TiO2 Rutile奈米結晶溶膠製備技術
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文TiO2 Rutile奈米結晶溶膠製備技術的執行單位是中科院材料所, 產出年度是102, 計畫名稱是奈米材料及製程技術發展第二期計畫, 技術規格是用於室內奈米觸媒塗料,具空氣清淨功效,其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.005(min×WL×gcat)-1。, 潛力預估是用於廢氣處理觸媒製備用材料,增加廢氣處理能力,降低廢氣處理溫度。.

序號6081
產出年度102
技術名稱-中文TiO2 Rutile奈米結晶溶膠製備技術
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱奈米材料及製程技術發展第二期計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文奈米TiO2 Rutile溶膠製備,粒徑<40 nm,進行光觸媒功能測試,具有可見光光觸媒乙酸丁酯分解效率。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格用於室內奈米觸媒塗料,具空氣清淨功效,其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.005(min×WL×gcat)-1。
技術成熟度試量產
可應用範圍具可見光光觸媒功能,用於室內奈米觸媒塗料,具空氣清淨功效。
潛力預估用於廢氣處理觸媒製備用材料,增加廢氣處理能力,降低廢氣處理溫度。
聯絡人員王偉洪
電話03-4712201#358267
傳真03-4458233 四所四組王偉洪
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址http://na
所須軟硬體設備奈米結晶半導體溶膠製備、量測、鍍膜、產品製作及觸媒功能測試設備
需具備之專業人才化學、觸媒、化工

序號

6081

產出年度

102

技術名稱-中文

TiO2 Rutile奈米結晶溶膠製備技術

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米材料及製程技術發展第二期計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

奈米TiO2 Rutile溶膠製備,粒徑<40 nm,進行光觸媒功能測試,具有可見光光觸媒乙酸丁酯分解效率。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

用於室內奈米觸媒塗料,具空氣清淨功效,其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.005(min×WL×gcat)-1。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

具可見光光觸媒功能,用於室內奈米觸媒塗料,具空氣清淨功效。

潛力預估

用於廢氣處理觸媒製備用材料,增加廢氣處理能力,降低廢氣處理溫度。

聯絡人員

王偉洪

電話

03-4712201#358267

傳真

03-4458233 四所四組王偉洪

電子信箱

csist@csistdup.org.tw

參考網址

http://na

所須軟硬體設備

奈米結晶半導體溶膠製備、量測、鍍膜、產品製作及觸媒功能測試設備

需具備之專業人才

化學、觸媒、化工

根據名稱 TiO2 Rutile奈米結晶溶膠製備技術 找到的相關資料

(以下顯示 2 筆) (或要:直接搜尋所有 TiO2 Rutile奈米結晶溶膠製備技術 ...)

TiO2 Rutile奈米結晶溶膠製備技術。

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 用於室內奈米觸媒塗料,具空氣清淨功效,其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.005(min×WL×gcat)-1。 | 潛力預估: 用於廢氣處理觸媒製備用材料,增加廢氣處理能力,降低廢氣處理溫度。

@ 技術司可移轉技術資料集

TiO2 Rutile奈米結晶溶膠製備技術。

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 用於室內奈米觸媒塗料,具空氣清淨功效,其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.005(min×WL×gcat)-1。 | 潛力預估: 用於廢氣處理觸媒製備用材料,增加廢氣處理能力,降低廢氣處理溫度。

@ 技術司可移轉技術資料集

TiO2 Rutile奈米結晶溶膠製備技術。

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 用於室內奈米觸媒塗料,具空氣清淨功效,其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.005(min×WL×gcat)-1。 | 潛力預估: 用於廢氣處理觸媒製備用材料,增加廢氣處理能力,降低廢氣處理溫度。

@ 技術司可移轉技術資料集

TiO2 Rutile奈米結晶溶膠製備技術。

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 用於室內奈米觸媒塗料,具空氣清淨功效,其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.005(min×WL×gcat)-1。 | 潛力預估: 用於廢氣處理觸媒製備用材料,增加廢氣處理能力,降低廢氣處理溫度。

@ 技術司可移轉技術資料集

[ 搜尋所有 TiO2 Rutile奈米結晶溶膠製備技術 ... ]

根據電話 03-4712201 358267 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-4712201 358267 ...)

奈米撥水自潔雷達天線設施製法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 發明第I430959號 | 專利期間起: 120/11/30 | 專利期間訖: 本發明為建立一光觸媒撥水材料,應用於雷達天線自潔功能,以提升天線之效能與耐用性。 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 專利發明人: 王偉洪、姚錦富、邱智謀

@ 技術司專利資料集

SiO2混成溶膠低折射率鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜折射率≦1.35,單層雙面抗反射鍍膜玻璃,最低反射率<2.0%,鍍膜硬度率≧3H。 | 潛力預估: 開發具抗反射鍍膜玻璃之平面電視螢幕、手機、PDA及太陽能板,預估未來市場具10億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

TiO2混成溶膠高折射率鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜折射率≧1.70,單面高折射率鍍膜,消除透明導電觸控線路影像,提高觸控面板品質,鍍膜硬度率≧H。 | 潛力預估: 開發平面電視螢幕、手機、PDA觸控螢幕背光光學鍍膜,預估市場具1億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達kΩ/□等級,雙面ATO鍍膜玻璃,可降低熱幅射穿透率≧50%,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA,預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業,預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業,預估市場具1億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

Fe2O3/TiO2、Ce2O3/TiO2 混成溶膠紫外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 單層雙面鍍膜玻璃,紫外線吸收率可達70%,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發紫外線吸收鍍膜玻璃,用於建築玻璃及汽車玻璃,預估市場具1億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠可見光吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 獲得SiO2/TiO2比例為0/1、1/3、2/2、3/1、1/0之奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠,進行玻璃單層雙面鍍膜,獲得透明彩色鍍膜玻璃,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發奈米金透明彩色鍍膜玻璃,用於觸控面板具抗菌功能,預估市場具2億年產值。用於建築玻璃及汽車玻璃,預估市場具1億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

奈米Sn doped In2O3混成溶膠透明微波吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達100 Ω/□等級,微波吸收率>50%,鍍膜硬度率≧3H。 | 潛力預估: 開發透明微波吸收鍍膜玻璃,用於手機觸控面板,預估市場具2億年產值。開發建築玻璃及汽車玻璃隔熱及抗微波,預估市場具2億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

WO3奈米結晶溶膠製備技術。

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 用於室內奈米觸媒塗料,具空氣清淨功效,其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.003(min×WL×gcat)-1。 | 潛力預估: 用於廢氣處理觸媒製備用材料,增加廢氣處理能力,降低廢氣處理溫度。

@ 技術司可移轉技術資料集

奈米撥水自潔雷達天線設施製法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 發明第I430959號 | 專利期間起: 120/11/30 | 專利期間訖: 本發明為建立一光觸媒撥水材料,應用於雷達天線自潔功能,以提升天線之效能與耐用性。 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 專利發明人: 王偉洪、姚錦富、邱智謀

@ 技術司專利資料集

SiO2混成溶膠低折射率鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜折射率≦1.35,單層雙面抗反射鍍膜玻璃,最低反射率<2.0%,鍍膜硬度率≧3H。 | 潛力預估: 開發具抗反射鍍膜玻璃之平面電視螢幕、手機、PDA及太陽能板,預估未來市場具10億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

TiO2混成溶膠高折射率鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜折射率≧1.70,單面高折射率鍍膜,消除透明導電觸控線路影像,提高觸控面板品質,鍍膜硬度率≧H。 | 潛力預估: 開發平面電視螢幕、手機、PDA觸控螢幕背光光學鍍膜,預估市場具1億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達kΩ/□等級,雙面ATO鍍膜玻璃,可降低熱幅射穿透率≧50%,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA,預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業,預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業,預估市場具1億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

Fe2O3/TiO2、Ce2O3/TiO2 混成溶膠紫外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 單層雙面鍍膜玻璃,紫外線吸收率可達70%,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發紫外線吸收鍍膜玻璃,用於建築玻璃及汽車玻璃,預估市場具1億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠可見光吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 獲得SiO2/TiO2比例為0/1、1/3、2/2、3/1、1/0之奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠,進行玻璃單層雙面鍍膜,獲得透明彩色鍍膜玻璃,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發奈米金透明彩色鍍膜玻璃,用於觸控面板具抗菌功能,預估市場具2億年產值。用於建築玻璃及汽車玻璃,預估市場具1億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

奈米Sn doped In2O3混成溶膠透明微波吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達100 Ω/□等級,微波吸收率>50%,鍍膜硬度率≧3H。 | 潛力預估: 開發透明微波吸收鍍膜玻璃,用於手機觸控面板,預估市場具2億年產值。開發建築玻璃及汽車玻璃隔熱及抗微波,預估市場具2億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

WO3奈米結晶溶膠製備技術。

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 用於室內奈米觸媒塗料,具空氣清淨功效,其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.003(min×WL×gcat)-1。 | 潛力預估: 用於廢氣處理觸媒製備用材料,增加廢氣處理能力,降低廢氣處理溫度。

@ 技術司可移轉技術資料集

[ 搜尋所有 03-4712201 358267 ... ]

在『技術司可移轉技術資料集』資料集內搜尋:


與TiO2 Rutile奈米結晶溶膠製備技術同分類的技術司可移轉技術資料集

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳:與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳:與CMOS製程相容。

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 穩定可量產

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率,降低生產成本

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_; 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_;蝕刻垂直度 > 89度;深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um(比雷射加工50 um要小很多);深寬比可達20。

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_;Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構,本製程技術為其解決方法。

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ;薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、桌上型電腦,筆記型電腦、主機板、消...

基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作頻段:2.4GHz;新材料(εr≧38 | 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳:與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳:與CMOS製程相容。

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 穩定可量產

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率,降低生產成本

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_; 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_;蝕刻垂直度 > 89度;深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um(比雷射加工50 um要小很多);深寬比可達20。

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_;Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構,本製程技術為其解決方法。

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ;薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、桌上型電腦,筆記型電腦、主機板、消...

基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作頻段:2.4GHz;新材料(εr≧38 | 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等

 |