節的重點,會緊扣在低構裝成本和高電氣操作性能的訴求上,以期與現存的構裝型態在市場上有一較長短的實力,同時提供台灣構裝業界實現技術升級創造競爭力的宏大目標。

Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達30%左右) | 潛力預估: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達50%左右)

散熱及電性增益型之錫球陣列塑膠構裝

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: TE-PBGA (JEDEC PBGA Standard);散熱增益 35~40%,電性電感增益 10~20%_x000D_ | 潛力預估: 符合PBGA的標準製程_x000D_,獲得中華民國、美國、日本多國專利保護。

電腦輔助熱傳設計分析技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪(94﹪ 信賴度) | 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包

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