WiMAX系統方案技術
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文WiMAX系統方案技術的執行單位是資策會, 產出年度是100, 產出單位是資策會, 計畫名稱是無線寬頻通訊技術與應用計畫, 領域是通訊與光電, 技術規格是1.符合WiMAX Forum NWG 1.2 標準規範 2.提供 Profile C之ASN Gateway 3.提供Network entry、MS-Initiated Handover之功能 4.支援與國內WiMAX基站系統之R3、R6介面互通 5.支援All-IP Network, 潛力預估是國內WiMAX網路系統產業鏈可因此計畫成果,建立自主End to End系統,並節省研發時間與費用,建立WiMAX網路系統技術與增加產品掌握度與特殊應用彈性,有利進入國際運營商之產品供應鏈。.

序號5115
產出年度100
技術名稱-中文WiMAX系統方案技術
執行單位資策會
產出單位資策會
計畫名稱無線寬頻通訊技術與應用計畫
領域通訊與光電
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文目前WiMAX台灣廠商已具備終端設備及微型基地台製造能力,因此奠定發展系統整合輸出能力基礎,若能發展國產存取服務網路閘道器(ASN-GW),運用國內充沛的WiMAX資源,強化國內系統整合能力,並發展無線寬頻應用服務,掌握新興國家也積極投入WiMAX無線寬頻服務建置的機會,推出自有的End-to-End Solution,WiMAX產業將可以由設備的輸出擴展為WiMAX系統與服務的輸出,實現台灣成為「一站購足WiMAX產業發展中心」的願景。
技術現況敘述-英文The capability of the WiMAX manufacturers from Taiwan to produce terminal equipment and micro cells serves as the foundation to export turn-in systems. If we develop products such as ASN-GW (access-service-network gateways) by utilizing the rich resources in WiMAX at home, we can enhance the capability of the Taiwanese players in system integration and WiMAX applications and services. As emerging markets are deploying WiMAX broadband services by launching their own end-to-end solutions, the Taiwanese WiMAX industry can expand their footprint from the export of equipment to the offering of WiMAX systems and services. The vision is to make Taiwan the one-stop shop for WiMAX hardware, software and services.
技術規格1.符合WiMAX Forum NWG 1.2 標準規範 2.提供 Profile C之ASN Gateway 3.提供Network entry、MS-Initiated Handover之功能 4.支援與國內WiMAX基站系統之R3、R6介面互通 5.支援All-IP Network
技術成熟度雛型
可應用範圍1.WiMAX網路系統 2.高速無線系統
潛力預估國內WiMAX網路系統產業鏈可因此計畫成果,建立自主End to End系統,並節省研發時間與費用,建立WiMAX網路系統技術與增加產品掌握度與特殊應用彈性,有利進入國際運營商之產品供應鏈。
聯絡人員資策會洪文堅主任
電話02-66073801
傳真02-66073507
電子信箱jelly@iii.org.tw
參考網址http://www.iii.org.tw
所須軟硬體設備1.網路伺服器硬體 2.網路交換器 3.WiMAX網路設備
需具備之專業人才此技術需具備Linux核心系統、無線/有線寬頻網路通訊協定(包含WiMAX網路系統、WiMAX IP網路協定、SNMP通訊協定技術等)之專業知識和實作經驗。
同步更新日期2024-09-03

序號

5115

產出年度

100

技術名稱-中文

WiMAX系統方案技術

執行單位

資策會

產出單位

資策會

計畫名稱

無線寬頻通訊技術與應用計畫

領域

通訊與光電

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

目前WiMAX台灣廠商已具備終端設備及微型基地台製造能力,因此奠定發展系統整合輸出能力基礎,若能發展國產存取服務網路閘道器(ASN-GW),運用國內充沛的WiMAX資源,強化國內系統整合能力,並發展無線寬頻應用服務,掌握新興國家也積極投入WiMAX無線寬頻服務建置的機會,推出自有的End-to-End Solution,WiMAX產業將可以由設備的輸出擴展為WiMAX系統與服務的輸出,實現台灣成為「一站購足WiMAX產業發展中心」的願景。

技術現況敘述-英文

The capability of the WiMAX manufacturers from Taiwan to produce terminal equipment and micro cells serves as the foundation to export turn-in systems. If we develop products such as ASN-GW (access-service-network gateways) by utilizing the rich resources in WiMAX at home, we can enhance the capability of the Taiwanese players in system integration and WiMAX applications and services. As emerging markets are deploying WiMAX broadband services by launching their own end-to-end solutions, the Taiwanese WiMAX industry can expand their footprint from the export of equipment to the offering of WiMAX systems and services. The vision is to make Taiwan the one-stop shop for WiMAX hardware, software and services.

技術規格

1.符合WiMAX Forum NWG 1.2 標準規範 2.提供 Profile C之ASN Gateway 3.提供Network entry、MS-Initiated Handover之功能 4.支援與國內WiMAX基站系統之R3、R6介面互通 5.支援All-IP Network

技術成熟度

雛型

可應用範圍

1.WiMAX網路系統 2.高速無線系統

潛力預估

國內WiMAX網路系統產業鏈可因此計畫成果,建立自主End to End系統,並節省研發時間與費用,建立WiMAX網路系統技術與增加產品掌握度與特殊應用彈性,有利進入國際運營商之產品供應鏈。

聯絡人員

資策會洪文堅主任

電話

02-66073801

傳真

02-66073507

電子信箱

jelly@iii.org.tw

參考網址

http://www.iii.org.tw

所須軟硬體設備

1.網路伺服器硬體 2.網路交換器 3.WiMAX網路設備

需具備之專業人才

此技術需具備Linux核心系統、無線/有線寬頻網路通訊協定(包含WiMAX網路系統、WiMAX IP網路協定、SNMP通訊協定技術等)之專業知識和實作經驗。

同步更新日期

2024-09-03

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活動類型: 課程 | 付費方式: 收費 | 開始時間: 2023-02-11 09:00:00 | 結束時間: 2023-05-06 16:00:00 | 地區縣市: 新竹市 | 活動地點: 新竹縣新豐鄉新興路1號 | 地點名稱: 明新科技大學

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【台中場】薪資管理師認證班

活動類型: 課程 | 付費方式: 收費 | 開始時間: 2023-03-18 09:00:00 | 結束時間: 2023-05-27 16:00:00 | 地區縣市: 臺中市 | 活動地點: 台中市西屯區台灣大道四段1727號 | 地點名稱: 東海大學推廣部

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【台中場】薪資管理師認證班

活動類型: 課程 | 付費方式: 收費 | 開始時間: 2023-05-06 09:00:00 | 結束時間: 2023-07-08 16:00:00 | 地區縣市: 臺中市 | 活動地點: 台中市西屯區台灣大道四段1727號 | 地點名稱: 東海大學推廣部

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活動類型: 課程 | 付費方式: 收費 | 開始時間: 2023-02-12 09:00:00 | 結束時間: 2023-05-07 16:00:00 | 地區縣市: 臺北市 | 活動地點: 台北市大安區建國南路二段231號 | 地點名稱: 中國文化大學建國分部

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林文傑

主要專長: 新事業規劃, 品牌行銷策略, 商業模式, 商業合作 | 所在地: 新北市 | 現職: 梅迪奇資產管理股份有限公司/負責人 | 主要經歷: 台灣發行量最大周刊,商業周刊數據商業中心/經理台灣最大計程車隊,台灣大車隊(股)新商模部/資深經理台灣最大汽車芳香劑代工廠,睿澤企業(股)/行銷暨總經理特助台灣3C通路龍頭,燦坤實業(股)/網銷暨行銷...

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林文傑

主要專長: 新事業規劃, 品牌行銷策略, 商業模式, 商業合作 | 所在地: 新北市 | 現職: 梅迪奇資產管理股份有限公司/負責人 | 主要經歷: 台灣發行量最大周刊,商業周刊數據商業中心/經理台灣最大計程車隊,台灣大車隊(股)新商模部/資深經理台灣最大汽車芳香劑代工廠,睿澤企業(股)/行銷暨總經理特助台灣3C通路龍頭,燦坤實業(股)/網銷暨行銷...

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IMT-Advanced基礎關鍵協定技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合3GPP R8 Nomadic RRC/PDCP/RLC/MAC/PHY Protocol規範。 2.符合3GPP E-RAB Management Protocol規範。 3.符合3GPP ... | 潛力預估: 1.建立 WiMAX 自主系統技術能量與產業策略,由 16d、16e wave1、延伸至 16e wave2、16j、NWG 1.5 及 16m。 2.建立IMT-Advanced 自主關鍵系統技術能...

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FemtoCell安全與管理技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合Broadband Forum之管理通訊協定標準規範。 2.符合Broadband Forum之TR-196 Data Model規範for FemtoCell Home NodeB。 3.符... | 潛力預估: Femto管理技術可協助國內CPE廠商持續保有競爭力。

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WiMAX系統整合與測試技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合IEEE802.16e規範。 2.符合WiMAX Forum NWG 1.5基本規格。 | 潛力預估: 開發WCDMA測試案例及提供測試Solution,協助手機與晶片廠商取得測試認證,提供測試案例至晶片公司,協助其推出3G晶片產品。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

FemtoCell整合與驗證技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.依循NWG 1.6 所制定的 R6+ 標準規範。 2.相容於過去開發的 PicoBS 技術的換手系統。 3.CSG/OSG 管理機制。 4.符合3GPP Iuh規範。 5.符合3GPP R5 (H... | 潛力預估: 可搭配國內CPE廠商提供Femtocell、Set To Box與數位相框或看板廣告管控能力,促使廠商解法更為完整。

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4G系統模擬平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 符合3GPP LTE-Advanced技術標準 | 潛力預估: 投入國際通訊標準提案,以取得國際 IPR 交互授權之有利地位。

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IMT-Advanced 16m基礎關鍵協定技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 100 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合IMT-Advanced 16m技術規範 2.符合WiMAX Forum NWG標準規範 | 潛力預估: 此技術包裝為Linux作業系統之模組,與基地台實體層晶片獨立發展,在不增加軟體開發成本的同時,可迅速移植至不同廠牌之基地台實體層晶片系統,大幅增加產品之附加價值。並可配合其他WiMAX IP Netw...

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WiMAX Femtocell Field Trial技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 100 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合802.16e WiMAX網路架構 2.符合WiMAX Forum NWG Femtocell網路架構 3.符合WiMAX Forum NWG Femtocell協定技術 4.相容於商用Fem... | 潛力預估: 國內WiMAX網路系統產業鏈可因此計畫成果,建立自主Femtocell系統,並節省研發時間與費用,建立WiMAX網路系統實測技術與驗證能力,有利推廣產品設備與解決方案

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WiMAX Femtocell Gateway技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 100 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.依循WiMAX Forum NWG標準規範透過訊息取得Fmeotcell Gateway相關註冊資訊 2.具備AAA代理伺服器功能 3.相容於802.16e WiMAX網路 | 潛力預估: 國內WiMAX網路系統產業鏈可因此計畫成果,建立自主Femtocell系統,並節省研發時間與費用,建立WiMAX網路系統技術與增加產品掌握度與特殊應用彈性,有利推廣產品。

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IMT-Advanced基礎關鍵協定技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合3GPP R8 Nomadic RRC/PDCP/RLC/MAC/PHY Protocol規範。 2.符合3GPP E-RAB Management Protocol規範。 3.符合3GPP ... | 潛力預估: 1.建立 WiMAX 自主系統技術能量與產業策略,由 16d、16e wave1、延伸至 16e wave2、16j、NWG 1.5 及 16m。 2.建立IMT-Advanced 自主關鍵系統技術能...

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FemtoCell安全與管理技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合Broadband Forum之管理通訊協定標準規範。 2.符合Broadband Forum之TR-196 Data Model規範for FemtoCell Home NodeB。 3.符... | 潛力預估: Femto管理技術可協助國內CPE廠商持續保有競爭力。

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WiMAX系統整合與測試技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合IEEE802.16e規範。 2.符合WiMAX Forum NWG 1.5基本規格。 | 潛力預估: 開發WCDMA測試案例及提供測試Solution,協助手機與晶片廠商取得測試認證,提供測試案例至晶片公司,協助其推出3G晶片產品。

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FemtoCell整合與驗證技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.依循NWG 1.6 所制定的 R6+ 標準規範。 2.相容於過去開發的 PicoBS 技術的換手系統。 3.CSG/OSG 管理機制。 4.符合3GPP Iuh規範。 5.符合3GPP R5 (H... | 潛力預估: 可搭配國內CPE廠商提供Femtocell、Set To Box與數位相框或看板廣告管控能力,促使廠商解法更為完整。

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4G系統模擬平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 符合3GPP LTE-Advanced技術標準 | 潛力預估: 投入國際通訊標準提案,以取得國際 IPR 交互授權之有利地位。

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IMT-Advanced 16m基礎關鍵協定技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 100 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合IMT-Advanced 16m技術規範 2.符合WiMAX Forum NWG標準規範 | 潛力預估: 此技術包裝為Linux作業系統之模組,與基地台實體層晶片獨立發展,在不增加軟體開發成本的同時,可迅速移植至不同廠牌之基地台實體層晶片系統,大幅增加產品之附加價值。並可配合其他WiMAX IP Netw...

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WiMAX Femtocell Field Trial技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 100 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合802.16e WiMAX網路架構 2.符合WiMAX Forum NWG Femtocell網路架構 3.符合WiMAX Forum NWG Femtocell協定技術 4.相容於商用Fem... | 潛力預估: 國內WiMAX網路系統產業鏈可因此計畫成果,建立自主Femtocell系統,並節省研發時間與費用,建立WiMAX網路系統實測技術與驗證能力,有利推廣產品設備與解決方案

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WiMAX Femtocell Gateway技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 100 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.依循WiMAX Forum NWG標準規範透過訊息取得Fmeotcell Gateway相關註冊資訊 2.具備AAA代理伺服器功能 3.相容於802.16e WiMAX網路 | 潛力預估: 國內WiMAX網路系統產業鏈可因此計畫成果,建立自主Femtocell系統,並節省研發時間與費用,建立WiMAX網路系統技術與增加產品掌握度與特殊應用彈性,有利推廣產品。

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LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。

具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用

軟性液晶顯示器連續式製程開發

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術

直接沈積多晶矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術,元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜,除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞, 又可以節省大量的結晶設備成本,而得到高效能之元件特性,實為一兩全其美之方法,因本技術成果極具吸引力,可望吸引...

20" 奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度<±15% | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分,現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度<35°C。 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本,背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力,與現有CCFL...

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□ 2. 介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V/... | 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源,可先期驗證新材料之適用性,取代目前材料受限於單一廠商之獨占性,協助新技術中關鍵材料之驗證,以取得未來技術蓬勃發展時之商機。

OTFT device development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,如開發完成,未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。

OTFT OLED development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage<10V、軟性塑膠基板 | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質,預期有互補性且製程相通,開發完成後,可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化,增加市場競爭力

電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中

LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。

具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用

軟性液晶顯示器連續式製程開發

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術

直接沈積多晶矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術,元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜,除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞, 又可以節省大量的結晶設備成本,而得到高效能之元件特性,實為一兩全其美之方法,因本技術成果極具吸引力,可望吸引...

20" 奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度<±15% | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分,現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度<35°C。 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本,背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力,與現有CCFL...

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□ 2. 介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V/... | 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源,可先期驗證新材料之適用性,取代目前材料受限於單一廠商之獨占性,協助新技術中關鍵材料之驗證,以取得未來技術蓬勃發展時之商機。

OTFT device development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,如開發完成,未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。

OTFT OLED development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage<10V、軟性塑膠基板 | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質,預期有互補性且製程相通,開發完成後,可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化,增加市場競爭力

電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中

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