UV光固化非異氰酸酯材氨酯合成技術
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技術名稱-中文UV光固化非異氰酸酯材氨酯合成技術的執行單位是工研院南分院, 產出年度是103, 計畫名稱是南部新興產業發展關鍵技術計畫, 領域是製造精進, 技術規格是黏度可調1000~50,000 (CPS/25℃)； 表面硬度≧50(Shore D)； 附著力>4B (百格試驗)； 泡水測試：常溫4hr，不脫落、無白霧、無水漬。 超音波測試：以超音波振盪機進行振盪，10min，不脫落、不滲水。 恆溫恆濕測試：60 ℃，90% RH，240hr，不脫落。, 潛力預估是主要合作廠商如塑膠工業廠商、化學塗料業者，可應用於各類電子材料、噴塗材料等產品。.

序號6737
產出年度103
技術名稱-中文UV光固化非異氰酸酯材氨酯合成技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱南部新興產業發展關鍵技術計畫
領域製造精進
已申請專利之國家中華民國、美國、中國大陸、歐盟
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術可改善並取代目前高毒性之異氰酸酯聚氨酯材料，UV光固化非異氰酸酯聚氨酯材料使用關鍵原物料”環碳酸酯”，此新世代材料未使用異氰酸酯，環保無毒之特性可更符合未來客戶需求及更嚴格之法規要求。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格黏度可調1000~50,000 (CPS/25℃)； 表面硬度≧50(Shore D)； 附著力>4B (百格試驗)； 泡水測試：常溫4hr，不脫落、無白霧、無水漬。 超音波測試：以超音波振盪機進行振盪，10min，不脫落、不滲水。 恆溫恆濕測試：60 ℃，90% RH，240hr，不脫落。
技術成熟度試量產
可應用範圍可剝塗料剝離、防濕絕緣塗料、塗料塗層。
潛力預估主要合作廠商如塑膠工業廠商、化學塗料業者，可應用於各類電子材料、噴塗材料等產品。
聯絡人員蔡岳峰
電話06-3847451
傳真06-3847385
電子信箱Steven.Tsai@itri.org.tw
參考網址https://www.itri.org.tw/chi/Content/Bulletin/contents.aspx?&SiteID=1&MmmID=3000&CatID=2&SY=2014&MSID=621305452645136556
所須軟硬體設備高溫高壓設備。
需具備之專業人才化學、化工相關背景。

序號

6737

產出年度

103

技術名稱-中文

UV光固化非異氰酸酯材氨酯合成技術

執行單位

工研院南分院

產出單位

(空)

計畫名稱

南部新興產業發展關鍵技術計畫

領域

製造精進

已申請專利之國家

中華民國、美國、中國大陸、歐盟

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本技術可改善並取代目前高毒性之異氰酸酯聚氨酯材料，UV光固化非異氰酸酯聚氨酯材料使用關鍵原物料”環碳酸酯”，此新世代材料未使用異氰酸酯，環保無毒之特性可更符合未來客戶需求及更嚴格之法規要求。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

黏度可調1000~50,000 (CPS/25℃)； 表面硬度≧50(Shore D)； 附著力>4B (百格試驗)； 泡水測試：常溫4hr，不脫落、無白霧、無水漬。 超音波測試：以超音波振盪機進行振盪，10min，不脫落、不滲水。 恆溫恆濕測試：60 ℃，90% RH，240hr，不脫落。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

可剝塗料剝離、防濕絕緣塗料、塗料塗層。

潛力預估

主要合作廠商如塑膠工業廠商、化學塗料業者，可應用於各類電子材料、噴塗材料等產品。

聯絡人員

蔡岳峰

電話

06-3847451

傳真

06-3847385

電子信箱

Steven.Tsai@itri.org.tw

參考網址

https://www.itri.org.tw/chi/Content/Bulletin/contents.aspx?&SiteID=1&MmmID=3000&CatID=2&SY=2014&MSID=621305452645136556

所須軟硬體設備

高溫高壓設備。

需具備之專業人才

化學、化工相關背景。

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耐溫耐蝕合金材料設計及製程技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值化金屬材料暨製造技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: –合金成份符合ASTM B805-06之規範 –抗拉強度>965MPa ；降伏強度>758MPa ；伸長率>18%。 –腐蝕速率 750MPa(600°C) ；高溫降伏強度> 600MPa(600°C... | 潛力預估: 可支援全台開發相當於?產250萬噸煤產?之地熱能源，有益於能源開發應用之多元化與自主性，也可應用於需耐溫之引擎排氣端車用扣件。預計可促進產業投資達NT$0.5億元以上，創造產值1億元以上。

@ 技術司可移轉技術資料集

非異氰酸酯材氨酯材料合成技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 抗拉伸強度=8~45MPa，最大延伸率=11~191%，硬度=95~99/65~81 (shore A/D)，Pot life = 0.5~4 hrs。 | 潛力預估: 主要合作廠商為塑膠工業廠商、化學塗料業者，可應用於各類電子材料、噴塗材料等產品。

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低熱膨脹係數塑膠基材開發與加工技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸安定溫度：>135℃，透光度：>89%，熱膨脹係數： | 潛力預估: 主要合作廠商為印刷電子業、塑膠製造業者、光學薄膜廠商、面板廠商。

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耐磨耗樹脂材料與應用技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 原料：採用非異氰酸酯綠色環保原料，密著性：5B，表面硬度：≧4H，自修復率：≧85%。 | 潛力預估: 主要合作廠商為樹脂工業製造業者、汽車或腳踏車製造業者。

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AM用之高硬度高耐磨耗碳化鎢-結合金屬複合粉體

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 密度>13.5(g/cm3) 硬度(HRA)>90 硬度(Hv)>1480 抗折力>350(kgf/mm2) | 潛力預估: AM技術可生產複雜度高、不易加工之刀具/模具/零件，擴增碳化鎢產品之應用領域

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低毒性耐磨耗樹脂材料開發

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 經紫外光照射後3分鐘內完成非異氰酸聚氨酯塗料硬化： 表面硬度>4H；密著性達5B；光澤(60°) >85% ；自修復率≧90%。 | 潛力預估: 主要合作廠商如樹脂工業製造業者、汽車或腳踏車製造業者，可應用於汽車、腳踏車烤漆外之簡易噴塗。

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奈米鑽石表面改質接枝高分子刷技術-具石墨結構奈米鑽石表面改質及摻混於潤滑油技術授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 化工產業高值化技術與應用發展計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 超分散奈米鑽石經過球磨並同時表面接枝高分子刷，可溶於潤滑油或油脂，應用於車輛、各類機械加工或是機械元件等，添加100~200ppm達到減磨、降溫、節能效果。 | 潛力預估: 試量產

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耐溫耐蝕合金材料設計及製程技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值化金屬材料暨製造技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: –合金成份符合ASTM B805-06之規範 –抗拉強度>965MPa ；降伏強度>758MPa ；伸長率>18%。 –腐蝕速率 750MPa(600°C) ；高溫降伏強度> 600MPa(600°C... | 潛力預估: 可支援全台開發相當於?產250萬噸煤產?之地熱能源，有益於能源開發應用之多元化與自主性，也可應用於需耐溫之引擎排氣端車用扣件。預計可促進產業投資達NT$0.5億元以上，創造產值1億元以上。

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非異氰酸酯材氨酯材料合成技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 抗拉伸強度=8~45MPa，最大延伸率=11~191%，硬度=95~99/65~81 (shore A/D)，Pot life = 0.5~4 hrs。 | 潛力預估: 主要合作廠商為塑膠工業廠商、化學塗料業者，可應用於各類電子材料、噴塗材料等產品。

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低熱膨脹係數塑膠基材開發與加工技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸安定溫度：>135℃，透光度：>89%，熱膨脹係數： | 潛力預估: 主要合作廠商為印刷電子業、塑膠製造業者、光學薄膜廠商、面板廠商。

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耐磨耗樹脂材料與應用技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 原料：採用非異氰酸酯綠色環保原料，密著性：5B，表面硬度：≧4H，自修復率：≧85%。 | 潛力預估: 主要合作廠商為樹脂工業製造業者、汽車或腳踏車製造業者。

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AM用之高硬度高耐磨耗碳化鎢-結合金屬複合粉體

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 密度>13.5(g/cm3) 硬度(HRA)>90 硬度(Hv)>1480 抗折力>350(kgf/mm2) | 潛力預估: AM技術可生產複雜度高、不易加工之刀具/模具/零件，擴增碳化鎢產品之應用領域

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低毒性耐磨耗樹脂材料開發

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 經紫外光照射後3分鐘內完成非異氰酸聚氨酯塗料硬化： 表面硬度>4H；密著性達5B；光澤(60°) >85% ；自修復率≧90%。 | 潛力預估: 主要合作廠商如樹脂工業製造業者、汽車或腳踏車製造業者，可應用於汽車、腳踏車烤漆外之簡易噴塗。

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奈米鑽石表面改質接枝高分子刷技術-具石墨結構奈米鑽石表面改質及摻混於潤滑油技術授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 化工產業高值化技術與應用發展計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 超分散奈米鑽石經過球磨並同時表面接枝高分子刷，可溶於潤滑油或油脂，應用於車輛、各類機械加工或是機械元件等，添加100~200ppm達到減磨、降溫、節能效果。 | 潛力預估: 試量產

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超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計，包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證，內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫，提供客戶設計階段導入應用之服務，提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS

加強型行動終端應用程式發展平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發，包括下列各項軟體技術： 行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... | 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台，提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發，具備完整的原始碼，除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外，將來更可作為其它個人電...

行動服務交付平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... | 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口，降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能，以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求，進行客製化設計

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計，包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證，內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫，提供客戶設計階段導入應用之服務，提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS

加強型行動終端應用程式發展平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發，包括下列各項軟體技術： 行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... | 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台，提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發，具備完整的原始碼，除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外，將來更可作為其它個人電...

行動服務交付平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... | 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口，降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能，以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求，進行客製化設計

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