耐磨耗樹脂材料與應用技術
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技術名稱-中文耐磨耗樹脂材料與應用技術的執行單位是工研院南分院, 產出年度是102, 計畫名稱是南部新興產業發展關鍵技術計畫, 技術規格是原料:採用非異氰酸酯綠色環保原料,密著性:5B,表面硬度:≧4H,自修復率:≧85%。, 潛力預估是主要合作廠商為樹脂工業製造業者、汽車或腳踏車製造業者。.

序號6439
產出年度102
技術名稱-中文耐磨耗樹脂材料與應用技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱南部新興產業發展關鍵技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術藉由分子結構設計與交鏈反應控制技術,開發耐磨耗樹脂材料。此材料可應用於金屬與塑膠製品表面保護塗層,比傳統聚氨酯(PU)具有更佳的硬度、耐刮、耐化學品、耐水解和耐候等優勢,且具自修復功能,可維持製品平整亮麗外觀。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格原料:採用非異氰酸酯綠色環保原料,密著性:5B,表面硬度:≧4H,自修復率:≧85%。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍金屬產業、運輸產業、建築、消費性電子產品。
潛力預估主要合作廠商為樹脂工業製造業者、汽車或腳踏車製造業者。
聯絡人員蔡岳峰
電話06-3847451
傳真06-3847385
電子信箱Steven.Tsai@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/is/p3.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&nodeid=0720
所須軟硬體設備樹脂反應槽。
需具備之專業人才化工、材料、高分子相關背景。

序號

6439

產出年度

102

技術名稱-中文

耐磨耗樹脂材料與應用技術

執行單位

工研院南分院

產出單位

(空)

計畫名稱

南部新興產業發展關鍵技術計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本技術藉由分子結構設計與交鏈反應控制技術,開發耐磨耗樹脂材料。此材料可應用於金屬與塑膠製品表面保護塗層,比傳統聚氨酯(PU)具有更佳的硬度、耐刮、耐化學品、耐水解和耐候等優勢,且具自修復功能,可維持製品平整亮麗外觀。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

原料:採用非異氰酸酯綠色環保原料,密著性:5B,表面硬度:≧4H,自修復率:≧85%。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

金屬產業、運輸產業、建築、消費性電子產品。

潛力預估

主要合作廠商為樹脂工業製造業者、汽車或腳踏車製造業者。

聯絡人員

蔡岳峰

電話

06-3847451

傳真

06-3847385

電子信箱

Steven.Tsai@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw/chi/is/p3.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&nodeid=0720

所須軟硬體設備

樹脂反應槽。

需具備之專業人才

化工、材料、高分子相關背景。

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耐溫耐蝕合金材料設計及製程技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值化金屬材料暨製造技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: –合金成份符合ASTM B805-06之規範 –抗拉強度>965MPa ;降伏強度>758MPa ;伸長率>18%。 –腐蝕速率 750MPa(600°C) ;高溫降伏強度> 600MPa(600°C... | 潛力預估: 可支援全台開發相當於?產250萬噸煤產?之地熱能源,有益於能源開發應用之多元化與自主性,也可應用於需耐溫之引擎排氣端車用扣件。預計可促進產業投資達NT$0.5億元以上,創造產值1億元以上。

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非異氰酸酯材氨酯材料合成技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 抗拉伸強度=8~45MPa,最大延伸率=11~191%,硬度=95~99/65~81 (shore A/D),Pot life = 0.5~4 hrs。 | 潛力預估: 主要合作廠商為塑膠工業廠商、化學塗料業者,可應用於各類電子材料、噴塗材料等產品。

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低熱膨脹係數塑膠基材開發與加工技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸安定溫度:>135℃,透光度:>89%,熱膨脹係數: | 潛力預估: 主要合作廠商為印刷電子業、塑膠製造業者、光學薄膜廠商、面板廠商。

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AM用之高硬度高耐磨耗碳化鎢-結合金屬複合粉體

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 密度>13.5(g/cm3) 硬度(HRA)>90 硬度(Hv)>1480 抗折力>350(kgf/mm2) | 潛力預估: AM技術可生產複雜度高、不易加工之刀具/模具/零件,擴增碳化鎢產品之應用領域

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低毒性耐磨耗樹脂材料開發

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 經紫外光照射後3分鐘內完成非異氰酸聚氨酯塗料硬化: 表面硬度>4H;密著性達5B;光澤(60°) >85% ;自修復率≧90%。 | 潛力預估: 主要合作廠商如樹脂工業製造業者、汽車或腳踏車製造業者,可應用於汽車、腳踏車烤漆外之簡易噴塗。

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UV光固化非異氰酸酯材氨酯合成技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 黏度可調1000~50,000 (CPS/25℃); 表面硬度≧50(Shore D); 附著力>4B (百格試驗); 泡水測試:常溫4hr,不脫落、無白霧、無水漬。 超音波測試:以超音波振盪機進行振... | 潛力預估: 主要合作廠商如塑膠工業廠商、化學塗料業者,可應用於各類電子材料、噴塗材料等產品。

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奈米鑽石表面改質接枝高分子刷技術-具石墨結構奈米鑽石表面改質及摻混於潤滑油技術授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 化工產業高值化技術與應用發展計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 超分散奈米鑽石經過球磨並同時表面接枝高分子刷,可溶於潤滑油或油脂,應用於車輛、各類機械加工或是機械元件等,添加100~200ppm達到減磨、降溫、節能效果。 | 潛力預估: 試量產

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耐溫耐蝕合金材料設計及製程技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值化金屬材料暨製造技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: –合金成份符合ASTM B805-06之規範 –抗拉強度>965MPa ;降伏強度>758MPa ;伸長率>18%。 –腐蝕速率 750MPa(600°C) ;高溫降伏強度> 600MPa(600°C... | 潛力預估: 可支援全台開發相當於?產250萬噸煤產?之地熱能源,有益於能源開發應用之多元化與自主性,也可應用於需耐溫之引擎排氣端車用扣件。預計可促進產業投資達NT$0.5億元以上,創造產值1億元以上。

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非異氰酸酯材氨酯材料合成技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 抗拉伸強度=8~45MPa,最大延伸率=11~191%,硬度=95~99/65~81 (shore A/D),Pot life = 0.5~4 hrs。 | 潛力預估: 主要合作廠商為塑膠工業廠商、化學塗料業者,可應用於各類電子材料、噴塗材料等產品。

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低熱膨脹係數塑膠基材開發與加工技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸安定溫度:>135℃,透光度:>89%,熱膨脹係數: | 潛力預估: 主要合作廠商為印刷電子業、塑膠製造業者、光學薄膜廠商、面板廠商。

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AM用之高硬度高耐磨耗碳化鎢-結合金屬複合粉體

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 密度>13.5(g/cm3) 硬度(HRA)>90 硬度(Hv)>1480 抗折力>350(kgf/mm2) | 潛力預估: AM技術可生產複雜度高、不易加工之刀具/模具/零件,擴增碳化鎢產品之應用領域

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低毒性耐磨耗樹脂材料開發

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 經紫外光照射後3分鐘內完成非異氰酸聚氨酯塗料硬化: 表面硬度>4H;密著性達5B;光澤(60°) >85% ;自修復率≧90%。 | 潛力預估: 主要合作廠商如樹脂工業製造業者、汽車或腳踏車製造業者,可應用於汽車、腳踏車烤漆外之簡易噴塗。

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UV光固化非異氰酸酯材氨酯合成技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 黏度可調1000~50,000 (CPS/25℃); 表面硬度≧50(Shore D); 附著力>4B (百格試驗); 泡水測試:常溫4hr,不脫落、無白霧、無水漬。 超音波測試:以超音波振盪機進行振... | 潛力預估: 主要合作廠商如塑膠工業廠商、化學塗料業者,可應用於各類電子材料、噴塗材料等產品。

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奈米鑽石表面改質接枝高分子刷技術-具石墨結構奈米鑽石表面改質及摻混於潤滑油技術授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 化工產業高值化技術與應用發展計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 超分散奈米鑽石經過球磨並同時表面接枝高分子刷,可溶於潤滑油或油脂,應用於車輛、各類機械加工或是機械元件等,添加100~200ppm達到減磨、降溫、節能效果。 | 潛力預估: 試量產

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微感測元件製程開發技術

執行單位: 工研院系統中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.六道光罩及八道光罩設計 2.元件尺寸皆<5mm×5mm 3.SMART標準製程 | 潛力預估: 具備低成本、小尺寸、構型簡單、較高靈敏度之功能。極具市場潛力。

微粒子取樣技術

執行單位: 工研院系統中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 系統工程整合應用技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: (l)取樣流量50~500L/min (2)蒐集粒徑1~10μml (3)尺寸大小15×15×15cm | 潛力預估: 微粒子取樣應用於目前各項精密產業,應用範圍廣市場潛力大。

微型電容式超音波換能器結構設計分析與特性模擬

執行單位: 工研院系統中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 利用分析機電耦合特性及等效電路模型,設計參數化模擬分析資料庫,可經由元件薄膜以下特性的最佳化表現找出包含材料機械性質、直流偏壓、交流訊號、結構尺寸與製程預應力等最佳設計參數:(1)最大位移(2)等效機... | 潛力預估: 此項結構分析最佳化設計可降低產品研發成本與提升構型性能,極具競爭潛力。

WLAN SOC 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Clock 40MHz, Data Rate 6, 9, 12, 18, 24, 36, 48, or 54 Mbps 2. Customize MAC layer Interface 3. C... | 潛力預估: 可與 SOC 整合,有更多獲利空間

Optical Electronics SOC-PMD&PMA 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Laser driver:10-100mA bias moudlation TIA:-15dBm sensitivity, 8GHz BW LA:230mV limiting BER | 潛力預估: 國內自製之晶片在10Gbps處於高獲利期即佔有市場

HD-DVD SOC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Group delay variation | 潛力預估: 國內尚未有廠商開發成功,且藍光光碟機尚未普及,現在投入可及早佔有市場,提昇競爭力

DTV RF Tuner IC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Frequency Range:50~860MHz Input Resistance:75Ohm Min. Input power:-80dBm Max. Input power:-20dBm Tot... | 潛力預估: 國內尚未有廠商使用CMOS技術來製作DTV RF Tuner,藉由掌握此關鍵技術,可實現使用行動裝置(手機、PDA、Notebook)收看數位電視的可能,並由顧採用的是CMOS技術,因此可降低IC設...

DSP Architecture&RTL Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Process (Hard IP demo design) : 130 nm – Generic logic process Architecture : Scalar + 4-way VLIW Da... | 潛力預估: 提昇國內關鍵元組件的技術能力與自製率

PAC Architecture&Integration技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Asymmetric dual core architecture 2.Three-layer AHB bus structure (Basic) 3.Flexible and scalable... | 潛力預估: 1. Low-power SoC Platform for portable applications 2. Bi-product: DVFS low-power design solution pa...

Low Power Design Methodology&Environment 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Design Methodology:Multi-Vth,Multi-VDD,DVFS Design, Implementation,and Verification Methodology 2.... | 潛力預估: 廣泛應用於可攜式電子產品SoC,將大幅提升國內IC廠商產品在國際市場之競爭力

Low Power Circuit Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: PLL:12MHz in, 456MHz out, 24Mhz Stepping, RMS Jitter 35ps, P-P Jitter 150ps. MAC: Two 16 bit 2's com... | 潛力預估: 可應用於各種時脈產生,及數位濾波器,及資料暫存設計

高密度通道光譜影像量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)物方視野: 線型 > 6 mm(2) 物方空間解析度: < 250 mm (3) 光譜解析度: < 3 nm (4) 單次量測光譜範圍(free spectral range): 400 nm | 潛力預估: 台灣的LED設備產能相當充足,但製程良率偏低,且檢測速度遠不及產出率,需求快速光譜檢測新一代技術,本技術可直接針對此需求提供服務。

高密度光譜分析技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)掃描範圍:300nm~900nm/1250nm~1650nm | 潛力預估: 可取代目前國外高價產品,可創造產值5億

垂直掃描白光干涉表徵顯微量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 縱向解析度及量程1nm / 100um、橫向解析度及量程 1um / (500um)2 | 潛力預估: 結合單頻相移暨垂直掃描白光干涉功能的顯微檢測儀器,在亞洲市場的產值每年可達數億元,其產值更將隨影像顯示器產業產值的成長而大幅提昇。

3 mil 線寬/線距PCB/FPC 銅箔線路斷路及短路之缺陷檢測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 3 mil 線寬/線距HDI-PCB銅箔線路缺陷檢測探頭,尺寸/形狀空間解析度:8~15μm。(2)機台y-方向移動速度:40 mm/sec.。(3)缺陷檢測演算法可自動檢測出open/sh... | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等,產業頗具規模,因此,製程品質之檢測儀器之需求大。

微感測元件製程開發技術

執行單位: 工研院系統中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.六道光罩及八道光罩設計 2.元件尺寸皆<5mm×5mm 3.SMART標準製程 | 潛力預估: 具備低成本、小尺寸、構型簡單、較高靈敏度之功能。極具市場潛力。

微粒子取樣技術

執行單位: 工研院系統中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 系統工程整合應用技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: (l)取樣流量50~500L/min (2)蒐集粒徑1~10μml (3)尺寸大小15×15×15cm | 潛力預估: 微粒子取樣應用於目前各項精密產業,應用範圍廣市場潛力大。

微型電容式超音波換能器結構設計分析與特性模擬

執行單位: 工研院系統中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 利用分析機電耦合特性及等效電路模型,設計參數化模擬分析資料庫,可經由元件薄膜以下特性的最佳化表現找出包含材料機械性質、直流偏壓、交流訊號、結構尺寸與製程預應力等最佳設計參數:(1)最大位移(2)等效機... | 潛力預估: 此項結構分析最佳化設計可降低產品研發成本與提升構型性能,極具競爭潛力。

WLAN SOC 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Clock 40MHz, Data Rate 6, 9, 12, 18, 24, 36, 48, or 54 Mbps 2. Customize MAC layer Interface 3. C... | 潛力預估: 可與 SOC 整合,有更多獲利空間

Optical Electronics SOC-PMD&PMA 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Laser driver:10-100mA bias moudlation TIA:-15dBm sensitivity, 8GHz BW LA:230mV limiting BER | 潛力預估: 國內自製之晶片在10Gbps處於高獲利期即佔有市場

HD-DVD SOC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Group delay variation | 潛力預估: 國內尚未有廠商開發成功,且藍光光碟機尚未普及,現在投入可及早佔有市場,提昇競爭力

DTV RF Tuner IC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Frequency Range:50~860MHz Input Resistance:75Ohm Min. Input power:-80dBm Max. Input power:-20dBm Tot... | 潛力預估: 國內尚未有廠商使用CMOS技術來製作DTV RF Tuner,藉由掌握此關鍵技術,可實現使用行動裝置(手機、PDA、Notebook)收看數位電視的可能,並由顧採用的是CMOS技術,因此可降低IC設...

DSP Architecture&RTL Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Process (Hard IP demo design) : 130 nm – Generic logic process Architecture : Scalar + 4-way VLIW Da... | 潛力預估: 提昇國內關鍵元組件的技術能力與自製率

PAC Architecture&Integration技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Asymmetric dual core architecture 2.Three-layer AHB bus structure (Basic) 3.Flexible and scalable... | 潛力預估: 1. Low-power SoC Platform for portable applications 2. Bi-product: DVFS low-power design solution pa...

Low Power Design Methodology&Environment 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Design Methodology:Multi-Vth,Multi-VDD,DVFS Design, Implementation,and Verification Methodology 2.... | 潛力預估: 廣泛應用於可攜式電子產品SoC,將大幅提升國內IC廠商產品在國際市場之競爭力

Low Power Circuit Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: PLL:12MHz in, 456MHz out, 24Mhz Stepping, RMS Jitter 35ps, P-P Jitter 150ps. MAC: Two 16 bit 2's com... | 潛力預估: 可應用於各種時脈產生,及數位濾波器,及資料暫存設計

高密度通道光譜影像量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)物方視野: 線型 > 6 mm(2) 物方空間解析度: < 250 mm (3) 光譜解析度: < 3 nm (4) 單次量測光譜範圍(free spectral range): 400 nm | 潛力預估: 台灣的LED設備產能相當充足,但製程良率偏低,且檢測速度遠不及產出率,需求快速光譜檢測新一代技術,本技術可直接針對此需求提供服務。

高密度光譜分析技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)掃描範圍:300nm~900nm/1250nm~1650nm | 潛力預估: 可取代目前國外高價產品,可創造產值5億

垂直掃描白光干涉表徵顯微量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 縱向解析度及量程1nm / 100um、橫向解析度及量程 1um / (500um)2 | 潛力預估: 結合單頻相移暨垂直掃描白光干涉功能的顯微檢測儀器,在亞洲市場的產值每年可達數億元,其產值更將隨影像顯示器產業產值的成長而大幅提昇。

3 mil 線寬/線距PCB/FPC 銅箔線路斷路及短路之缺陷檢測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 3 mil 線寬/線距HDI-PCB銅箔線路缺陷檢測探頭,尺寸/形狀空間解析度:8~15μm。(2)機台y-方向移動速度:40 mm/sec.。(3)缺陷檢測演算法可自動檢測出open/sh... | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等,產業頗具規模,因此,製程品質之檢測儀器之需求大。

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